GeneSiC trives med å levere best kundedrevne design mulig ved å tilby SiC-kraftenheter med overlegen pris-ytelsesindeks, høy robusthet og høy kvalitet.
Søknader inkluderer:
- Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
- Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
- Elektriske kjøretøy – Krafttog, DC-DC omformer og innebygd lading
- Ekstrem hurtigladningsinfrastruktur
- Solcelleomformere og energilagring
- Trekkraft
- Datasenter strømforsyninger
- Induksjonsoppvarming og sveising
- Høyspennings DC-DC-omformere
- Frihjuling / Antiparallell diode
- LED og HID belysning
- Medisinske bildesystemer
- Olje borekraft omformere
- Høyspenningsregistrering
- Pulsed Power
Besøk www.genesicsemi.com/applications å lære mer!
For høyspenningsregistreringsapplikasjoner som DE-SAT-beskyttelse og høysidebryterportdrev-bootstrap-kretser, DO-214 og TO-252-2-pakkene er ideelle løsninger.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3-pakken gir stor fleksibilitet for høyere effekttetthet og BOM-reduksjon i applikasjoner som effektfaktorkorreksjon (PFC) inter som deler en felles katode mellom to dioder.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Søknadsmerknader:
Sorry, no posts were found.
Tekniske artikler:
Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
September, 2011 Hybrid Si-IGBT/SiC Rectifier co-packs and SiC JBS Rectifiers
12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
September, 2011 12.9 kV SiC PiN Diodes with Low On-State Drops and High Carrier Lifetimes
1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
juli, 2012 1200 V SiC Schottky Rectifiers optimized for ≥ 250 °C operation with lowest-in-class junction capacitance
15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation
Mar, 2013 15 kV SiC PiN diodes achieve 95% of avalanche limit and stable long-term operation