GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.
The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.
I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.
