DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) har inngått en samarbeidsavtale med det GeneSiC Semiconductor-ledede teamet for utviklingen av det nye ultrahøyspente silisiumkarbiden (SiC) Tyristorbaserte enheter. Disse enhetene forventes å være nøkkelen muliggjører for integrering av storskala vind- og solkraftverk i neste generasjons Smart Grid.
"Denne svært konkurransedyktige prisen til GeneSiC vil tillate oss å utvide vår tekniske lederposisjon innen multi-kV silisiumkarbidteknologien, samt vår forpliktelse til alternative energiløsninger i nettskala med solid state-løsninger," kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer vi utvikler er nøkkelteknologien for realisering av fleksible AC-transmisjonssystemer (FAKTA) elementer og høyspennings likestrøm (HVDC) arkitekturer tenkt mot en integrert, effektiv, Fremtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserte tyristorer tilbyr 10 ganger høyere spenning, 100X raskere svitsjefrekvenser og høyere temperaturdrift i FACTS og HVDC strømbehandlingsløsninger sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer."
I April 2010, GeneSiC svarte på den smidige leveringen av elektrisk kraftteknologi (DYKTIG) oppfordring fra ARPA-E som forsøkte å investere i materialer for grunnleggende fremskritt innen høyspentsvitsjer som har potensiale til å hoppe over eksisterende kraftomformerytelse og samtidig tilby kostnadsreduksjoner. Selskapets forslag med tittelen "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power konvertering" ble valgt for å gi en lettvekts, solid-state, mellomspenningsenergikonvertering for høyeffektapplikasjoner som solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft. Innovasjoner som ble valgt var å støtte og promotere U.S. bedrifter gjennom teknologisk lederskap, gjennom en svært konkurransedyktig prosess.
Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med langt overlegne egenskaper enn konvensjonelt silisium, som evnen til å håndtere ti ganger spenningen – og hundre ganger strømmen – ved temperaturer så høye som 300ºC. Disse egenskapene gjør den ideell for høyeffektapplikasjoner som hybrid- og elektriske kjøretøy, fornybar energi (vind og sol) installasjoner, og kontrollsystemer for elektriske nett.
Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Andre lovende applikasjoner og fordeler for disse enhetene inkluderer:
- Strømstyrings- og strømkondisjoneringssystemer for mellomspennings DC-konvertering ettersøkt under Future Naval Capability (FNC) fra US Navy, Elektromagnetiske utskytningssystemer, høyenergi våpensystemer og medisinsk bildebehandling. Den 10-100X høyere driftsfrekvensen tillater enestående forbedringer i størrelse, vekt, volum og til slutt, kostnadene ved slike systemer.
- En rekke energilagring, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.
GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.
“Vi har dukket opp som ledende innen ultrahøyspent SiC-teknologi ved å utnytte vår kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign med en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering, og testanlegg," konkluderer Dr. Singh. "GeneSiCs posisjon er nå effektivt validert av US DOE med denne betydelige oppfølgingsprisen."
Om GeneSiC Semiconductor
Strategisk plassert i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjernewww.genesicsemi.com.
