Spakowana kombinacja tranzystor-dioda SiC w solidnej, odosobniony, 4-Ołów, opakowanie minimodułu zmniejsza straty energii podczas włączania i umożliwia elastyczne projektowanie obwodów dla przekształtników mocy wysokiej częstotliwości
ĆWICZENIA, VA, Może 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają dziś natychmiastową dostępność 20 mOhm-1200 V SiC Junction Tranzystor-diody w izolowanym, 4-Opakowanie mini-modułu z ołowiem, które umożliwia wyjątkowo niskie straty energii podczas włączania, oferując jednocześnie elastyczność, konstrukcje modułowe w przekształtnikach mocy wysokiej częstotliwości. Zastosowanie wysokiej częstotliwości, Tranzystory i prostowniki SiC o wysokim napięciu i niskiej rezystancji zmniejszą rozmiar/masę/objętość aplikacji elektronicznych wymagających wyższej mocy przy wysokich częstotliwościach roboczych. Urządzenia te są przeznaczone do stosowania w wielu różnych zastosowaniach, w tym nagrzewnicach indukcyjnych, generatory plazmy, szybkie ładowarki, Przetwornice DC-DC, i zasilacze impulsowe.
1200 V/20 mOhm Tranzystor z węglika krzemu z prostownikiem - zapakowany w izolowany pakiet SOT-227 zapewniający oddzielne możliwości źródła bramki i zlewu
Spakowane razem tranzystory SiC Junction (SJT)-Prostowniki SiC oferowane przez GeneSiC mają wyjątkowe zastosowanie w zastosowaniach przełączania indukcyjnego, ponieważ SJT są jedynymi przełącznikami szerokopasmowymi >10 mikrosekundowa zdolność powtarzalnego zwarcia;, nawet na 80% napięć znamionowych (na przykład. 960 V jak 1200 Urządzenie V). Oprócz czasów narastania/opadania poniżej 10 nsec i kwadratowego obszaru bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA), terminal Gate Return w nowej konfiguracji znacznie poprawia zdolność do redukcji energii przełączania. Ta nowa klasa produktów oferuje przejściowe straty energii i czasy przełączania, które są niezależne od temperatury złącza. Tranzystory złączowe SiC firmy GeneSiC są wolne od bramek tlenkowych, normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przy niskich napięciach bramki, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC.
Prostowniki SiC Schottky'ego zastosowane w tych minimodułach wykazują niewielkie spadki napięcia w stanie włączenia, dobre wartości prądu udarowego i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky'ego są idealnymi kandydatami do stosowania w obwodach o wysokiej sprawności.
“Produkty tranzystorowe i prostownicze firmy GeneSiC SiC są zaprojektowane i wyprodukowane w celu uzyskania niskich strat w stanie załączenia i przełączania. Połączenie tych technologii w innowacyjnym pakiecie zapewnia wzorową wydajność w obwodach mocy wymagających urządzeń opartych na szerokiej przerwie wzbronionej. Opakowanie minimodułu zapewnia dużą elastyczność projektowania do stosowania w różnych obwodach zasilających, takich jak H-Bridge, Falowniki Flyback i wielopoziomowe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
Produkt wydany dzisiaj zawiera
20 mOhm/1200 V złącze SiC Tranzystor/prostownik w zestawie (GA50SICP12-227):
• Izolowany pakiet SOT-227/mini-blok/izotop
• Wzmocnienie prądu tranzystora (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (ograniczone opakowaniem)
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.
Wszystkie urządzenia są 100% testowane na pełne napięcie/prąd znamionowy. Urządzenia są natychmiast dostępne w GeneSiC Autoryzowani Dystrybutorzy.
Po więcej informacji, Proszę odwiedź: https://192.168.88.14/sic-komercyjny/sic-moduly-copack/
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
