GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.
덜레스, 여자 이름., 11 월 7, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 8000 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.; 8000 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., 3300 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다. 6500 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.. GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다..
현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 고전압 어셈블리의 혁명을 약속하는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 8000 V 및 3300 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 단일 장치에서 상대적으로 높은 전압을 사용하면 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 곱셈 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. 8000 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 6500 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.&현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다..
현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 우리는 8000 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
8000 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.
- 티jmax = 210영형씨
- 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. < 50 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 175영형씨
- 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 558 체크 안함 (전형적인).
8000 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.
- 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 25 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (전형적인, 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. -1 V, 25영형씨).
- VF의 양의 온도 계수
- 티jmax = 175영형씨
6500 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.
- 세 가지 제품 – 80 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.); 60 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.); 과 40 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.)
- 티jmax = 200영형씨
3300 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.
- 온 스테이트 드롭 1.7 V에서 0.3 ㅏ
- VF의 양의 온도 계수
- 티jmax = 175영형씨
- 용량 성 전하 52 체크 안함 (전형적인).
GeneSiC Semiconductor Inc 정보.
GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.
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