GeneSiC trives med å levere best kundedrevne design mulig ved å tilby SiC-kraftenheter med overlegen pris-ytelsesindeks, høy robusthet og høy kvalitet.
Søknader inkluderer:
- Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
- Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
- Elektriske kjøretøy – Krafttog, DC-DC omformer og innebygd lading
- Ekstrem hurtigladningsinfrastruktur
- Solcelleomformere og energilagring
- Trekkraft
- Datasenter strømforsyninger
- Induksjonsoppvarming og sveising
- Høyspennings DC-DC-omformere
- Frihjuling / Antiparallell diode
- LED og HID belysning
- Medisinske bildesystemer
- Olje borekraft omformere
- Høyspenningsregistrering
- Pulsed Power
Besøk www.genesicsemi.com/applications å lære mer!
For høyspenningsregistreringsapplikasjoner som DE-SAT-beskyttelse og høysidebryterportdrev-bootstrap-kretser, DO-214 og TO-252-2-pakkene er ideelle løsninger.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
TO-247-3-pakken gir stor fleksibilitet for høyere effekttetthet og BOM-reduksjon i applikasjoner som effektfaktorkorreksjon (PFC) inter som deler en felles katode mellom to dioder.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Søknadsmerknader:
AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvariative barrierehøyder og idealitetsfaktorer
Okt 2010 AN-1 1200 V Schottky-dioder med temperaturvariative barrierehøyder og idealitetsfaktorer
AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med ultra-lav kapasitiv omvendt gjenopprettingslading for hurtigbytterapplikasjoner
Okt 2010 AN-2 1200 V SiC JBS-dioder med ultra-lav kapasitiv omvendt gjenopprettingslading for hurtigbytterapplikasjoner
AN1001 SiC Power Diode Pålitelighet
september, 2018AN1001 SiC Power Diode Pålitelighet
AN1002 Forstå databladet til en SiC Power Schottky-diode
september, 2018AN1002 Forstå databladet til en SiC Power Schottky-diode
AN1003 SPICE-bruksanvisning
desember, 2018AN1003 SPICE-bruksanvisning
Tekniske artikler:
High Power SiC PiN-likerettere
Des, 2005 High Power SiC PiN-likerettere
SiC PiN-likerettere med høy effekt
Jun, 2007 SiC PiN-likerettere med høy effekt
Rask nøytrondeteksjon med silisiumkarbid halvisolerende detektorer
Jun, 2008 Rask nøytrondeteksjon med silisiumkarbid halvisolerende detektorer
Utvikling av strålingsdetektorer basert på halvisolerende silisiumkarbid
Okt, 2008 Utvikling av strålingsdetektorer basert på halvisolerende silisiumkarbid
Korrelasjon mellom levetid for bærerekombinasjon og spenningsfall i 4H-SiC PiN-dioder
September, 2010 Korrelasjon mellom levetid for bærerekombinasjon og spenningsfall i 4H-SiC PiN-dioder