postet på

GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC lanserer en omfattende portefølje av sin tredje generasjon 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i TO-247-2-pakke

GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens best ytende 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomgående hullpakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultra-raske gjenopprettingsdioder og andre gamle generasjon 1700V SiC JBS, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, transportforsyning og fornybar energi.

GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC sammenslått-PiN-schottky-diode, bransjens høyeste nåværende diskrete SiC-effektdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets kvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger for andre dioder som er tilgjengelige i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

Multi-kHz, Ultra-høyspent silisiumkarbidtyristorer ble testet til amerikanske forskere

DULLES, VA, november 1, 2010 –I et første tilbud i sitt slag, GeneSiC Semiconductor kunngjør tilgjengeligheten av en familie med 6,5 kV SCR-modus silisiumkarbidtyristorer for bruk i kraftelektronikk for Smart Grid-applikasjoner. Revolusjonerende ytelsesfordeler med disse kraftenhetene forventes å stimulere til nøkkelinnovasjoner innen kraftelektronikk i bruksskala for å øke tilgjengeligheten og utnyttelsen av distribuerte energiressurser (DE). "Inntil nå, multi-kV silisiumkarbid (SiC) kraftenheter var ikke åpent tilgjengelig for amerikanske forskere for å fullt ut utnytte de velkjente fordelene – nemlig 2-10 kHz driftsfrekvenser ved 5-15 kV-klassifiseringer – til SiC-baserte kraftenheter.» kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. «GeneSiC har nylig fullført levering av mange 6,5 kV/40A, 6.5kV/60A og 6,5kV/80A tyristorer til flere kunder som forsker på fornybar energi, Kraftsystemapplikasjoner for hæren og marinen. SiC-enheter med disse vurderingene tilbys nå mer utbredt."

Silisiumkarbidbaserte tyristorer tilbyr 10X høyere spenning, 100X raskere byttefrekvenser og høyere temperaturdrift sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer. Målrettede applikasjonsforskningsmuligheter for disse enhetene inkluderer generell middelspenningseffektkonvertering (MVDC), Nettbundne solcelle-invertere, vindkraftinvertere, pulserende kraft, våpensystemer, tenningskontroll, og utløserkontroll. Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft.

Dr.. Singh fortsetter: "Det forventes at store markeder innen solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer vil åpne seg etter at forskere innen kraftkonverteringsarenaen fullt ut vil innse fordelene med SiC-tyristorer.. Disse første generasjons SiC-tyristorene bruker det laveste påviste spenningsfallet og differensielle på-motstander som noen gang er oppnådd i SiC-tyristorer. Vi har til hensikt å gi ut fremtidige generasjoner av SiC-tyristorer som er optimert for portstyrt slå av-funksjon og >10kV karakterer. Som vi fortsetter å utvikle høytemperatur ultra-høyspent emballasjeløsninger, de nåværende 6,5 kV tyristorene er pakket i moduler med fullt loddede kontakter, begrenset til 150oC overgangstemperaturer." GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

Ligger i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) har inngått en samarbeidsavtale med det GeneSiC Semiconductor-ledede teamet for utviklingen av det nye ultrahøyspente silisiumkarbiden (SiC) Tyristorbaserte enheter. Disse enhetene forventes å være nøkkelen muliggjører for integrering av storskala vind- og solkraftverk i neste generasjons Smart Grid.

"Denne svært konkurransedyktige prisen til GeneSiC vil tillate oss å utvide vår tekniske lederposisjon innen multi-kV silisiumkarbidteknologien, samt vår forpliktelse til alternative energiløsninger i nettskala med solid state-løsninger," kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer vi utvikler er nøkkelteknologien for realisering av fleksible AC-transmisjonssystemer (FAKTA) elementer og høyspennings likestrøm (HVDC) arkitekturer tenkt mot en integrert, effektiv, Fremtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserte tyristorer tilbyr 10 ganger høyere spenning, 100X raskere svitsjefrekvenser og høyere temperaturdrift i FACTS og HVDC strømbehandlingsløsninger sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer."

I April 2010, GeneSiC svarte på den smidige leveringen av elektrisk kraftteknologi (DYKTIG) oppfordring fra ARPA-E som forsøkte å investere i materialer for grunnleggende fremskritt innen høyspentsvitsjer som har potensiale til å hoppe over eksisterende kraftomformerytelse og samtidig tilby kostnadsreduksjoner. Selskapets forslag med tittelen "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power konvertering" ble valgt for å gi en lettvekts, solid-state, mellomspenningsenergikonvertering for høyeffektapplikasjoner som solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft. Innovasjoner som ble valgt var å støtte og promotere U.S. bedrifter gjennom teknologisk lederskap, gjennom en svært konkurransedyktig prosess.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med langt overlegne egenskaper enn konvensjonelt silisium, som evnen til å håndtere ti ganger spenningen – og hundre ganger strømmen – ved temperaturer så høye som 300ºC. Disse egenskapene gjør den ideell for høyeffektapplikasjoner som hybrid- og elektriske kjøretøy, fornybar energi (vind og sol) installasjoner, og kontrollsystemer for elektriske nett.

Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Andre lovende applikasjoner og fordeler for disse enhetene inkluderer:

  • Strømstyrings- og strømkondisjoneringssystemer for mellomspennings DC-konvertering ettersøkt under Future Naval Capability (FNC) fra US Navy, Elektromagnetiske utskytningssystemer, høyenergi våpensystemer og medisinsk bildebehandling. Den 10-100X høyere driftsfrekvensen tillater enestående forbedringer i størrelse, vekt, volum og til slutt, kostnadene ved slike systemer.
  • En rekke energilagring, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

“Vi har dukket opp som ledende innen ultrahøyspent SiC-teknologi ved å utnytte vår kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign med en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering, og testanlegg," konkluderer Dr. Singh. "GeneSiCs posisjon er nå effektivt validert av US DOE med denne betydelige oppfølgingsprisen."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategisk plassert i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjernewww.genesicsemi.com.

postet på

Fornybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 millioner fra US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) enheter som vil tjene som viktige muliggjører for vind- og solenergi-integrasjon med landets strømnett.

"Disse prisene demonstrerer DOEs tillit til GeneSiCs evner, samt forpliktelsen til alternative energiløsninger," bemerker Dr. Ranbir Singh, president i GeneSiC. «En integrert, Effektivt strømnett er avgjørende for nasjonens energifremtid - og SiC-enhetene vi utvikler er avgjørende for å overvinne ineffektiviteten til konvensjonelle silisiumteknologier."

Den første prisen er en $750k fase II SBIR-stipend for utvikling av fast, ultrahøyspente SiC bipolare enheter. Den andre er en fase II STTR-bevilgning på $750 000 for utvikling av optisk gatede SiC-svitsjer med høy effekt.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med evnen til å håndtere 10x spenningen og 100x strømmen til silisium, gjør den ideell til bruk med høy effekt som fornybar energi (vind og sol) installasjoner og elektriske nettkontrollsystemer.

nærmere bestemt, de to prisene er for:

  • Utvikling av høyfrekvente, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) strøm enheter. Offentlige og kommersielle applikasjoner inkluderer strømstyrings- og kondisjoneringssystemer for skip, bruksindustrien, og medisinsk bildediagnostikk.
  • Design og fabrikasjon av optisk gated høyspenning, høyeffekt SiC-svitsjenheter. Å bruke fiberoptikk for å bytte strøm er en ideell løsning for miljøer plaget av elektromagnetisk interferens (EMI), og applikasjoner som krever ultrahøye spenninger.

SiC-enhetene GeneSiC utvikler tjener en rekke energilagring, kraftnettet, og militære applikasjoner, som får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

Basert utenfor Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, felteffekttransistorer (FET-er) og bipolare enheter, samt partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC Semiconductor tildelt flere amerikanske Department of Energy SBIR og STTR-tilskudd

DULLES, VA, oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en raskt stigende innovatør av høy temperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, kunngjorde at det har blitt tildelt tre separate småbedriftstilskudd fra US Department of Energy i løpet av FY07. SBIR- og STTR-bevilgningene vil bli brukt av GeneSiC for å demonstrere nye høyspente SiC-enheter for en rekke energilagring, kraftnettet, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

“Vi er fornøyd med nivået av tillit uttrykt av ulike kontorer i det amerikanske energidepartementet med hensyn til våre høyeffekts enhetsløsninger. Å injisere denne finansieringen i våre avanserte SiC-teknologiprogrammer vil resultere i en bransjeledende linje SiC-enheter,” kommenterte GeneSiCs president, Dr.. Ranbir Singh. “Enhetene som utvikles i disse prosjektene lover å gi kritisk muliggjørende teknologi for å støtte et mer effektivt strømnett, og vil åpne døren til ny kommersiell og militær maskinvareteknologi som har forblitt urealisert på grunn av begrensningene til moderne silisiumbaserte teknologier.”

De tre prosjektene inkluderer:

  • En ny fase I SBIR-pris fokusert på høystrøm, multi-kV tyristor-baserte enheter rettet mot energilagringsapplikasjoner.
  • En fase II SBIR-oppfølgingspris for utvikling av multi-kV SiC-kraftenheter for høyspente strømforsyninger for høyeffekts RF-systemapplikasjoner tildelt av DOE Office of Science.
  • En fase I STTR-pris fokusert på optisk portet høyspenning, høyfrekvente SiC-strømenheter for miljøer rike på elektromagnetisk interferens, inkludert høyeffekts RF-energisystemer, og styrte energivåpensystemer.

Sammen med prisene, GeneSiC har nylig flyttet virksomheten til et utvidet laboratorium og kontorbygg i Dulles, Virginia, betydelig oppgradering av utstyret, infrastruktur og er i ferd med å legge til ytterligere nøkkelpersonell.

“GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder, sikkerhetskopierer det med tilgang til en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering og testing fasiliteter,” konkluderte Dr. Singh. “Vi føler at disse egenskapene har blitt effektivt validert av US DOE med disse nye og oppfølgende prisene.”

Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøke www.genesicsemi.com.