postet på

G3R ™ 750V SiC MOSFETs tilbyr enestående ytelse og pålitelighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordeler inkluderer lave nedgang i tilstanden ved driftstemperaturer, raskere byttehastigheter, økt effekttetthet, minimal ringing (lav EMI) og kompakt systemstørrelse. GeneSiCs G3R ™, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er optimalisert for å operere med laveste effekttap under alle driftsforhold og ultra-raske byttehastigheter. Disse enhetene har vesentlig bedre ytelsesnivåer enn moderne SiC MOSFET -er.

750V G3R SiC MOSFET

“Høyeffektiv energibruk har blitt en kritisk leveranse i neste generasjons kraftomformere, og SiC-enheter fortsetter å være nøkkelkomponentene som driver denne revolusjonen. Etter mange års utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden i staten og robuste kortslutnings- og skredytelser, Vi er glade for å gi ut bransjens best 750V SiC MOSFET -er. Våre G3R ™ gjør det mulig for elektronikkdesignere å møte den utfordrende effektiviteten, effekttetthet og kvalitetsmål i applikasjoner som solcelleomformere, EV innebygde ladere og server/telekom strømforsyninger. En sikret kvalitet, støttet av rask turn-around og bilkvalifisert høyvolumsproduksjon forsterker ytterligere deres verdiforslag. ” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Industriens laveste portavgift (SpørsmålG) og innvendig portmotstand (RG(INT))
  • Laveste R.DS(PÅ) endres med temperaturen
  • Lav utgangskapasitans (COSS) og mildere kapasitans (CGD)
  • 100% snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Bransjeledende kortslutningsevne
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav VF og lav QRR
  • Høy og stabil gate terskelspenning (VTH) på tvers av alle temperatur- og avløpsforhold
  • Avansert emballeringsteknologi for lavere termisk motstand og lavere ringing
  • Produksjonsuniformitet til RDS(PÅ), VTH og nedbrytningsspenning (BV)
  • Omfattende produktportefølje og tryggere forsyningskjede med bilkvalifisert produksjon i stort volum

applikasjoner –

  • Solar (PV) Omformere
  • EV / HEV innebygde ladere
  • Server & Telekommunikasjon
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • DC-DC-omformere
  • Switched Mode Strømforsyninger (SMPS)
  • Energilagring og batterilading
  • Induksjonsoppvarming

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel.

G3R60MT07J -750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07K -750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07D -750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handle SiC MOSFET

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.