High Voltage assemblies to benefit from these low capacitance rectifiers offering temperature-independent zero reverse recovery currents in isolated packages
Thief River Falls/Dulles, Virginia., Kan 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors announce the immediate availability of 3300 V/0.3 Ampere SiC Schottky Rectifiers – the GAP3SLT33-220FP. This unique product represents the highest voltage SiC rectifier on the market, and is specifically targeted towards voltage multiplier circuits and high voltage assemblies used in a wide range of X-Ray, Laser og partikkelgenerator strømforsyninger.
Contemporary voltage multiplier circuits suffer from low circuit efficiencies and large sizes because the reverse recovery currents from Silicon rectifiers discharge the parallel connected capacitors. Ved høyere likeretterkrysstemperaturer, denne situasjonen blir verre fordi den omvendte gjenvinningsstrømmen i silisiumlikerettere øker med temperaturen. Med termiske begrensninger høyspenningsenheter, overgangstemperaturer stiger ganske lett selv når beskjedne strømmer passeres. High Voltage SiC rectifiers offer unique characteristics that promises to revolutionize the high voltage assemblies. GeneSiC 3300 V/0.3 A Schottky-likerettere har null reverseringsstrøm som ikke endres med temperaturen. This relatively high voltage in a single device allows a reduction in voltage multiplication stages required in typical high voltage generator circuits, through use of higher AC input voltages. The near-ideal switching characteristics allow the elimination/dramatic reduction of voltage balancing networks and snubber circuits. The TO-220 Full Pack overmolded isolated package features industry-standard form factor with increased pin spacing in through hole assemblies.
“This product offering comes from years of sustained efforts at GeneSiC. We believe the 3300 V rating is a key differentiator for the high voltage generator market, and will allow significant benefits to our customers. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Schottky Rectifiers enables this breakthrough product” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
3300 V/0.3 A SiC Rectifier Technical Highlights
- On-state Drop of 1.7 V at 0.3 EN
- Positive temperature coefficient on VF
- Tjmax = 175DeC
- Capacitive charge 52 nC (typical).
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS compliant industry-standard TO-220FP (Full Pack) pakker. The devices are immediately available from GeneSiC’s Authorized Distributor, Digikey.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, please visit www.genesicsemi.com
