GeneSiC Semiconductor, Inc - Energieffektivitet gjennom innovasjon

GeneSiCs G3R ™ SiC MOSFETs har bransjeledende ytelse innen høyspennings bytte til sele som aldri før har sett nivåer av effektivitet, høy temperatur drift og system pålitelighet.

Egenskaper:

  • G3R ™ -teknologi for +15 V Gate Drive
  • Superior QG x RDS(PÅ) Figur av fortjeneste
  • Lav port ladning og enhetens kapasiteter
  • Lavt ledertap ved høy temperatur
  • Superior Avalanche and Short Circuit Ruggedness
  • Normalt av Stabil drift opp til 175 ° C
  • Rask og pålitelig kroppsdiode
  • Optimalisert emballasje med Kelvin Source Connection

fordeler:

  • Overlegen kostnadseffektivitetsindeks
  • Økt effekttetthet for kompakt system
  • Lav intern RG for høy bryterfrekvensdrift
  • Redusert tap for høyere systemeffektivitet
  • Minimalisert portring
  • Forbedrede termiske evner
  • Enkel å kjøre
  • Enkel parallellisering uten termisk runaway

applikasjoner:

  • Elektriske kjøretøy - Motortog og lading
  • Solcelleomformere og energilagring
  • Smart Grid og HVDC
  • Motordrev
  • Høyspennings DC-DC og AC-DC omformere
  • Induksjonsoppvarming og sveising
  • Switched Mode Strømforsyninger
  • Pulserende kraftapplikasjoner

750V SiC MOSFET

På motstand, RDS(PÅ)Bare ChipTO-263-7TO-247-3TIL-247-4
10 mΩG3R10MT07-CAL
12 mΩG4R12MT07-CAU
60 mΩG3R60MT07JG3R60MT07DG3R60MT07K

1200V SiC MOSFET

1700V SiC MOSFET

På motstand, RDS(PÅ)Bare ChipTO-263-7TO-247-3TIL-247-4SOT-227
20 mΩG3R20MT17-CAL G3R20MT17K G3R20MT17N
45 mΩG3R45MT17-CAL G3R45MT17D G3R45MT17K
160 mΩG3R160MT17J G3R160MT17D
450 mΩG3R450MT17J G3R450MT17D
1000 mΩG2R1000MT17JG2R1000MT17D

3300V SiC MOSFET

På motstand, RDS(PÅ)Bare ChipTO-263-7TIL-247-4
50 mΩG2R50MT33-CAL G2R50MT33K
120 mΩG2R120MT33J
1000 mΩG2R1000MT33J

6500V SiC MOSFET

På motstand, RDS(PÅ)Bare Chip
300 mΩG2R300MT65-CAL
325 mΩG2R325MS65-CAL
GeneSiC Semiconductor, Inc