postet på

G3R ™ 750V SiC MOSFETs tilbyr enestående ytelse og pålitelighet

750V G3R SiC MOSFET

DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordeler inkluderer lave nedgang i tilstanden ved driftstemperaturer, raskere byttehastigheter, økt effekttetthet, minimal ringing (lav EMI) og kompakt systemstørrelse. GeneSiCs G3R ™, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er optimalisert for å operere med laveste effekttap under alle driftsforhold og ultra-raske byttehastigheter. Disse enhetene har vesentlig bedre ytelsesnivåer enn moderne SiC MOSFET -er.

750V G3R SiC MOSFET

“Høyeffektiv energibruk har blitt en kritisk leveranse i neste generasjons kraftomformere, og SiC-enheter fortsetter å være nøkkelkomponentene som driver denne revolusjonen. Etter mange års utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden i staten og robuste kortslutnings- og skredytelser, Vi er glade for å gi ut bransjens best 750V SiC MOSFET -er. Våre G3R ™ gjør det mulig for elektronikkdesignere å møte den utfordrende effektiviteten, effekttetthet og kvalitetsmål i applikasjoner som solcelleomformere, EV innebygde ladere og server/telekom strømforsyninger. En sikret kvalitet, støttet av rask turn-around og bilkvalifisert høyvolumsproduksjon forsterker ytterligere deres verdiforslag. ” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Industriens laveste portavgift (SpørsmålG) og innvendig portmotstand (RG(INT))
  • Laveste R.DS(PÅ) endres med temperaturen
  • Lav utgangskapasitans (COSS) og mildere kapasitans (CGD)
  • 100% snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Bransjeledende kortslutningsevne
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav VF og lav QRR
  • Høy og stabil gate terskelspenning (VTH) på tvers av alle temperatur- og avløpsforhold
  • Avansert emballeringsteknologi for lavere termisk motstand og lavere ringing
  • Produksjonsuniformitet til RDS(PÅ), VTH og nedbrytningsspenning (BV)
  • Omfattende produktportefølje og tryggere forsyningskjede med bilkvalifisert produksjon i stort volum

applikasjoner –

  • Solar (PV) Omformere
  • EV / HEV innebygde ladere
  • Server & Telekommunikasjon
  • Uavbrutt strømforsyning (UPS)
  • DC-DC-omformere
  • Switched Mode Strømforsyninger (SMPS)
  • Energilagring og batterilading
  • Induksjonsoppvarming

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel.

G3R60MT07J -750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07K -750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handle SiC MOSFET

G3R60MT07D -750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handle SiC MOSFET

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) har inngått en samarbeidsavtale med det GeneSiC Semiconductor-ledede teamet for utviklingen av det nye ultrahøyspente silisiumkarbiden (SiC) Tyristorbaserte enheter. Disse enhetene forventes å være nøkkelen muliggjører for integrering av storskala vind- og solkraftverk i neste generasjons Smart Grid.

"Denne svært konkurransedyktige prisen til GeneSiC vil tillate oss å utvide vår tekniske lederposisjon innen multi-kV silisiumkarbidteknologien, samt vår forpliktelse til alternative energiløsninger i nettskala med solid state-løsninger," kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer vi utvikler er nøkkelteknologien for realisering av fleksible AC-transmisjonssystemer (FAKTA) elementer og høyspennings likestrøm (HVDC) arkitekturer tenkt mot en integrert, effektiv, Fremtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserte tyristorer tilbyr 10 ganger høyere spenning, 100X raskere svitsjefrekvenser og høyere temperaturdrift i FACTS og HVDC strømbehandlingsløsninger sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer."

I April 2010, GeneSiC svarte på den smidige leveringen av elektrisk kraftteknologi (DYKTIG) oppfordring fra ARPA-E som forsøkte å investere i materialer for grunnleggende fremskritt innen høyspentsvitsjer som har potensiale til å hoppe over eksisterende kraftomformerytelse og samtidig tilby kostnadsreduksjoner. Selskapets forslag med tittelen "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power konvertering" ble valgt for å gi en lettvekts, solid-state, mellomspenningsenergikonvertering for høyeffektapplikasjoner som solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft. Innovasjoner som ble valgt var å støtte og promotere U.S. bedrifter gjennom teknologisk lederskap, gjennom en svært konkurransedyktig prosess.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med langt overlegne egenskaper enn konvensjonelt silisium, som evnen til å håndtere ti ganger spenningen – og hundre ganger strømmen – ved temperaturer så høye som 300ºC. Disse egenskapene gjør den ideell for høyeffektapplikasjoner som hybrid- og elektriske kjøretøy, fornybar energi (vind og sol) installasjoner, og kontrollsystemer for elektriske nett.

Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Andre lovende applikasjoner og fordeler for disse enhetene inkluderer:

  • Strømstyrings- og strømkondisjoneringssystemer for mellomspennings DC-konvertering ettersøkt under Future Naval Capability (FNC) fra US Navy, Elektromagnetiske utskytningssystemer, høyenergi våpensystemer og medisinsk bildebehandling. Den 10-100X høyere driftsfrekvensen tillater enestående forbedringer i størrelse, vekt, volum og til slutt, kostnadene ved slike systemer.
  • En rekke energilagring, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

“Vi har dukket opp som ledende innen ultrahøyspent SiC-teknologi ved å utnytte vår kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign med en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering, og testanlegg," konkluderer Dr. Singh. "GeneSiCs posisjon er nå effektivt validert av US DOE med denne betydelige oppfølgingsprisen."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategisk plassert i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjernewww.genesicsemi.com.