Kategoria: Komunikaty prasowe

Przełączniki SiC oferujące najniższe straty przewodzenia i doskonałą zdolność zwarciową uwalnianą dla obwodów mocy wysokiej częstotliwości

Tępy, Wirginia., Październik 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny niskopornościowych 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC w obudowie TO-247. Zastosowanie wysokiego napięcia, Wysoka częstotliwość, Tranzystory złączowe SiC zdolne do wysokich temperatur i niskiej rezystancji zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji energoelektronicznych wymagających wyższych napięć magistrali. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w mikrosieciach prądu stałego, Szybkie ładowarki samochodowe, serwer, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe, zasilacze bezprzerwowe, falowniki słoneczne, Systemy elektrowni wiatrowych, i przemysłowe systemy sterowania silnikami.

Tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania (podobny do MOSFETów SiC), kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne sterowniki bramek, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >10 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe

“Te ulepszone SJT oferują znacznie wyższe zyski prądu (>100), bardzo stabilna i solidna wydajność w porównaniu z innymi przełącznikami SiC. SJT firmy GeneSiC oferują wyjątkowo niskie straty przewodzenia przy prądach znamionowych jako doskonałe straty podczas wyłączania w obwodach mocy. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty tranzystorowe firmy GeneSiC pomagają projektantom uzyskać bardziej niezawodne rozwiązanie,” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1700 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

1200 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Pakiety TO-247 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/komercyjne-sic / sic-junction-tranzystory /

Tranzystor i prostowniki SiC firmy GeneSiC oferują znaczące korzyści w osiąganiu celów Little Box Challenge

Najnowocześniejszy. Tranzystory mocy z węglika krzemu & Prostowniki. Dostępny. Teraz!

GeneSiC posiada szeroką gamę produktów dostępnych obecnie na całym świecie u najlepszych dystrybutorów

Bare Die Chip forma urządzeń SiC dostępna bezpośrednio z fabryki (proszę wypełnić poniższy formularz)

Oddzielny SJTs i Prostowniki w temperaturach znamionowych handlowych (175° C)

Oddzielny HiT SJTs i Prostowniki HiT w wysokiej temperaturze (do 250 ° C)

GeneSiC oferuje najszerszą gamę produktów SiC - w opakowaniach, a także w formacie gołej matrycy, aby zapewnić większą elastyczność projektowania i innowacje. GeneSiC nieustannie dąży do pozostania w czołówce, wprowadzając nowe, innowacyjne produkty. Jeśli nie widzisz dokładnie tego produktu, którego szukasz dzisiaj, możesz to zobaczyć w najbliższej przyszłości.

Obietnica wysokiej temperatury w tranzystorach SiC realizowana za pomocą zgodnych standardowych pakietów branżowych krytycznie poprawi działanie siłowników i zasilaczy wiertniczych i lotniczych

Tępy, Wirginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Power Semiconductors ogłasza dziś natychmiastową dostępność poprzez swoich dystrybutorów i bezpośrednio rodzinę w opakowaniach wysokotemperaturowych 600 Tranzystory złączowe V SiC (SJT) w 3-50 Prąd znamionowy w amperach w standardach branżowych JEDEC w obudowach do montażu powierzchniowego i przelotowego. Zawierające te wysokie temperatury, niski opór, Tranzystory SiC wysokiej częstotliwości w hermetycznych obudowach, lutowie wysokotemperaturowe i hermetyzacja zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji do konwersji mocy w wysokiej temperaturze.

Współczesny zasilacz wysokotemperaturowy, obwody sterowania silnikiem i siłowników stosowane w zastosowaniach związanych z ropą / gazem / w odwiertach oraz w przemyśle lotniczym cierpią z powodu braku dostępności realnego wysokotemperaturowego roztworu węglika krzemu. Tranzystory krzemowe mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ mają wysokie prądy upływowe i niską, słabą charakterystykę przełączania. Oba te parametry pogarszają się przy wyższych temperaturach złącza. W środowiskach ograniczonych termicznie, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Hermetycznie opakowane tranzystory SiC oferują unikalne właściwości, które mogą zrewolucjonizować możliwości zastosowań wiertniczych i lotniczych. GeneSiC 650 Tranzystory złączowe SiC V / 3-50 A mają prawie zerowe czasy przełączania, które nie zmieniają się wraz z temperaturą. Plik 210^OUrządzenia przystosowane do temperatury złącza C oferują stosunkowo duże marginesy temperaturowe do zastosowań, które działają w ekstremalnych warunkach.

Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Tranzystory złączowe SiC można łatwo łączyć równolegle ze względu na ich pasującą charakterystykę przejściową.

“Ponieważ projektanci aplikacji wiertniczych i kosmicznych nadal przesuwają granice częstotliwości roboczej, jednocześnie wymagając wysokich sprawności obwodów, potrzebują przełączników SiC, które oferują standard wydajności, niezawodność i jednorodność produkcji. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty SJT firmy GeneSiC pomagają projektantom osiągnąć to wszystko w bardziej solidnym rozwiązaniu. Produkty te uzupełniają hermetycznie opakowany prostownik SiC wydany w zeszłym roku przez GeneSiC, oraz gołe matryce wypuszczone na początku tego roku, jednocześnie torując nam drogę do oferowania wysokiej temperatury, niska indukcyjność, moduły mocy w najbliższej przyszłości ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Izolowany TO-257 z 600 W SJTs:

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7637-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA20JT06-CAL (w 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (w 2N7637-GA); i GA05JT06-CAL (w 2N7635-GA)

Nieizolowany pakiet prototypowy TO-258 z 600 SJTs

• 25 mOhm / 50 Amp (Pakiet prototypów GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA50JT06-CAL (w GA50JT06-258)

Montaż powierzchniowy TO-276 (SMD0,5) z 600 SJTs

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7638-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości znamionowych napięcia / prądu i umieszczone w hermetycznych opakowaniach. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne bezpośrednio w GeneSiC i / lub u autoryzowanych dystrybutorów.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Wysokie napięcie, Diody SiC Schottky'ego bez rewersji odzysku energii, które krytycznie umożliwiają falownikom słonecznym i zespołom wysokonapięciowym, oferując możliwości montażu powierzchniowego w najmniejszej obudowie

Tępy, Wirginia., Listopad 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność rodziny zgodnych ze standardami branżowymi małych i średnich firm (JEDEC DO-214AA) pakowane prostowniki SiC w formacie 650 - 3300 Zakres V.. Zawierające te wysokie napięcie, bez odzyskiwania wstecznego, Diody SiC o wysokiej częstotliwości i wysokiej temperaturze zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość zespołów multi-kV. Produkty te są skierowane do falowników mikro-słonecznych, a także obwodów powielaczy napięcia stosowanych w szerokiej gamie rentgenowskich, Zasilacze lasera i generatora cząstek.

Współczesne falowniki mikro-słoneczne i obwody powielaczy napięcia mogą cierpieć z powodu niskiej sprawności obwodu i dużych rozmiarów, ponieważ prądy zwrotne odzysku z prostowników krzemowych. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Wysokonapięciowe prostowniki SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować mikroinwertery fotowoltaiczne i zespoły wysokiego napięcia. GeneSiC 650 V / 1 A.; 1200 V / 2 A i 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. Plik 3300 Urządzenia o napięciu znamionowym oferują stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu, co pozwala na zmniejszenie stopni powielania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatora wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. SMB (DO-214AA) obudowa overmolded charakteryzuje się standardowym w branży współczynnikiem kształtu do montażu powierzchniowego.

„Te oferty produktów są wynikiem wieloletnich wysiłków rozwojowych w GeneSiC w kierunku oferowania atrakcyjnych urządzeń i pakietów. Uważamy, że współczynnik kształtu SMB jest kluczowym wyróżnikiem na rynku falowników Micro Solar i powielaczy napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki SiC Schottky o niskiej pojemności i ulepszone pakiety SMB umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1200 Dioda Schottky'ego V / 2 A SMB SiC (GB02SLT12-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 14 nC.

3300 Dioda Schottky'ego V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.7 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 52 nC.

650 Dioda Schottky'ego V / 1 A SMB SiC (GB01SLT06-214) Najważniejsze informacje techniczne

• Typowe VF = 1.5 V
• T_jmax = 175^OC
• Reverse Recover Charge = 7 nC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Zgodny z RoHS SMB (DO-214AA) pakiety. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Zespoły wysokonapięciowe, w których można wykorzystać te prostowniki o niskiej pojemności, oferujące niezależne od temperatury zerowe prądy wsteczne powrotne w izolowanych obudowach

Thief River Falls/Dulles, Wirginia., Może 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 3300 V/0.3 Amperowe prostowniki Schottky'ego SiC – GAP3SLT33-220FP. Ten wyjątkowy produkt reprezentuje prostownik SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest specjalnie ukierunkowany na obwody powielacza napięcia i zespoły wysokonapięciowe stosowane w szerokim zakresie promieniowania rentgenowskiego, Zasilacze lasera i generatora cząstek.

Współczesne obwody powielacza napięcia cierpią z powodu niskiej wydajności obwodów i dużych rozmiarów, ponieważ wsteczne prądy powrotne z prostowników krzemowych rozładowują kondensatory połączone równolegle. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. Izolowana izolowana obudowa TO-220 Full Pack charakteryzuje się standardowym w branży kształtem ze zwiększonym odstępem między pinami w zespołach otworów przelotowych.

„Ta oferta produktów pochodzi z lat nieustannych wysiłków w GeneSiC. Wierzymy, że 3300 Ocena V jest kluczowym wyróżnikiem na rynku generatorów wysokiego napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Niskopojemnościowe prostowniki Schottky'ego SiC umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

3300 Cechy techniczne prostownika V/0.3 A SiC

• Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC
• Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Standard przemysłowy zgodny z RoHS TO-220FP (Pełny pakiet) pakiety. Urządzenia są natychmiast dostępne u Autoryzowanego Dystrybutora GeneSiC, Digikey.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, odwiedź www.genesicsemi.com

Obwody i zespoły wysokonapięciowe korzystające z układów SiC, które oferują bezprecedensowe wartości znamionowe napięcia i bardzo szybkie przełączanie

Tępy, Wirginia., Listopad 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 8000 Prostowniki V SiC PiN; 8000 Prostowniki V SiC Schottky'ego, 3300 Prostowniki V SiC Schottky'ego i 6500 Tyrystory V SiC w formie gołej matrycy. Te unikalne produkty reprezentują urządzenia SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest szczególnie ukierunkowany na oprzyrządowanie do ropy i gazu, obwody powielaczy napięcia i zespoły wysokiego napięcia.

Współczesne obwody ultra wysokiego napięcia mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ zwrotne prądy odzysku z prostowników krzemowych rozładowują połączone równolegle kondensatory. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta jeszcze bardziej się pogarsza, ponieważ zwrotny prąd powrotny w prostownikach krzemowych rośnie wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 8000 V i 3300 Prostowniki V Schottky'ego mają zerowy prąd powrotny, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. 8000 Prostowniki V PiN oferują wyższe poziomy prądu i wyższe temperatury pracy. 6500 Dostępne są również chipy tyrystorowe V SiC przyspieszające R.&D nowych systemów.

„Te produkty pokazują silną pozycję GeneSiC w rozwoju chipów SiC w zakresie wielu kV. Wierzymy, że 8000 Klasa V wykracza poza to, co mogą zaoferować urządzenia Silicon w temperaturach znamionowych, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki i tyrystory SiC o małej pojemności zapewnią korzyści na poziomie systemu, które wcześniej nie były możliwe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

8000 Cechy techniczne prostownika V / 2 A SiC Bare Die PiN

• T_jmax = 210^OC
• Odwrotne prądy upływowe < 50 uA w 175^OC
• Reverse Recovery Charge 558 nC (typowy).

8000 V / 50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Najważniejsze dane techniczne

• Całkowita pojemność 25 pF (typowy, w -1 V, 25^OC).
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC

6500 Cechy techniczne tyrystora V SiC Bare Die

• Trzy ofiary - 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); i 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^OC

3300 Najważniejsze dane techniczne prostownika typu Bare Die V / 0,3 A SiC

• Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
• Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
• T_jmax = 175^OC
• Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie