절연 패키지에서 온도와 무관 한 제로 역 회복 전류를 제공하는 이러한 저용량 정류기의 이점을 얻을 수있는 고전압 어셈블리
도둑 강 폭포 / 덜레스, 여자 이름., 할 수있다 28, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 3300 V / 0.3 Ampere SiC 쇼트 키 정류기 – GAP3SLT33-220FP. 이 독특한 제품은 시장에서 가장 높은 전압의 SiC 정류기를 나타냅니다., 특히 광범위한 X-Ray에 사용되는 전압 배율기 회로 및 고전압 어셈블리를 대상으로합니다., 레이저 및 입자 발생기 전원 공급 장치.
실리콘 정류기의 역 회복 전류가 병렬로 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 현대의 전압 증 배기 회로는 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 이 상황은 실리콘 정류기의 역 회복 전류가 온도에 따라 증가하기 때문에 더욱 악화됩니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 고전압 어셈블리의 혁명을 약속하는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 3300 V / 0.3A 쇼트 키 정류기는 온도에 따라 변하지 않는 제로 역 회복 전류를 특징으로합니다.. 단일 장치에서 상대적으로 높은 전압을 사용하면 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 곱셈 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. TO-220 풀 팩 오버 몰드 절연 패키지는 스루 홀 어셈블리에서 핀 간격이 증가 된 산업 표준 폼 팩터를 특징으로합니다..
“이 제품 제공은 GeneSiC에서 수년간 지속 된 노력에서 비롯됩니다.. 우리는 3300 V 정격은 고전압 발생기 시장의 주요 차별화 요소입니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 저용량 SiC 쇼트 키 정류기는이 혁신적인 제품을 가능하게합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
3300 V / 0.3 A SiC 정류기 기술 하이라이트
- 온 스테이트 드롭 1.7 V에서 0.3 ㅏ
- VF의 양의 온도 계수
- 티jmax = 175영형씨
- 용량 성 전하 52 체크 안함 (전형적인).
모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 산업 표준 TO-220FP (풀팩) 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 구할 수 있습니다., Digikey.
GeneSiC Semiconductor Inc 정보.
GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.
자세한 내용은, www.genesicsemi.com을 방문하십시오
