Last ned veiledningen for produktvelger
GeneSiCs G3R ™ SiC MOSFETs har bransjeledende ytelse innen høyspennings bytte til sele som aldri før har sett nivåer av effektivitet, høy temperatur drift og system pålitelighet.
Egenskaper:
- G3R ™ -teknologi for +15 V Gate Drive
- Superior QG x RDS(PÅ) Figur av fortjeneste
- Lav port ladning og enhetens kapasiteter
- Lavt ledertap ved høy temperatur
- Superior Avalanche and Short Circuit Ruggedness
- Normalt av Stabil drift opp til 175 ° C
- Rask og pålitelig kroppsdiode
- Optimalisert emballasje med Kelvin Source Connection
fordeler:
- Overlegen kostnadseffektivitetsindeks
- Økt effekttetthet for kompakt system
- Lav intern RG for høy bryterfrekvensdrift
- Redusert tap for høyere systemeffektivitet
- Minimalisert portring
- Forbedrede termiske evner
- Enkel å kjøre
- Enkel parallellisering uten termisk runaway
applikasjoner:
- Elektriske kjøretøy - Motortog og lading
- Solcelleomformere og energilagring
- Smart Grid og HVDC
- Motordrev
- Høyspennings DC-DC og AC-DC omformere
- Induksjonsoppvarming og sveising
- Switched Mode Strømforsyninger
- Pulserende kraftapplikasjoner
750V SiC MOSFET
1200V SiC MOSFET
1700V SiC MOSFET
3300V SiC MOSFET
6500V SiC MOSFET