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GeneSiC의 G3R ™ SiC MOSFET은 이전에 볼 수 없었던 수준의 효율성을 활용하기 위해 고전압 스위칭에서 업계 최고의 성능을 제공합니다., 고온 작동 및 시스템 신뢰성.
풍모:
- G3R ™ 기술 +15 V 게이트 드라이브
- 우수한 Q지 x RDS(의 위에) 공로의 그림
- 낮은 게이트 전하 및 장치 커패시턴스
- 고온에서 낮은 전도 손실
- 뛰어난 눈사태 및 단락 회로 견고성
- 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동
- 빠르고 안정적인 바디 다이오드
- Kelvin 소스 연결로 최적화 된 패키징
혜택:
- 우수한 비용 성능 지수
- 소형 시스템을위한 증가 된 전력 밀도
- 낮은 내부 R지 높은 스위칭 주파수 작동 용
- 시스템 효율성 향상을위한 손실 감소
- 최소화 된 게이트 링잉
- 향상된 열 기능
- 간편한 운전
- 열 폭주없이 병렬화 용이
응용:
- 전기 자동차 – 동력 전달 장치 및 충전
- 태양 광 인버터 및 에너지 저장
- 스마트 그리드 및 HVDC
- 모터 드라이브
- 고전압 DC-DC 및 AC-DC 컨버터
- 유도 가열 및 용접
- 스위치 모드 전원 공급 장치
- 펄스 전력 애플리케이션
750V SiC MOSFET
| 저항에, NSDS(의 위에) | 베어 칩 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
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| 10 미디엄Ω | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 미디엄Ω | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 미디엄Ω | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| 저항에, NSDS(의 위에) | 베어 칩 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 미디엄Ω | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 미디엄Ω | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 미디엄Ω | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 미디엄Ω | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 미디엄Ω | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 미디엄Ω | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 미디엄Ω | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 미디엄Ω | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| 저항에, NSDS(의 위에) | 베어 칩 | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 미디엄Ω | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 미디엄Ω | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 미디엄Ω | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 미디엄Ω | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 미디엄Ω | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| 저항에, NSDS(의 위에) | 베어 칩 | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
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| 50 미디엄Ω | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 미디엄Ω | G2R120MT33J | ||
| 1000 미디엄Ω | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| 저항에, NSDS(의 위에) | 베어 칩 |
|---|---|
|
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| 300 미디엄Ω | G2R300MT65-CAL |
| 325 미디엄Ω | G2R325MS65-CAL |
