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5동급 최고의 효율을위한 차세대 650V SiC 쇼트 키 MPS ™ 다이오드

Gen5 650V SiC 쇼트 키 MPS ™

덜스, VA, 할 수있다 28, 2021 — GeneSiC 반도체, 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체 장치, 5 세대 출시 발표 (GE *** 시리즈) 우수한 가격 대비 성능 지수로 새로운 벤치 마크를 설정하는 SiC Schottky MPS ™ 정류기, 업계 최고의 서지 전류 및 눈사태 견고성, 고품질 제조.

“GeneSiC는 SiC 쇼트 키 정류기를 상용화 한 최초의 SiC 제조업체 중 하나였습니다. 2011. 업계에서 10 년 이상 고성능 및 고품질 SiC 정류기를 공급 한 후, 5 세대 SiC Schottky MPS ™를 출시하게되어 기쁩니다. (병합 된 핀 쇼트 키) 서버 / 통신 전원 공급 장치 및 배터리 충전기와 같은 애플리케이션에서 고효율 및 전력 밀도 목표를 충족하기 위해 모든 측면에서 업계 최고의 성능을 제공하는 다이오드. 5 세대를 만드는 혁신적인 기능 (GE *** 시리즈) SiC Schottky MPS ™ 다이오드는 낮은 내장 전압으로 경쟁 제품 중에서 두드러집니다. (무릎 전압이라고도 함);모든 부하 조건에서 다이오드 전도 손실을 최소화하여 고효율 에너지 사용을 요구하는 애플리케이션에 중요. 낮은 니 특성을 제공하도록 설계된 다른 경쟁사 SiC 다이오드와는 달리, Gen5 다이오드 설계의 추가 기능은 여전히 ​​높은 수준의 눈사태를 유지한다는 것입니다. (UIL) GeneSiC의 Gen3에서 고객이 기대하는 견고 함 (GC *** 시리즈) 및 Gen4 (GD *** 시리즈) SiC 쇼트 키 MPS ™” 박사가 말했다. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC Semiconductor의 기술 부사장.

풍모 –

  • 낮은 내장 전압 – 모든 부하 조건에서 가장 낮은 전도 손실
  • 우수한 공로상 – QC x VF
  • 최적의 가격 성능
  • 향상된 서지 전류 기능
  • 100% 눈사태 (UIL) 테스트
  • 쿨러 작동을위한 낮은 열 저항
  • 제로 포워드 및 리버스 복구
  • 온도 독립적 빠른 스위칭
  • VF의 정온도 계수

응용 –

  • 역률 보정에서 다이오드 부스트 (일병)
  • 서버 및 통신 전원 공급 장치
  • 태양 광 인버터
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • 배터리 충전기
  • 자유 분방 / 인버터의 역 병렬 다이오드

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ 또는 연락 sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&SiC 기반 모 놀리 식 트랜지스터 정류기 스위치에 대한 D100 상

덜스, VA, 12 월 5, 2019 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다..

GeneSiC 반도체 Inc, D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2018. NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다..

GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학.

전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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고전류 가능 650V, 1200미니 모듈 SOT-227 패키지의 V 및 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드

덜스, VA, 할 수있다 11, 2019 — GeneSiC는 고전류 기능의 시장 리더가되었습니다. (100 A와 200 ㅏ) SOT-227 미니 모듈의 SiC 쇼트 키 다이오드

GeneSiC는 GB2X50MPS17-227을 도입했습니다, GC2X50MPS06-227 및 GC2X100MPS06-227; 업계 최고 전류 정격 650V 및 1700V SiC 쇼트 키 다이오드, 기존 1200V SiC 쇼트 키 다이오드 미니 모듈 포트폴리오에 추가 – GB2X50MPS12-227 및 GB2X100MPS12-227. 이 SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치, 고전력 정류 및 산업용 전원 공급 장치.

SOT-227 미니 모듈 패키지의 분리 된베이스 플레이트에 추가, 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 제작 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.

이 SiC 다이오드는 SOT-227에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 가능 직접 대체품입니다. (미니 모듈) 꾸러미. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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GeneSiC, 업계 최고 성능의 1700V SiC Schottky MPS 출시™ 다이오드

덜스, VA, 일월 7, 2019 — GeneSiC, TO-247-2 패키지로 제공되는 3 세대 1700V SiC Schottky MPS ™ 다이오드의 포괄적 인 포트폴리오 출시

GeneSiC는 GB05MPS17-247을 도입했습니다, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 및 GB50MPS17-247; 인기있는 TO-247-2 스루 홀 패키지로 제공되는 업계 최고 성능의 1700V SiC 다이오드. 이 1700V SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드 및 기타 구형 1700V SiC JBS를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치 및 재생 가능 에너지.

GB50MPS17-247은 1700V 50A SiC 병합 PiN- 쇼트 키 다이오드입니다., 업계 최고 전류 정격 이산 형 SiC 전력 다이오드. 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 파운드리 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.

이 SiC 다이오드는 TO-247-2 패키지에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 직접 교체품입니다.. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.