Rask modning av SiC Junction-transistorer med nåværende gevinst (b) > 130, Blokkering av spenninger opp til 2700 V og stabil langvarig drift
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Driving SiC Junction Transistors (SJT) med IGBT-portdrivere av silisium: Enkeltnivå kjørekonsept
1200 V-klasse 4H-SiC “Super” Kryss -transistorer med nåværende gevinster på 88 og ultra-rask byttefunksjon