DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) enheter som vil tjene som viktige muliggjører for vind- og solenergi-integrasjon med landets strømnett.
"Disse prisene demonstrerer DOEs tillit til GeneSiCs evner, samt forpliktelsen til alternative energiløsninger," bemerker Dr. Ranbir Singh, president i GeneSiC. «En integrert, Effektivt strømnett er avgjørende for nasjonens energifremtid - og SiC-enhetene vi utvikler er avgjørende for å overvinne ineffektiviteten til konvensjonelle silisiumteknologier."
Den første prisen er en $750k fase II SBIR-stipend for utvikling av fast, ultrahøyspente SiC bipolare enheter. Den andre er en fase II STTR-bevilgning på $750 000 for utvikling av optisk gatede SiC-svitsjer med høy effekt.
Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med evnen til å håndtere 10x spenningen og 100x strømmen til silisium, gjør den ideell til bruk med høy effekt som fornybar energi (vind og sol) installasjoner og elektriske nettkontrollsystemer.
nærmere bestemt, de to prisene er for:
- Utvikling av høyfrekvente, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) strøm enheter. Offentlige og kommersielle applikasjoner inkluderer strømstyrings- og kondisjoneringssystemer for skip, bruksindustrien, og medisinsk bildediagnostikk.
- Design og fabrikasjon av optisk gated høyspenning, høyeffekt SiC-svitsjenheter. Å bruke fiberoptikk for å bytte strøm er en ideell løsning for miljøer plaget av elektromagnetisk interferens (EMI), og applikasjoner som krever ultrahøye spenninger.
SiC-enhetene GeneSiC utvikler tjener en rekke energilagring, kraftnettet, og militære applikasjoner, som får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.
Basert utenfor Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, felteffekttransistorer (FET-er) og bipolare enheter, samt partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.
