postet på

G3R ™ 750V SiC MOSFETs tilbyr enestående ytelse og pålitelighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordeler inkluderer lave nedgang i tilstanden ved driftstemperaturer, raskere byttehastigheter, økt effekttetthet, minimal ringing (lav EMI) og kompakt systemstørrelse. GeneSiCs G3R ™, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er optimalisert for å operere med laveste effekttap under alle driftsforhold og ultra-raske byttehastigheter. Disse enhetene har vesentlig bedre ytelsesnivåer enn moderne SiC MOSFET -er.

750V G3R SiC MOSFET

“Høyeffektiv energibruk har blitt en kritisk leveranse i neste generasjons kraftomformere, og SiC-enheter fortsetter å være nøkkelkomponentene som driver denne revolusjonen. Etter mange års utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden i staten og robuste kortslutnings- og skredytelser, Vi er glade for å gi ut bransjens best 750V SiC MOSFET -er. Våre G3R ™ gjør det mulig for elektronikkdesignere å møte den utfordrende effektiviteten, effekttetthet og kvalitetsmål i applikasjoner som solcelleomformere, EV innebygde ladere og server/telekom strømforsyninger. En sikret kvalitet, støttet av rask turn-around og bilkvalifisert høyvolumsproduksjon forsterker ytterligere deres verdiforslag. ” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Industriens laveste portavgift (SpørsmålG) og innvendig portmotstand (RG(INT))
  • Laveste R.DS(PÅ) endres med temperaturen
  • Lav utgangskapasitans (COSS) og mildere kapasitans (CGD)
  • 100% snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Bransjeledende kortslutningsevne
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav VF og lav QRR
  • Høy og stabil gate terskelspenning (VTH) på tvers av alle temperatur- og avløpsforhold
  • Avansert emballeringsteknologi for lavere termisk motstand og lavere ringing
  • Produksjonsuniformitet til RDS(PÅ), VTH og nedbrytningsspenning (BV)
  • Omfattende produktportefølje og tryggere forsyningskjede med bilkvalifisert produksjon i stort volum

applikasjoner –

  • Solar (PV) Omformere
  • EV / HEV innebygde ladere
  • Server & Telekommunikasjon
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • DC-DC-omformere
  • Switched Mode Strømforsyninger (SMPS)
  • Energilagring og batterilading
  • Induksjonsoppvarming

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel.

G3R60MT07J -750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07K -750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07D -750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handle SiC MOSFET

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiCs nye 3. generasjons SiC MOSFET med bransjens beste fortjeneste

DULLES, VA, februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors neste generasjon 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer som spenner fra 20 mΩ til 350 mΩ gir enestående ytelsesnivåer, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordelene inkluderer høyere effektivitet, raskere byttefrekvens, økt effekttetthet, redusert ringing (EMI) og kompakt systemstørrelse.

GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av sine bransjeledende 3. generasjons silisiumkarbid MOSFET-er som har bransjeledende ytelse, robusthet og kvalitet til å utnytte nivåer av effektivitet og systempålitelighet i bil- og industrielle applikasjoner.

Disse G3R ™ SiC MOSFETene, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.

“Etter år med utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden på stedet og forbedret kortslutningsytelse, Vi er glade for å frigjøre bransjens best ytende 1200V SiC MOSFET med over 15+ diskrete og bare chip-produkter. Hvis neste generasjons kraftelektronikksystemer skal møte den utfordrende effektiviteten, kraftdensitet og kvalitetsmål i applikasjoner som bilindustri, industriell, fornybar energi, transport, IT og telekom, da krever de betydelig forbedret enhetsytelse og pålitelighet sammenlignet med nåværende tilgjengelige SiC MOSFET-er” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjeneste – G3R ™ SiC MOSFETs har bransjens laveste motstand på stedet med en veldig lav portladning, som resulterer i 20% bedre fortjeneste enn noen annen lignende konkurrentenhet
  • Lavt ledningstap ved alle temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har den mykeste temperaturavhengigheten av motstand på stedet for å tilby svært lave ledningstap ved alle temperaturer; betydelig bedre enn noen andre grøft og plane SiC MOSFETer i markedet
  • 100 % skred testet – Robust UIL-evne er et kritisk krav for de fleste feltapplikasjoner. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskrete er 100 % snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Lav portladning og lav innvendig portmotstand – Disse parametrene er avgjørende for å realisere ultra-rask bytte og oppnå høyest effektivitet (lav Eon -Eoff) over et bredt spekter av applikasjonsbryterfrekvenser
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C – Alle GeneSiCs SiC MOSFETs er designet og produsert med toppmoderne prosesser for å levere produkter som er stabile og pålitelige under alle driftsforhold uten risiko for funksjonsfeil. Den overlegne gateoksidkvaliteten til disse enhetene forhindrer terskler (VTH) drift
  • Lav enhetskapasitans – G3R ™ er designet for å kjøre raskere og mer effektivt med lave enhetskapasiteter - Ciss, Coss og Crss
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav egenladning – GeneSiCs MOSFETs har referanseindeks for lav omvendt gjenopprettingskostnad (SpørsmålRR) ved alle temperaturer; 30% bedre enn noen tilsvarende rangert konkurrentenhet. Dette gir ytterligere reduksjon i strømtap og øker driftsfrekvensen
  • Brukervennlighet – G3R ™ SiC MOSFET er designet for å kjøres ved + 15V / -5V gate drive. Dette gir bredeste kompatibilitet med eksisterende kommersielle IGBT- og SiC MOSFET-portdrivere

applikasjoner –

  • Elektrisk kjøretøy – Motortog og lading
  • Solar inverter og energilagring
  • Industriell motorstasjon
  • Avbruddsfri strømforsyning (UPS)
  • Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
  • Toveis DC-DC-omformere
  • Smart Grid og HVDC
  • Induksjonsoppvarming og sveising
  • Pulsed Power Application

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel. Alle enhetene tilbys i industristandard D2PAK, TO-247 og SOT-227 pakker.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiCs 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs revolusjonerer miniatyriseringen av hjelpestrømforsyninger

DULLES, VA, desember 4, 2020 — GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av bransjeledende 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETer som er optimalisert for å oppnå enestående miniatyrisering, pålitelighet og energibesparelser i industriell husholdningskraft.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av en omfattende portefølje av Silicon Carbide (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av neste generasjons 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, og G2R1000MT33J. Disse SiC MOSFETene muliggjør overlegne ytelsesnivåer, basert på flaggskip Tall av fortjeneste (FoM) som forbedrer og forenkler kraftsystemer på tvers av energilagring, fornybar energi, industrielle motorer, generelle omformere og industriell belysning. Produkter utgitt er:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

GeneSiCs nye 3300V og 1700V SiC MOSFET, tilgjengelig i 1000mΩ og 450mΩ opsjoner som SMD og gjennomgående hullpakker, er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.

“I applikasjoner som 1500V solcelleomformere, MOSFET i hjelpestrømforsyning må kanskje tåle spenninger i området 2500V, avhengig av inngangsspenningen, svinger forholdet mellom transformatoren og utgangsspenningen. Høy MOSFET-sammenbruddsspenning tilveiebringer behovet for seriekoblede brytere i Flyback, Boost og Forward omformere og reduserer dermed antall deler og reduserer krets kompleksitet. GeneSiCs 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETs tillater designere å bruke enklere enkeltbryterbasert topologi og samtidig gi kundene pålitelig, kompakt og kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager hos GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Overlegen pris-ytelsesindeks
  • Flaggskip QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Lav egenkapasitet og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Høyt snøskred og kortslutnings robusthet
  • Referanseterskelspenning for normalt avstabil drift opp til 175 ° C

applikasjoner –

  • Fornybar energi (solomformere) og energilagring
  • Industrielle motorer (og bånd)
  • Generelle omformere
  • Industriell belysning
  • Piezo-drivere
  • Ion-beam generatorer

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.