GeneSiC utgivelser 25 mOhm/1700 V silisiumkarbidtransistorer

SiC-svitsjer med laveste ledningstap og overlegen kortslutningsevne frigitt for høyfrekvente strømkretser

Dulles, Virginia., Okt 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie med lav-motstand 1700V og 1200 V SiC Junction Transistorer i TO-247-pakker. Bruk av høyspenning, høy frekvens, SiC Junction-transistorer med høy temperatur og lav motstand vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volumet til kraftelektronikkapplikasjoner som krever høyere bussspenninger. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert DC-mikronett, Hurtigladere for kjøretøy, server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solomformere, Vindkraftsystemer, og industrielle motorkontrollsystemer.

SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne (ligner på SiC MOSFET-er), et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli kjørt av kommersielle portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >10 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne

“Disse forbedrede SJT-ene tilbyr mye høyere strømgevinster (>100), svært stabil og robust ytelse sammenlignet med andre SiC-svitsjer. GeneSiCs SJT-er tilbyr ekstremt lave ledningstap ved nominelle strømmer som overlegne avslåingstap i strømkretser. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs transistorprodukter hjelper designere med å oppnå en mer robust løsning,” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1700 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

1200 V SiC Junction Transistor utgitt

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• Nåværende gevinst (h_FE) >90
• T_jmax = 175^DeC
• Slå på/av; Tider for stigning/fall <30 nanosekunder typisk.

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

For mer informasjon, vennligst besøk https://192.168.88.14/kommersielle-sic/sic-junction-transistors/