덜스, VA, 유월 04, 2021 — GeneSiC의 차세대 750V G3R ™ SiC MOSFET은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 작동 온도에서 낮은 온 상태 강하가 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 속도, 증가 된 전력 밀도, 최소 벨소리 (낮은 EMI) 컴팩트 한 시스템 크기. GeneSiC의 G3R ™, 최적화 된 저 인덕턴스 개별 패키지로 제공 (SMD 및 스루 홀), 모든 작동 조건 및 초고속 스위칭 속도에서 최저 전력 손실로 작동하도록 최적화되었습니다.. 이 장치는 최신 SiC MOSFET에 비해 훨씬 더 나은 성능 수준을 제공합니다..
“고효율 에너지 사용은 차세대 전력 변환기에서 중요한 결과물이되었으며 SiC 전력 장치는이 혁명을 주도하는 핵심 부품입니다.. 최저 온 상태 저항과 강력한 단락 및 눈사태 성능을 달성하기위한 수년간의 개발 작업 후, 업계 최고 성능의 750V SiC MOSFET을 출시하게되어 기쁩니다.. G3R ™을 통해 전력 전자 설계자는 까다로운 효율성을 충족 할 수 있습니다., 태양 광 인버터와 같은 애플리케이션의 전력 밀도 및 품질 목표, EV 온보드 충전기 및 서버 / 통신 전원 공급 장치. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 및 자동차 인증 대량 생산으로 지원을 통해 가치 제안을 더욱 강화합니다.. ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 사장.
풍모 –
- 업계 최저 게이트 요금 (큐지) 및 내부 게이트 저항 (RG(INT))
- 최저 RDS(의 위에) 온도에 따라 변하다
- 낮은 출력 커패시턴스 (씨우리) 마 일러 커패시턴스 (씨GD)
- 100% 눈사태 (UIL) 생산 중 테스트
- 업계 최고의 단락 내성 기능
- 낮은 V의 빠르고 안정적인 바디 다이오드에프 낮은 QRR
- 높고 안정적인 게이트 임계 전압 (VTH) 모든 온도 및 드레인 바이어스 조건에서
- 낮은 열 저항과 낮은 링잉을위한 고급 패키징 기술
- R의 제조 균일 성DS(의 위에), VTH 및 항복 전압 (BV)
- 자동차 인증을받은 대량 생산을 통한 포괄적 인 제품 포트폴리오 및보다 안전한 공급망
응용 –
- 태양열 (PV) 인버터
- EV / HEV 온보드 충전기
- 섬기는 사람 & 통신 전원 공급 장치
- 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
- DC-DC 컨버터
- 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
- 에너지 저장 및 배터리 충전
- 유도 가열
GeneSiC Semiconductor의 모든 SiC MOSFET은 자동차 애플리케이션을 대상으로합니다. (AEC-q101) 및 PPAP 가능.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&거래 SiC MOSFET
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&거래 SiC MOSFET
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&거래 SiC MOSFET
데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ 또는 연락 sales@genesicsemi.com
모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support
GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.
GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..
