덜스, VA, 십일월 12, 2008 – 미국 에너지 부는 GeneSiC Semiconductor가 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 총 150 만 달러에 달하는 두 개의 별도의 보조금을 수여했습니다. (SiC) 풍력의 핵심 원동력이 될 장치- 국가의 전력망과 태양 광 발전 통합.
“이상은 GeneSiC의 역량에 대한 DOE의 확신을 보여줍니다., 대체 에너지 솔루션에 대한 약속,”박사는 말합니다.. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “통합, 효율적인 전력망은 국가의 미래 에너지에 매우 중요합니다. 우리가 개발하고있는 SiC 장치는 기존 실리콘 기술의 비 효율성을 극복하는 데 매우 중요합니다. "
첫 번째상은 금식 개발을위한 750,000 달러의 Phase II SBIR 보조금입니다., 초 고전압 SiC 바이폴라 장치. 두 번째는 광학적으로 게이트 된 고전력 SiC 스위치 개발을위한 750,000 달러의 Phase II STTR 보조금입니다..
실리콘 카바이드는 10 배의 전압과 100 배의 실리콘 전류를 처리 할 수있는 차세대 반도체 소재입니다., 재생 가능 에너지와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. (바람과 태양) 설비 및 전기 그리드 제어 시스템.
구체적으로 특별히, 두상은:
- 고주파 개발, 수 킬로 볼트 SiC 게이트 턴 오프 (GTO) 전원 장치. 정부 및 상업용 애플리케이션에는 선박용 전력 관리 및 컨디셔닝 시스템이 포함됩니다. ㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ, 유틸리티 산업, 및 의료 영상.
- 광학적으로 게이트 된 고전압의 설계 및 제작, 고전력 SiC 스위칭 장치. 광섬유를 사용하여 전원을 전환하는 것은 전자기 간섭이있는 환경에 이상적인 솔루션입니다. (EMI), 및 초 고전압이 필요한 애플리케이션.
GeneSiC가 개발하고있는 SiC 장치는 다양한 에너지 저장 장치를 제공합니다., 전력망, 및 군사 응용, 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..
워싱턴 외곽에 기반, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., 전계 효과 트랜지스터 (FET) 및 양극성 장치, 뿐만 아니라 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.
