DULLES, VA, juni 04, 2021 — GeneSiCs neste generasjon 750V G3R ™ SiC MOSFETer vil levere ytelse uten sidestykke, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordeler inkluderer lave nedgang i tilstanden ved driftstemperaturer, raskere byttehastigheter, økt effekttetthet, minimal ringing (lav EMI) og kompakt systemstørrelse. GeneSiCs G3R ™, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er optimalisert for å operere med laveste effekttap under alle driftsforhold og ultra-raske byttehastigheter. Disse enhetene har vesentlig bedre ytelsesnivåer enn moderne SiC MOSFET -er.
“Høyeffektiv energibruk har blitt en kritisk leveranse i neste generasjons kraftomformere, og SiC-enheter fortsetter å være nøkkelkomponentene som driver denne revolusjonen. Etter mange års utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden i staten og robuste kortslutnings- og skredytelser, Vi er glade for å gi ut bransjens best 750V SiC MOSFET -er. Våre G3R ™ gjør det mulig for elektronikkdesignere å møte den utfordrende effektiviteten, effekttetthet og kvalitetsmål i applikasjoner som solcelleomformere, EV innebygde ladere og server/telekom strømforsyninger. En sikret kvalitet, støttet av rask turn-around og bilkvalifisert høyvolumsproduksjon forsterker ytterligere deres verdiforslag. ” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.
Egenskaper –
- Industriens laveste portavgift (SpørsmålG) og innvendig portmotstand (RG(INT))
- Laveste R.DS(PÅ) endres med temperaturen
- Lav utgangskapasitans (COSS) og mildere kapasitans (CGD)
- 100% snøskred (UIL) testet under produksjon
- Bransjeledende kortslutningsevne
- Rask og pålitelig kroppsdiode med lav VF og lav QRR
- Høy og stabil gate terskelspenning (VTH) på tvers av alle temperatur- og avløpsforhold
- Avansert emballeringsteknologi for lavere termisk motstand og lavere ringing
- Produksjonsuniformitet til RDS(PÅ), VTH og nedbrytningsspenning (BV)
- Omfattende produktportefølje og tryggere forsyningskjede med bilkvalifisert produksjon i stort volum
applikasjoner –
- Solar (PV) Omformere
- EV / HEV innebygde ladere
- Server & Telekommunikasjon
- Uavbrutt strømforsyning (UPS)
- DC-DC-omformere
- Switched Mode Strømforsyninger (SMPS)
- Energilagring og batterilading
- Induksjonsoppvarming
Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel.
G3R60MT07J -750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handle SiC MOSFET
G3R60MT07K -750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handle SiC MOSFET
G3R60MT07D -750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handle SiC MOSFET
For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ eller kontakt sales@genesicsemi.com
Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
