Høy temperatur (>210DeC) Koblingstransistorer og likerettere i metallbokspakker med liten formfaktor gir revolusjonerende ytelsesfordeler til en rekke bruksområder, inkludert forsterkning, lavstøykretser og nedihulls aktuatorkontroller
DULLES, VA, mars 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en serie kompakte, høytemperatur SiC Junction-transistorer samt en linje med likerettere i TO-46 metallbokspakker. Disse diskrete komponentene er designet og produsert for å fungere under omgivelsestemperaturer over 215DeC. Bruk av høy temperatur, SiC-transistorer og likerettere med høy spenning og lav motstand vil redusere størrelsen/vekten/volumet til elektronikkapplikasjoner som krever høyere effekthåndtering ved høye temperaturer. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert et bredt utvalg av nedihullskretser, geotermisk instrumentering, solenoidaktivering, generell forsterkning, og byttet modus strømforsyninger.
Høytemperatur SiC Junction Transistorer (SJT) tilbudt av GeneSiC utstilling under 10 nsec stige/fall ganger muliggjør >10 MHz-svitsjing samt et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA). De forbigående energitapene og koblingstidene er uavhengige av overgangstemperaturen. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å bli drevet av 0/+5 V TTL gate drivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Unike fordeler med SJT i motsetning til andre SiC-svitsjer er dens høyere langsiktige pålitelighet, >20 usec kortslutningsevne, og overlegen snøskredevne. Disse enhetene kan brukes som effektive forsterkere da de lover en mye høyere linearitet enn noen annen SiC-svitsj.
Høytemperatur SiC Schottky-likerettere som tilbys av GeneSiC viser lave spenningsfall i tilstanden, og industriens laveste lekkasjestrøm ved høye temperaturer. Med temperaturuavhengig, nesten null omvendt gjenopprettingssvitsjekarakteristikk, SiC Schottky likerettere er ideelle kandidater for bruk med høy effektivitet, høytemperaturkretser. TO-46 metallbokspakninger samt tilhørende pakkeprosesser som brukes til å lage disse produktene muliggjør kritisk langtidsbruk der høy pålitelighet er kritisk.
“GeneSiCs transistor- og likeretterprodukter er designet og produsert fra bakken og opp for å muliggjøre høytemperaturdrift. Disse kompakte TO-46-pakkede SJT-ene tilbyr høye strømforsterkning (>110), 0/+5 V TTL kontroll, og robust ytelse. Disse enhetene tilbyr lave ledningstap og høy linearitet. Vi designer vår "SHT" linje med likerettere, å tilby lave lekkasjestrømmer ved høye temperaturer. Disse metallboksemballerte produktene forsterker TO-257 og metall SMD-produkter utgitt i fjor for å tilby liten formfaktor, vibrasjonsbestandige løsninger” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.
Produkter utgitt i dag inkluderer:
240 mOhm SiC Junction Transistorer:
- 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT03-46
- 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GA05JT01-46
- Nåværende gevinst (hFE) >110
- Tjmax = 210DeC
- Slå på/av; Tider for stigning/fall <10 nanosekunder typisk.
Opp til 4 Ampere Schottky-dioder med høy temperatur:
- 600 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT06-46
- 300 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT03-46
- 100 V blokkeringsspenning. Delenummer GB02SHT01-46
- Total kapasitiv ladning 9 nC
- Tjmax = 210DeC.
Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i metallboks TO-46-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelige fra GeneSiCs autoriserte distributører.
Om GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisiumdiodemoduler. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, nedihulls oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.
For mer informasjon, besøk gjerne https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; og https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.
