postet på

Hybrid SiC Schottky Rectifier/Si IGBT Modules from GeneSiC enables 175°C operation

DULLES, VA, mars 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its second generation hybrid mini-modules using 1200 V/100 Amperes SiC Schottky Rectifiers with rugged Silicon IGBTs – the GB100XCP12-227. The performance-price point at which this product is being released allows many power conversion applications to benefit from the reduction of the cost/size/weight/volume that neither Silicon IGBT/ Silicon Rectifier solution, nor a pure SiC Module can offer. These devices are targeted for use in a wide variety of applications including industrial motors, solomformere, specialized equipment and power grid applications.

SiC Schottky/Si IGBT mini-modules (Co-packs) offered by GeneSiC are made with Si IGBTs that exhibit positive temperature coefficient of on-state drop, robust punchthrough design, high temperature operation and fast switching characteristics that are capable of being driven by commercial, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere. The SiC rectifiers used in these Co-pack modules allow extremely low inductance packages, low on-state voltage drop and no reverse recovery. The SOT-227 package offers isolated baseplate, 12mm low profile design that can be used very flexibly as a standalone circuit element, high current paralleled configuration, a Phase Leg (two modules), or as a chopper circuit element.

“We listened to our key customers since the initial offering of this product almost 2 years back. This second generation 1200 V/100 A Co-pack product has a low inductance design that is suitable for high frequency, high temperature applications. The poor high temperature and reverse recovery characteristics of Silicon diodes critically limits the use of IGBTs at higher temperatures. GeneSiC’s low VF, low capacitance SiC Schottky Diodes enable this breakthrough product” sa Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor.

1200 V/100 A Si IGBT/SiC Rectifier Technical Highlights

  • On-state Drop of 1.9 V at 100 EN
  • Positive temperature coefficient on VF
  • Tjmax = 175°C
  • Turn-On Energy Losses 23 microJoules (typical).

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS compliant industry-standard SOT-227 packages. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

Om GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter, og global leverandør av et bredt spekter av krafthalvledere. Dens portefølje av enheter inkluderer SiC-basert likeretter, transistor, og tyristorprodukter, samt silisium likeretterprodukter. GeneSiC har utviklet omfattende åndsverk og teknisk kunnskap som omfatter de siste fremskrittene innen SiC-kraftenheter, med produkter rettet mot alternativ energi, bilindustrien, ned ole oljeboring, Motor kontroll, strømforsyning, transport, og avbruddsfri strømforsyning. GeneSiC har oppnådd en rekke forsknings- og utviklingskontrakter fra amerikanske myndigheter, inkludert ARPA-E, Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, DTRA, og Department of Homeland Security, samt store statlige hovedentreprenører. I 2011, selskapet vant den prestisjetunge R&D100-pris for kommersialisering av ultrahøyspent SiC-tyristorer.

postet på

GeneSiC introduserer Silicon Carbide Junction Transistorer

DULLES, VA, februar 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) krafthalvledere kunngjør i dag den umiddelbare tilgjengeligheten av en familie på 1700V og 1200 V SiC Junction Transistorer. Inneholder høy spenning, høyfrekvens- og høytemperaturkompatible SiC Junction-transistorer vil øke konverteringseffektiviteten og redusere størrelsen/vekten/volum av kraftelektronikk. Disse enhetene er målrettet for bruk i en lang rekke applikasjoner, inkludert server, strømforsyninger for telekom og nettverk, avbruddsfri strømforsyning, solomformere, industrielle motorkontrollsystemer, og nedihullsapplikasjoner.

Junction Transistorer som tilbys av GeneSiC viser ultrarask svitsjingsevne, et firkantet omvendt forspent trygt operasjonsområde (RBSOA), samt temperaturuavhengige forbigående energitap og koblingstider. Disse bryterne er gate-oksidfrie, normalt av, viser positiv temperaturkoeffisient for på-motstand, og er i stand til å drives av kommersielle, vanlig tilgjengelig 15 V IGBT-portdrivere, i motsetning til andre SiC-svitsjer. Samtidig som den tilbyr kompatibilitet med SiC JFET-drivere, Junction Transistorer kan lett parallellkobles på grunn av deres matchende transientegenskaper.

“Mens kraftsystemdesignere fortsetter å presse grensene for driftsfrekvens, mens de fortsatt krever høy kretseffektivitet, behovet SiC-svitsjer som kan tilby en standard for ytelse og produksjonsenhet. Bruker den unike enheten og fabrikasjonsinnovasjoner, GeneSiCs transistorprodukter hjelper designere med å oppnå alt dette i en mer robust løsning,” sa Dr.. Ranbir Singh , President for GeneSiC Semiconductor.

1700 V Junction Transistor Tekniske høydepunkter

  • Tre tilbud – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); og 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Slå på/av stige-/falltider <50 nanosekunder typisk.

1200 V Junction Transistor Tekniske høydepunkter

  • To tilbud – 220 mOhms (GA06JT12-247); og 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175°C
  • Slå på/av stige-/falltider <50 nanosekunder typisk

Alle enheter er 100% testet til full spenning/strøm og plassert i halogenfri, RoHS-kompatible TO-247-pakker. Enhetene er umiddelbart tilgjengelig fra GeneSiCs autoriserte distributører.

postet på

Ny fysikk lar tyristor nå høyere nivå

DULLES, VA, august 30, 2011 – Ny fysikk lar tyristorer nå høyere nivå

Et elektrisk strømnett leverer pålitelig strøm ved hjelp av elektroniske enheter som sikrer jevn, pålitelig kraftflyt. Inntil nå, silisiumbaserte sammenstillinger har vært avhengig av, men de har ikke vært i stand til å håndtere kravene til det smarte nettet. Materialer med bredt bånd som silisiumkarbid (SiC) tilbyr et bedre alternativ siden de er i stand til høyere byttehastigheter, en høyere sammenbruddsspenning, lavere byttetap, og en høyere overgangstemperatur enn tradisjonelle silisiumbaserte brytere. Den første slike SiC-baserte enheten som nådde markedet er ultrahøyspent silisiumkarbidtyristor (SiC tyristor), utviklet av GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., med støtte fra Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., USA. Institutt for energi/elektrisitetslevering, og U.S.A. Hæren/våpenforskning, Utviklings- og ingeniørsenter, Picatinny Arsenal, NJ.

Utviklerne tok i bruk en annen operasjonsfysikk for denne enheten, som opererer på minoritetstransport og en integrert tredje terminallikeretter, som er én mer enn andre kommersielle SiC-enheter. Utviklere tok i bruk en ny fabrikasjonsteknikk som støtter vurderingene ovenfor 6,500 V, samt en ny gate-anode-design for høystrømsenheter. Kan yte ved temperaturer opp til 300 C og strøm kl 80 EN, SiC Thyristor tilbyr opptil 10 ganger høyere spenning, fire ganger høyere blokkeringsspenninger, og 100 ganger raskere byttefrekvens enn silisiumbaserte tyristorer.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100 Award for SiC-enheter i netttilkoblede sol- og vindenergiapplikasjoner

DULLES, VA, juli 14, 2011 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2011 R&D 100 Pris for kommersialisering av silisiumkarbidenheter med høyspenningsklassifisering.

GeneSiC Semiconductor Inc., en nøkkelinnovatør innen de silisiumkarbidbaserte kraftenhetene ble hedret forrige uke med kunngjøringen om at den har blitt tildelt den prestisjetunge 2011 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2010. R&D Magazine anerkjente GeneSiCs Ultra-High Voltage SiC-tyristor for dens evne til å oppnå blokkeringsspenninger og frekvenser som aldri tidligere ble brukt mot kraftelektronikkdemonstrasjoner. Spenningsklassifiseringene til >6.5kV, on-state gjeldende vurdering av 80 A og driftsfrekvenser på >5 kHz er mye høyere enn de som tidligere ble introdusert på markedet. Disse egenskapene oppnådd av GeneSiCs tyristorer gjør det kritisk at kraftelektronikkforskere kan utvikle nettbundne vekselrettere, Fleksibel

AC-overføringssystemer (FAKTA) og høyspennings likestrømssystemer (HVDC). Dette vil muliggjøre nye oppfinnelser og produktutvikling innen fornybar energi, solomformere, vindkraftinvertere, og energilagringsindustrier. Dr.. Ranbir Singh, President for GeneSiC Semiconductor kommenterte: "Det forventes at storskalamarkeder innen solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer vil åpne seg etter at forskere innen kraftkonverteringsarenaen fullt ut vil innse fordelene med SiC-tyristorer.. Disse første generasjons SiC-tyristorene bruker det laveste påviste spenningsfallet og differensielle på-motstander som noen gang er oppnådd i SiC-tyristorer. Vi har til hensikt å gi ut fremtidige generasjoner av SiC-tyristorer optimert for portstyrt avstengingsevne og pulserende kraft. >10kV karakterer. Som vi fortsetter å utvikle høytemperatur ultra-høyspent emballasjeløsninger, de nåværende 6,5 kV tyristorene er pakket i moduler med fullt loddede kontakter, begrenset til 150oC overgangstemperaturer." Siden dette produktet ble lansert i oktober 2010, GeneSiC har bestilt bestillinger fra flere kunder for demonstrasjon av avansert kraftelektronikk med disse silisiumkarbidtyristorene. GeneSiC fortsetter å utvikle sin familie av silisiumkarbid-tyristorprodukter. R&D på tidlig versjon for strømkonverteringsapplikasjoner ble utviklet gjennom SBIR-finansieringsstøtte fra US Dept. av energi. Mer avansert, Pulsed Power-optimaliserte SiC-tyristorer utvikles under en annen SBIR-kontrakt med ARDEC, Den amerikanske hæren. Ved å bruke denne tekniske utviklingen, intern investering fra GeneSiC og kommersielle bestillinger fra flere kunder, GeneSiC var i stand til å tilby disse UHV-tyristorene som kommersielle produkter.

Den 49. årlige teknologikonkurransen drevet av R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC Semiconductor Selected to Showcase Technology at 2011 ARPA-E Energy Innovation Summit

DULLES, VA, februar 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor is excited to announce its selection for the prestigious Technology Showcase at the ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, President, Dr.. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, U.S. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – mars 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Om GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, Hæren, NASA, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engineers, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Besøk www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Besøk www.ct-si.org for more information.

postet på

GeneSiC wins power management project from NASA in support of future Venus exploration missions

DULLES, VA, desember 14, 2010 – GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator of novel Silicon Carbide (SiC) devices for high temperature, high power, and ultra-high voltage applications, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 ° C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 ° C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøke www.genesicsemi.com.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret.

postet på

Multi-kHz, Ultra-høyspent silisiumkarbidtyristorer ble testet til amerikanske forskere

DULLES, VA, november 1, 2010 –I et første tilbud i sitt slag, GeneSiC Semiconductor kunngjør tilgjengeligheten av en familie med 6,5 kV SCR-modus silisiumkarbidtyristorer for bruk i kraftelektronikk for Smart Grid-applikasjoner. Revolusjonerende ytelsesfordeler med disse kraftenhetene forventes å stimulere til nøkkelinnovasjoner innen kraftelektronikk i bruksskala for å øke tilgjengeligheten og utnyttelsen av distribuerte energiressurser (DE). "Inntil nå, multi-kV silisiumkarbid (SiC) kraftenheter var ikke åpent tilgjengelig for amerikanske forskere for å fullt ut utnytte de velkjente fordelene – nemlig 2-10 kHz driftsfrekvenser ved 5-15 kV-klassifiseringer – til SiC-baserte kraftenheter.» kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. «GeneSiC har nylig fullført levering av mange 6,5 kV/40A, 6.5kV/60A og 6,5kV/80A tyristorer til flere kunder som forsker på fornybar energi, Kraftsystemapplikasjoner for hæren og marinen. SiC-enheter med disse vurderingene tilbys nå mer utbredt."

Silisiumkarbidbaserte tyristorer tilbyr 10X høyere spenning, 100X raskere byttefrekvenser og høyere temperaturdrift sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer. Målrettede applikasjonsforskningsmuligheter for disse enhetene inkluderer generell middelspenningseffektkonvertering (MVDC), Nettbundne solcelle-invertere, vindkraftinvertere, pulserende kraft, våpensystemer, tenningskontroll, og utløserkontroll. Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft.

Dr.. Singh fortsetter: "Det forventes at store markeder innen solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer vil åpne seg etter at forskere innen kraftkonverteringsarenaen fullt ut vil innse fordelene med SiC-tyristorer.. Disse første generasjons SiC-tyristorene bruker det laveste påviste spenningsfallet og differensielle på-motstander som noen gang er oppnådd i SiC-tyristorer. Vi har til hensikt å gi ut fremtidige generasjoner av SiC-tyristorer som er optimert for portstyrt slå av-funksjon og >10kV karakterer. Som vi fortsetter å utvikle høytemperatur ultra-høyspent emballasjeløsninger, de nåværende 6,5 kV tyristorene er pakket i moduler med fullt loddede kontakter, begrenset til 150oC overgangstemperaturer." GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utviklingen av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

Ligger i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.

postet på

GeneSiC vinner 2,53 millioner dollar fra ARPA-E til utvikling av silisiumkarbid-tyristorbaserte enheter

DULLES, VA, september 28, 2010 – Advanced Research Projects Agency – Energi (ARPA-E) har inngått en samarbeidsavtale med det GeneSiC Semiconductor-ledede teamet for utviklingen av det nye ultrahøyspente silisiumkarbiden (SiC) Tyristorbaserte enheter. Disse enhetene forventes å være nøkkelen muliggjører for integrering av storskala vind- og solkraftverk i neste generasjons Smart Grid.

"Denne svært konkurransedyktige prisen til GeneSiC vil tillate oss å utvide vår tekniske lederposisjon innen multi-kV silisiumkarbidteknologien, samt vår forpliktelse til alternative energiløsninger i nettskala med solid state-løsninger," kommenterte Dr. Ranbir Singh, President for GeneSiC. "Multi-kV SiC-tyristorer vi utvikler er nøkkelteknologien for realisering av fleksible AC-transmisjonssystemer (FAKTA) elementer og høyspennings likestrøm (HVDC) arkitekturer tenkt mot en integrert, effektiv, Fremtidens Smart Grid. GeneSiCs SiC-baserte tyristorer tilbyr 10 ganger høyere spenning, 100X raskere svitsjefrekvenser og høyere temperaturdrift i FACTS og HVDC strømbehandlingsløsninger sammenlignet med konvensjonelle silisiumbaserte tyristorer."

I April 2010, GeneSiC svarte på den smidige leveringen av elektrisk kraftteknologi (DYKTIG) oppfordring fra ARPA-E som forsøkte å investere i materialer for grunnleggende fremskritt innen høyspentsvitsjer som har potensiale til å hoppe over eksisterende kraftomformerytelse og samtidig tilby kostnadsreduksjoner. Selskapets forslag med tittelen "Silicon Carbide Anode Switched Thyristor for medium voltage power konvertering" ble valgt for å gi en lettvekts, solid-state, mellomspenningsenergikonvertering for høyeffektapplikasjoner som solid-state elektriske transformatorstasjoner og vindturbingeneratorer. Utplassering av disse avanserte krafthalvlederteknologiene kan gi så mye som en 25-30 prosent reduksjon i strømforbruket gjennom økt effektivitet i levering av elektrisk kraft. Innovasjoner som ble valgt var å støtte og promotere U.S. bedrifter gjennom teknologisk lederskap, gjennom en svært konkurransedyktig prosess.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med langt overlegne egenskaper enn konvensjonelt silisium, som evnen til å håndtere ti ganger spenningen – og hundre ganger strømmen – ved temperaturer så høye som 300ºC. Disse egenskapene gjør den ideell for høyeffektapplikasjoner som hybrid- og elektriske kjøretøy, fornybar energi (vind og sol) installasjoner, og kontrollsystemer for elektriske nett.

Det er nå godt etablert at ultrahøy spenning (>10kV) Silisiumkarbid (SiC) enhetsteknologi vil spille en revolusjonerende rolle i neste generasjons strømnett. Thyristor-baserte SiC-enheter tilbyr den høyeste on-state ytelsen for >5 kV enheter, og er allment anvendbare for middels spenningseffektkonverteringskretser som feilstrømbegrensere, AC-DC omformere, Statiske VAR-kompensatorer og seriekompensatorer. SiC-baserte tyristorer tilbyr også den beste sjansen for tidlig adopsjon på grunn av deres likheter med konvensjonelle kraftnettelementer. Andre lovende applikasjoner og fordeler for disse enhetene inkluderer:

  • Strømstyrings- og strømkondisjoneringssystemer for mellomspennings DC-konvertering ettersøkt under Future Naval Capability (FNC) fra US Navy, Elektromagnetiske utskytningssystemer, høyenergi våpensystemer og medisinsk bildebehandling. Den 10-100X høyere driftsfrekvensen tillater enestående forbedringer i størrelse, vekt, volum og til slutt, kostnadene ved slike systemer.
  • En rekke energilagring, høytemperatur- og høyenergifysikkapplikasjoner. Energilagring og strømnettapplikasjoner får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting.

“Vi har dukket opp som ledende innen ultrahøyspent SiC-teknologi ved å utnytte vår kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign med en omfattende serie med fabrikasjon, karakterisering, og testanlegg," konkluderer Dr. Singh. "GeneSiCs posisjon er nå effektivt validert av US DOE med denne betydelige oppfølgingsprisen."

Om GeneSiC Semiconductor

Strategisk plassert i nærheten av Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, SuperJunction-transistorer (SJT) og et bredt utvalg av Thyristor-baserte enheter. GeneSiC har eller har hatt hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, Hæren, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjernewww.genesicsemi.com.

postet på

Fornybar energi Thrust Nets GeneSiC Semiconductor $1,5 millioner fra US Department of Energy

DULLES, VA, november 12, 2008 – Det amerikanske energidepartementet har tildelt GeneSiC Semiconductor to separate tilskudd på til sammen $1,5 millioner for utvikling av høyspent silisiumkarbid (SiC) enheter som vil tjene som viktige muliggjører for vind- og solenergi-integrasjon med landets strømnett.

"Disse prisene demonstrerer DOEs tillit til GeneSiCs evner, samt forpliktelsen til alternative energiløsninger," bemerker Dr. Ranbir Singh, president i GeneSiC. «En integrert, Effektivt strømnett er avgjørende for nasjonens energifremtid - og SiC-enhetene vi utvikler er avgjørende for å overvinne ineffektiviteten til konvensjonelle silisiumteknologier."

Den første prisen er en $750k fase II SBIR-stipend for utvikling av fast, ultrahøyspente SiC bipolare enheter. Den andre er en fase II STTR-bevilgning på $750 000 for utvikling av optisk gatede SiC-svitsjer med høy effekt.

Silisiumkarbid er et neste generasjons halvledermateriale med evnen til å håndtere 10x spenningen og 100x strømmen til silisium, gjør den ideell til bruk med høy effekt som fornybar energi (vind og sol) installasjoner og elektriske nettkontrollsystemer.

nærmere bestemt, de to prisene er for:

  • Utvikling av høyfrekvente, multi-kilovolt SiC gate-turn-off (GTO) strøm enheter. Offentlige og kommersielle applikasjoner inkluderer strømstyrings- og kondisjoneringssystemer for skip, bruksindustrien, og medisinsk bildediagnostikk.
  • Design og fabrikasjon av optisk gated høyspenning, høyeffekt SiC-svitsjenheter. Å bruke fiberoptikk for å bytte strøm er en ideell løsning for miljøer plaget av elektromagnetisk interferens (EMI), og applikasjoner som krever ultrahøye spenninger.

SiC-enhetene GeneSiC utvikler tjener en rekke energilagring, kraftnettet, og militære applikasjoner, som får økende oppmerksomhet ettersom verden fokuserer på mer effektive og kostnadseffektive energistyringsløsninger.

Basert utenfor Washington, DC i Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc.. er en ledende innovatør innen høytemperatur, høyeffekt og ultrahøyspent silisiumkarbid (SiC) enheter. Pågående utviklingsprosjekter inkluderer høytemperaturlikerettere, felteffekttransistorer (FET-er) og bipolare enheter, samt partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har hoved-/underkontrakter fra store amerikanske myndigheter, inkludert Energidepartementet, marinen, DARPA, og Department of Homeland Security. Selskapet opplever for tiden betydelig vekst, og ansettelse av kvalifisert personell innen design av kraftenheter og detektorer, fabrikasjon, og testing. For å finne ut mer, besøk gjerne www.genesicsemi.com.