Multi-kHz, Ultra-høyspent silisiumkarbidtyristorer ble testet til amerikanske forskere
DULLES, VA, november 1, 2010 –I et første tilbud i sitt slag, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…
GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter
DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
Fornybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 millioner fra US Department of Energy
DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) devices that…
GeneSiC Semiconductor tildelt flere amerikanske Department of Energy SBIR og STTR-tilskudd
DULLES, VA, oktober 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., en raskt stigende innovatør av høy temperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, kunngjorde at er blitt tildelt tre separate…