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탁월한 성능과 신뢰성을 제공하는 G3R ™ 750V SiC MOSFET

750V G3R SiC MOSFET

덜스, VA, 유월 04, 2021 — GeneSiC의 차세대 750V G3R ™ SiC MOSFET은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 작동 온도에서 낮은 온 상태 강하가 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 속도, 증가 된 전력 밀도, 최소 벨소리 (낮은 EMI) 컴팩트 한 시스템 크기. GeneSiC의 G3R ™, 최적화 된 저 인덕턴스 개별 패키지로 제공 (SMD 및 스루 홀), 모든 작동 조건 및 초고속 스위칭 속도에서 최저 전력 손실로 작동하도록 최적화되었습니다.. 이 장치는 최신 SiC MOSFET에 비해 훨씬 더 나은 성능 수준을 제공합니다..

750V G3R SiC MOSFET

“고효율 에너지 사용은 차세대 전력 변환기에서 중요한 결과물이되었으며 SiC 전력 장치는이 혁명을 주도하는 핵심 부품입니다.. 최저 온 상태 저항과 강력한 단락 및 눈사태 성능을 달성하기위한 수년간의 개발 작업 후, 업계 최고 성능의 750V SiC MOSFET을 출시하게되어 기쁩니다.. G3R ™을 통해 전력 전자 설계자는 까다로운 효율성을 충족 할 수 있습니다., 태양 광 인버터와 같은 애플리케이션의 전력 밀도 및 품질 목표, EV 온보드 충전기 및 서버 / 통신 전원 공급 장치. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 및 자동차 인증 대량 생산으로 지원을 통해 가치 제안을 더욱 강화합니다.. ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 사장.

풍모 –

  • 업계 최저 게이트 요금 (큐지) 및 내부 게이트 저항 (RG(INT))
  • 최저 RDS(의 위에) 온도에 따라 변하다
  • 낮은 출력 커패시턴스 (씨우리) 마 일러 커패시턴스 (씨GD)
  • 100% 눈사태 (UIL) 생산 중 테스트
  • 업계 최고의 단락 내성 기능
  • 낮은 V의 빠르고 안정적인 바디 다이오드에프 낮은 QRR
  • 높고 안정적인 게이트 임계 전압 (VTH) 모든 온도 및 드레인 바이어스 조건에서
  • 낮은 열 저항과 낮은 링잉을위한 고급 패키징 기술
  • R의 제조 균일 성DS(의 위에), VTH 및 항복 전압 (BV)
  • 자동차 인증을받은 대량 생산을 통한 포괄적 인 제품 포트폴리오 및보다 안전한 공급망

응용 –

  • 태양열 (PV) 인버터
  • EV / HEV 온보드 충전기
  • 섬기는 사람 & 통신 전원 공급 장치
  • 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
  • DC-DC 컨버터
  • 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
  • 에너지 저장 및 배터리 충전
  • 유도 가열

GeneSiC Semiconductor의 모든 SiC MOSFET은 자동차 애플리케이션을 대상으로합니다. (AEC-q101) 및 PPAP 가능.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&거래 SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&거래 SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&거래 SiC MOSFET

데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 또는 연락 sales@genesicsemi.com

모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key 전자

뉴 어크 파넬 element14

마우저 일렉트로닉스

Arrow Electronics

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..

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GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&SiC 기반 모 놀리 식 트랜지스터 정류기 스위치에 대한 D100 상

덜스, VA, 12 월 5, 2019 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다..

GeneSiC 반도체 Inc, D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2019 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2018. NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다..

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전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득

덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) 새로운 초고압 실리콘 카바이드 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor가 이끄는 팀과 협력 계약을 체결했습니다. (SiC) 사이리스터 기반 장치. 이러한 장치는 대규모 풍력 및 태양광 발전소를 차세대 스마트 그리드에 통합하는 핵심 요소가 될 것으로 예상됩니다..

“GeneSiC에 대한 경쟁이 치열한이 상을 통해 우리는 다중 kV 실리콘 카바이드 기술에서 기술 리더십 위치를 확장 할 수 있습니다., 솔리드 스테이트 솔루션을 사용하는 그리드 규모의 대체 에너지 솔루션에 대한 우리의 약속,”박사는. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “우리가 개발하고있는 Multi-kV SiC 사이리스터는 유연한 AC 전송 시스템의 실현을위한 핵심 기술입니다. (사리) 요소 및 고전압 DC (HVDC) 통합을 지향하는 아키텍처, 실력 있는, 미래의 스마트 그리드. GeneSiC의 SiC 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100기존의 실리콘 기반 사이리스터에 비해 FACTS 및 HVDC 전력 처리 솔루션에서 X 빠른 스위칭 주파수와 더 높은 온도 작동.”

4 월 2010, GeneSiC는 전력 기술의 Agile Delivery에 대응 (정통한) 비용을 줄이면서 기존 전력 변환기 성능을 뛰어 넘을 잠재력이있는 고전압 스위치의 근본적인 발전을위한 재료에 투자하려는 ARPA-E의 요청. “중압 전력 변환을위한 실리콘 카바이드 양극 스위치 사이리스터”라는 회사의 제안은 경량화를 제공하기 위해 선택되었습니다., 고체 상태, 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기와 같은 고전력 애플리케이션을위한 중전 압 에너지 변환. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소. 선택된 혁신은 미국을 지원하고 홍보하기위한 것입니다.. 기술 리더십을 통한 비즈니스, 경쟁이 치열한 과정을 통해.

실리콘 카바이드는 기존 실리콘보다 훨씬 우수한 특성을 가진 차세대 반도체 소재입니다., 300ºC의 높은 온도에서 10 배의 전압과 100 배의 전류를 처리 할 수있는 능력. 이러한 특성으로 인해 하이브리드 및 전기 자동차와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다., 재생 에너지 (바람과 태양) 설치, 및 전기 그리드 제어 시스템.

이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 장치에 대한 다른 유망한 응용 프로그램 및 이점은 다음과 같습니다.:

  • 미래 해군 능력에서 추구하는 중전 압 DC 변환을위한 전력 관리 및 전력 조절 시스템 (FNC) 미 해군, 전자기 발사 시스템, 고 에너지 무기 시스템 및 의료 영상. 10-100 배 더 높은 작동 주파수 기능으로 전례없는 크기 개선 가능, 무게, 볼륨 및 궁극적으로, 그러한 시스템의 비용.
  • 다양한 에너지 저장, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력망 애플리케이션에 대한 관심이 높아지고 있습니다..

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

“우리는 광범위한 제조 제품군과 함께 장치 및 프로세스 설계의 핵심 역량을 활용하여 초고압 SiC 기술의 리더로 부상했습니다., 성격 묘사, 및 테스트 시설,”박사는. 싱. "GeneSiC의 입장은 이제이 중요한 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었습니다."

GeneSiC Semiconductor 정보

워싱턴 근처에 전략적으로 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다www.genesicsemi.com.