덜스, VA, 할 수있다 11, 2019 — GeneSiC는 고전류 기능의 시장 리더가되었습니다. (100 A와 200 ㅏ) SOT-227 미니 모듈의 SiC 쇼트 키 다이오드
GeneSiC는 GB2X50MPS17-227을 도입했습니다, GC2X50MPS06-227 및 GC2X100MPS06-227; 업계 최고 전류 정격 650V 및 1700V SiC 쇼트 키 다이오드, 기존 1200V SiC 쇼트 키 다이오드 미니 모듈 포트폴리오에 추가 – GB2X50MPS12-227 및 GB2X100MPS12-227. 이 SiC 다이오드는 실리콘 기반 초고속 복구 다이오드를 대체합니다., 엔지니어가 더 높은 효율과 더 높은 전력 밀도로 스위칭 회로를 구축 할 수 있습니다.. 애플리케이션에는 전기 자동차 고속 충전기가 포함될 것으로 예상됩니다., 모터 드라이브, 운송 전원 공급 장치, 고전력 정류 및 산업용 전원 공급 장치.
SOT-227 미니 모듈 패키지의 분리 된베이스 플레이트에 추가, 새로 출시 된이 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮습니다., 제로 포워드 복구, 제로 역 복구, 낮은 접합 커패시턴스 및 175 ° C의 최대 작동 온도 정격. GeneSiC의 3 세대 SiC 쇼트 키 다이오드 기술은 업계 최고의 눈사태 견고성과 서지 전류를 제공합니다. (Ifsm) 견고 함, 고품질 자동차 인증 6 인치 제작 및 고급 고 신뢰성 개별 조립 기술과 결합.
이 SiC 다이오드는 SOT-227에서 사용 가능한 다른 다이오드에 대한 핀 호환 가능 직접 대체품입니다. (미니 모듈) 꾸러미. 낮은 전력 손실의 이점 (더 차가운 작동) 및 고주파 스위칭 기능, 설계자는 이제 설계에서 더 큰 변환 효율과 더 큰 전력 밀도를 달성 할 수 있습니다..
GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.
GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.
