1200 V-klasse 4H-SiC “Super” Kryss -transistorer med nåværende gevinster på 88 og ultra-rask byttefunksjon
1200 V SiC “Super” Junction Transistors som opererer på 250 ° C med ekstremt lave energitap for strømkonvertering
Utnytter løftet om høy temperatur om SiC
Utnytter løftet om høy temperatur om SiC