postet på

5Generasjon 650V SiC Schottky MPS ™ -dioder for best effektivitet i klassen

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLES, VA, Kan 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av silisiumkarbid (SiC) krafthalvlederenheter, kunngjør tilgjengeligheten av 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™ likerettere som setter opp en ny standard med sin overlegne pris-ytelsesindeks, bransjeledende overspenningsstrøm og skred robusthet, og produksjon av høy kvalitet.

"GeneSiC var en av de første SiC-produsentene som kommersielt leverte SiC Schottky-likerettere i 2011. Etter mer enn et tiår med levering av høyytelses og høykvalitets SiC-likerettere i industrien, vi er glade for å lansere vår 5. generasjon SiC Schottky MPS™ (Sammenslått-PiN-Schottky) dioder som tilbyr bransjeledende ytelse i alle aspekter for å oppfylle målene for høy effektivitet og strømtetthet i applikasjoner som server-/telekom-strømforsyninger og batteriladere. Den revolusjonerende funksjonen som gjør vår 5. generasjon (GE***-serien) SiC Schottky MPS™-dioder skiller seg ut blant sine jevnaldrende er den lave innebygde spenningen (også kjent som kne-spenning);det muliggjør laveste diodeledningstap ved alle belastningsforhold – avgjørende for applikasjoner som krever høyeffektiv energibruk. I motsetning til andre konkurrerende SiC-dioder også designet for å tilby lavkneegenskaper, en tilleggsfunksjon ved våre Gen5-diodedesign er at de fortsatt opprettholder det høye skrednivået (UIL) robusthet som kundene våre har forventet av GeneSiCs Gen3 (GC***-serien) og Gen4 (GD***-serien) SiC Schottky MPS ™” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice President of Technology i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Lav innebygd spenning – Laveste ledningstap for alle belastningsforhold
  • Overlegen fortjenestefigur – QC x VF
  • Optimal prisytelse
  • Forbedret overspenningsstrømkapasitet
  • 100% Snøskred (UIL) Testet
  • Lav termisk motstand for kjøledrift
  • Null forover og bakover gjenoppretting
  • Temperaturuavhengig rask veksling
  • Positiv temperaturkoeffisient for VF

applikasjoner –

  • Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
  • Server- og telekomstrømforsyninger
  • Solinvertere
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • Batteriladere
  • Frihjuling / Antiparallell diode i invertere

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

Høy strøm 650V, 1200V og 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i mini-modul SOT-227-pakke

DULLES, VA, Kan 11, 2019 — GeneSiC blir markedsleder innen høystrømskapasitet (100 A og 200 EN) SiC schottky-dioder i SOT-227 mini-modul

GeneSiC har introdusert GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 og GC2X100MPS06-227; bransjens høyest gjeldende 650V og 1700V SiC schottky dioder, legge til den eksisterende 1200V SiC schottky diode mini-modulporteføljen – GB2X50MPS12-227 og GB2X100MPS12-227. Disse SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultraraske utvinningsdioder, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, strømforsyninger til transport, høy strømretting og industrielle strømforsyninger.

I tillegg til den isolerte bunnplaten til SOT-227 minimodulpakken, disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets bilkvalifisert 6-tommers fabrikasjon og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger til andre dioder tilgjengelig i SOT-227 (mini-modul) pakke. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC lanserer en omfattende portefølje av sin tredje generasjon 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i TO-247-2-pakke

GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens best ytende 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomgående hullpakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultra-raske gjenopprettingsdioder og andre gamle generasjon 1700V SiC JBS, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, transportforsyning og fornybar energi.

GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC sammenslått-PiN-schottky-diode, bransjens høyeste nåværende diskrete SiC-effektdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets kvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger for andre dioder som er tilgjengelige i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.