애플리케이션 노트:
AN-10A 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 기성 실리콘 IGBT 게이트 드라이버 포함: 단일 레벨 드라이브 개념
할 수있다 2013 AN-10A 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 기성 실리콘 IGBT 게이트 드라이버 포함: 단일 레벨 드라이브 개념
AN-10B 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT): 2단계 게이트 드라이브 개념
유월 2013 AN-10B 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT): 2단계 게이트 드라이브 개념
이중 펄스 스위칭 보드
9 월 2014 이중 펄스 스위칭 보드
고전력 게이트 드라이버 보드
9 월 2014 고전력 게이트 드라이버 보드
저전력 게이트 드라이버 보드
9 월 2014 저전력 게이트 드라이버 보드
기술 문서:
1200 V급 4H-SiC “감독자” 전류 이득을 갖는 접합 트랜지스터 88 및 초고속 스위칭 기능
씨족, 2011 1200 V급 4H-SiC “감독자” 전류 이득을 갖는 접합 트랜지스터 88 및 초고속 스위칭 기능
200 V SiC "Super" 접합 트랜지스터에서 작동 250 전력 변환 애플리케이션을 위한 극도로 낮은 에너지 손실의 °C
11 월, 2011 1200 V SiC "Super" 접합 트랜지스터에서 작동 250 전력 변환 애플리케이션을 위한 극도로 낮은 에너지 손실의 °C
SiC의 고온 가능성 활용
2 월, 2012 SiC의 고온 가능성 활용
실리콘 카바이드 “감독자” 500°C에서 작동하는 접합 트랜지스터
4 월, 2012 실리콘 카바이드 “감독자” 500°C에서 작동하는 접합 트랜지스터
다양한 온도에서 장기간 DC 및 펄스 작동에서 SiC "Super" 접합 트랜지스터의 전기적 특성 안정성
할 수있다, 2012 다양한 온도에서 장기간 DC 및 펄스 작동에서 SiC "Super" 접합 트랜지스터의 전기적 특성 안정성
