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GeneSiC, 업계 최고 성능의 1700V SiC Schottky MPS 출시™ 다이오드

덜스, VA, 일월 7, 2019 — GeneSiC, TO-247-2 패키지로 제공되는 3 세대 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드의 포괄적 인 포트폴리오 출시

GeneSiC는 GB05MPS17-247을 도입했습니다, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 및 GB50MPS17-247; 인기있는 TO-247-2 스루 홀 패키지로 제공되는 업계 최고 성능의 1700V SiC 다이오드. 이 1700V SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드 및 기타 구형 1700V SiC JBS를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치 및 재생 가능 에너지.

GB50MPS17-247은 1700V 50A SiC 병합 PiN- 쇼트 키 다이오드입니다., 업계 최고 전류 정격 이산 형 SiC 전력 다이오드. 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 파운드리 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.

이 SiC 다이오드는 TO-247-2 패키지에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 직접 교체품입니다.. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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다중 kHz, 미국 연구원들에게 샘플링 된 초고압 실리콘 카바이드 사이리스터

덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor, 스마트 그리드 애플리케이션 용 전력 전자 장치에 사용하기위한 6.5kV SCR 모드 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군 출시 발표. 이러한 전력 장치의 혁신적인 성능 이점은 분산 에너지 자원의 접근성과 활용을 높이기 위해 유틸리티 규모 전력 전자 하드웨어의 주요 혁신을 촉진 할 것으로 예상됩니다. (의). "지금까지, 다중 kV 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 장치는 SiC 기반 전력 장치의 잘 알려진 장점 (5-15kV 정격에서 2-10kHz 작동 주파수)을 충분히 활용하기 위해 미국 연구자들에게 공개적으로 제공되지 않았습니다.” 박사 코멘트. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “GeneSiC는 최근 많은 6.5kV / 40A 공급을 완료했습니다., 6.5재생 가능 에너지 연구를 수행하는 여러 고객에게 kV / 60A 및 6.5kV / 80A 사이리스터 제공, 육군 및 해군 전력 시스템 애플리케이션. 이러한 등급의 SiC 장치는 이제 더 광범위하게 제공되고 있습니다.”

실리콘 카바이드 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100X 기존 실리콘 기반 사이리스터에 비해 더 빠른 스위칭 주파수 및 더 높은 온도 작동. 이러한 장치에 대한 대상 애플리케이션 연구 기회에는 범용 고압 전력 변환이 포함됩니다. (MVDC), 계통 연계 형 태양 광 인버터, 풍력 인버터, 펄스 전력, 무기 시스템, 점화 제어, 및 트리거 제어. 이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소.

박사. Singh은 계속해서“전력 변환 분야의 연구원들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

워싱턴 근처에 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득

덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) 새로운 초고압 실리콘 카바이드 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor가 이끄는 팀과 협력 계약을 체결했습니다. (SiC) 사이리스터 기반 장치. 이러한 장치는 대규모 풍력 및 태양광 발전소를 차세대 스마트 그리드에 통합하는 핵심 요소가 될 것으로 예상됩니다..

“GeneSiC에 대한 경쟁이 치열한이 상을 통해 우리는 다중 kV 실리콘 카바이드 기술에서 기술 리더십 위치를 확장 할 수 있습니다., 솔리드 스테이트 솔루션을 사용하는 그리드 규모의 대체 에너지 솔루션에 대한 우리의 약속,”박사는. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “우리가 개발하고있는 Multi-kV SiC 사이리스터는 유연한 AC 전송 시스템의 실현을위한 핵심 기술입니다. (사리) 요소 및 고전압 DC (HVDC) 통합을 지향하는 아키텍처, 실력 있는, 미래의 스마트 그리드. GeneSiC의 SiC 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100기존의 실리콘 기반 사이리스터에 비해 FACTS 및 HVDC 전력 처리 솔루션에서 X 빠른 스위칭 주파수와 더 높은 온도 작동.”

4 월 2010, GeneSiC는 전력 기술의 Agile Delivery에 대응 (정통한) 비용을 줄이면서 기존 전력 변환기 성능을 뛰어 넘을 잠재력이있는 고전압 스위치의 근본적인 발전을위한 재료에 투자하려는 ARPA-E의 요청. “중압 전력 변환을위한 실리콘 카바이드 양극 스위치 사이리스터”라는 회사의 제안은 경량화를 제공하기 위해 선택되었습니다., 고체 상태, 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기와 같은 고전력 애플리케이션을위한 중전 압 에너지 변환. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소. 선택된 혁신은 미국을 지원하고 홍보하기위한 것입니다.. 기술 리더십을 통한 비즈니스, 경쟁이 치열한 과정을 통해.

실리콘 카바이드는 기존 실리콘보다 훨씬 우수한 특성을 가진 차세대 반도체 소재입니다., 300ºC의 높은 온도에서 10 배의 전압과 100 배의 전류를 처리 할 수있는 능력. 이러한 특성으로 인해 하이브리드 및 전기 자동차와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다., 재생 에너지 (바람과 태양) 설치, 및 전기 그리드 제어 시스템.

이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 장치에 대한 다른 유망한 응용 프로그램 및 이점은 다음과 같습니다.:

  • 미래 해군 능력에서 추구하는 중전 압 DC 변환을위한 전력 관리 및 전력 조절 시스템 (FNC) 미 해군, 전자기 발사 시스템, 고 에너지 무기 시스템 및 의료 영상. 10-100 배 더 높은 작동 주파수 기능으로 전례없는 크기 개선 가능, 무게, 볼륨 및 궁극적으로, 그러한 시스템의 비용.
  • 다양한 에너지 저장, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력망 애플리케이션에 대한 관심이 높아지고 있습니다..

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

“우리는 광범위한 제조 제품군과 함께 장치 및 프로세스 설계의 핵심 역량을 활용하여 초고압 SiC 기술의 리더로 부상했습니다., 성격 묘사, 및 테스트 시설,”박사는. 싱. "GeneSiC의 입장은 이제이 중요한 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었습니다."

GeneSiC Semiconductor 정보

워싱턴 근처에 전략적으로 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다www.genesicsemi.com.

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재생 가능 에너지 스러스트 네트 GeneSiC Semiconductor 미국 에너지 부로부터 150 만 달러

덜스, VA, 십일월 12, 2008 – 미국 에너지 부는 GeneSiC Semiconductor가 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 총 150 만 달러에 달하는 두 개의 별도의 보조금을 수여했습니다. (SiC) 풍력의 핵심 원동력이 될 장치- 국가의 전력망과 태양 광 발전 통합.

“이상은 GeneSiC의 역량에 대한 DOE의 확신을 보여줍니다., 대체 에너지 솔루션에 대한 약속,”박사는 말합니다.. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “통합, 효율적인 전력망은 국가의 미래 에너지에 매우 중요합니다. 우리가 개발하고있는 SiC 장치는 기존 실리콘 기술의 비 효율성을 극복하는 데 매우 중요합니다. "

첫 번째상은 금식 개발을위한 750,000 달러의 Phase II SBIR 보조금입니다., 초 고전압 SiC 바이폴라 장치. 두 번째는 광학적으로 게이트 된 고전력 SiC 스위치 개발을위한 750,000 달러의 Phase II STTR 보조금입니다..

실리콘 카바이드는 10 배의 전압과 100 배의 실리콘 전류를 처리 할 수있는 차세대 반도체 소재입니다., 재생 가능 에너지와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. (바람과 태양) 설비 및 전기 그리드 제어 시스템.

구체적으로 특별히, 두상은:

  • 고주파 개발, 수 킬로 볼트 SiC 게이트 턴 오프 (GTO) 전원 장치. 정부 및 상업용 애플리케이션에는 선박용 전력 관리 및 컨디셔닝 시스템이 포함됩니다. ㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ, 유틸리티 산업, 및 의료 영상.
  • 광학적으로 게이트 된 고전압의 설계 및 제작, 고전력 SiC 스위칭 장치. 광섬유를 사용하여 전원을 전환하는 것은 전자기 간섭이있는 환경에 이상적인 솔루션입니다. (EMI), 및 초 고전압이 필요한 애플리케이션.

GeneSiC가 개발하고있는 SiC 장치는 다양한 에너지 저장 장치를 제공합니다., 전력망, 및 군사 응용, 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..

워싱턴 외곽에 기반, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., 전계 효과 트랜지스터 (FET) 및 양극성 장치, 뿐만 아니라 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor, 여러 미국 에너지 부 SBIR 및 STTR 보조금 수상

덜스, VA, 십월 23, 2007 — GeneSiC 반도체 Inc., 빠르게 떠오르는 고온 혁신가, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 2007 회계 연도에 미국 에너지 부로부터 3 개의 개별 중소기업 보조금을 받았다고 발표했습니다.. SBIR 및 STTR 보조금은 GeneSiC에서 다양한 에너지 저장을위한 새로운 고전압 SiC 장치를 시연하는 데 사용됩니다., 전력망, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력 그리드 애플리케이션이 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..

“우리는 우리의 고전력 장치 솔루션과 관련하여 미국 에너지 부 (Department on Energy) 내의 여러 사무소에서 표현한 신뢰 수준에 만족합니다.. 이 자금을 당사의 고급 SiC 기술 프로그램에 주입하면 업계 최고의 라인 SiC 장치가 탄생 할 것입니다.,” GeneSiC의 사장 코멘트, 박사. 란 비르 싱. “이 프로젝트에서 개발중인 장치는보다 효율적인 전력망을 지원할 수있는 중요한 기술을 제공 할 것을 약속합니다., 현대 실리콘 기반 기술의 한계로 인해 실현되지 않았던 새로운 상용 및 군사 하드웨어 기술의 문을 열 것입니다.”

세 가지 프로젝트에는 다음이 포함됩니다.:

  • 고전류에 초점을 맞춘 새로운 Phase I SBIR 상, 에너지 저장 애플리케이션에 맞춰진 다중 kV 사이리스터 기반 장치.
  • DOE 과학 청에서 수여하는 고전력 RF 시스템 애플리케이션 용 고전압 전원 공급 장치 용 다중 kV SiC 전력 장치 개발을위한 Phase II SBIR 후속 상.
  • 광학적으로 게이트 된 고전압에 초점을 맞춘 Phase I STTR 상, 전자기 간섭이 많은 환경을위한 고주파 SiC 전력 장치, 고전력 RF 에너지 시스템 포함, 방향성 에너지 무기 시스템.

상과 함께, GeneSiC는 최근 Dulles의 확장 된 실험실 및 사무실 건물로 작업을 이전했습니다., 여자 이름, 장비를 대폭 업그레이드, 추가 핵심 인력을 추가하는 과정에 있습니다..

“GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다., 광범위한 제작 제품군에 대한 액세스로 백업, 특성화 및 테스트 시설,” 박사 결론. 싱. “우리는 이러한 기능이 새로운 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었다고 생각합니다.”

회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.