Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11 przez Editor0DMOSFET mocy 10 kV 4H-SiC o dużej powierzchni ze stabilnym zachowaniem podprogowym niezależnie od temperatury Sie, 2008DMOSFET mocy 10 kV 4H-SiC o dużej powierzchni ze stabilnym zachowaniem podprogowym niezależnie od temperatury