postet på

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) har inngått en samarbeidsavtale med det GeneSiC Semiconductor-ledede teamet for utviklingen av det nye ultrahøyspente silisiumkarbiden (SiC) Tyristorbaserte enheter. Disse enhetene forventes å være nøkkelen muliggjører for integrering av storskala vind- og solkraftverk i neste generasjons Smart Grid.

"Denne svært konkurransedyktige prisen til GeneSiC vil tillate oss å utvide vår tekniske lederposisjon innen multi-kV silisiumkarbidteknologien, samt vår forpliktelse til alternative energiløsninger i nettskala med solid state-løsninger," kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer vi utvikler er nøkkelteknologien for realisering av fleksible AC-transmisjonssystemer (FAKTA) elementer og høyspennings likestrøm (HVDC) arkitekturer tenkt mot en integrert, effektiv, Fremtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserte tyristorer tilbyr 10 ganger høyere spenning, 100X raskere svitsjefrekvenser og høyere temperaturdrift i FACTS og HVDC strømbehandlingsløsninger sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer."

I April 2010, GeneSiC svarte på den smidige leveringen av elektrisk kraftteknologi (DYKTIG) oppfordring fra ARPA-E som forsøkte å investere i materialer for grunnleggende fremskritt innen høyspentsvitsjer som har potensiale til å hoppe over eksisterende kraftomformerytelse og samtidig tilby kostnadsreduksjoner. Selskapets forslag med tittelen "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power konvertering" ble valgt for å gi en lettvekts, solid-state, mellomspenningsenergikonvertering for høyeffektapplikasjoner som solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft. Innovasjoner som ble valgt var å støtte og promotere U.S. bedrifter gjennom teknologisk lederskap, gjennom en svært konkurransedyktig prosess.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med langt overlegne egenskaper enn konvensjonelt silisium, som evnen til å håndtere ti ganger spenningen – og hundre ganger strømmen – ved temperaturer så høye som 300ºC. Disse egenskapene gjør den ideell for høyeffektapplikasjoner som hybrid- og elektriske kjøretøy, fornybar energi (vind og sol) installasjoner, og kontrollsystemer for elektriske nett.

Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Andre lovende applikasjoner og fordeler for disse enhetene inkluderer:

  • Strømstyrings- og strømkondisjoneringssystemer for mellomspennings DC-konvertering ettersøkt under Future Naval Capability (FNC) fra US Navy, Elektromagnetiske utskytningssystemer, høyenergi våpensystemer og medisinsk bildebehandling. Den 10-100X høyere driftsfrekvensen tillater enestående forbedringer i størrelse, vekt, volum og til slutt, kostnadene ved slike systemer.
  • En rekke energilagring, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

“Vi har dukket opp som ledende innen ultrahøyspent SiC-teknologi ved å utnytte vår kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign med en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering, og testanlegg," konkluderer Dr. Singh. "GeneSiCs posisjon er nå effektivt validert av US DOE med denne betydelige oppfølgingsprisen."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategisk plassert i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjernewww.genesicsemi.com.