덜스, VA, 이월 12, 2020 — GeneSiC Semiconductor의 RDS를 지원하는 차세대 1200V G3R ™ SiC MOSFET(의 위에) 수준에 이르기까지 20 mΩ ~ 350 mΩ은 전례없는 수준의 성능을 제공합니다., 상대를 능가하는 견고 함과 품질. 시스템 이점에는 더 높은 효율성이 포함됩니다., 더 빠른 스위칭 주파수, 증가 된 전력 밀도, 벨소리 감소 (EMI) 컴팩트 한 시스템 크기.
GeneSiC, 업계 최고의 성능을 제공하는 업계 최고의 3 세대 실리콘 카바이드 MOSFET 출시 발표, 자동차 및 산업 응용 분야에서 이전에는 볼 수 없었던 수준의 효율성과 시스템 안정성을 활용할 수있는 견고 함과 품질.
이 G3R ™ SiC MOSFET, 최적화 된 저 인덕턴스 개별 패키지로 제공 (SMD 및 스루 홀), 높은 효율 수준과 초고속 스위칭 속도가 필요한 전력 시스템 설계에 최적화되어 있습니다.. 이러한 장치는 경쟁 제품에 비해 훨씬 우수한 성능 수준을 가지고 있습니다.. 확실한 품질, 빠른 턴어라운드 대량 생산의 지원으로 가치 제안을 더욱 강화.
“최저 온 상태 저항과 향상된 단락 성능을 달성하기위한 수년간의 개발 작업 끝에, 업계 최고 성능의 1200V SiC MOSFET을 출시하게되어 기쁩니다. 15+ 개별 및 베어 칩 제품. 차세대 전력 전자 시스템이 까다로운 효율성을 충족하려면, 자동차와 같은 애플리케이션의 전력 밀도 및 품질 목표, 산업, 재생 에너지, 교통, IT 및 통신, 그런 다음 현재 사용 가능한 SiC MOSFET에 비해 크게 개선 된 장치 성능 및 신뢰성이 필요합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 사장.
풍모 –
- 우수한 Q지 x RDS(의 위에) 공로상 – G3R ™ SiC MOSFET은 매우 낮은 게이트 전하로 업계에서 가장 낮은 온 상태 저항을 제공합니다., 결과로 20% 다른 유사한 경쟁 장치보다 더 나은 성능 지수
- 모든 온도에서 낮은 전도 손실 – GeneSiC의 MOSFET은 온 상태 저항의 가장 부드러운 온도 의존성을 제공하여 모든 온도에서 매우 낮은 전도 손실을 제공합니다.; 시중의 다른 트렌치 및 평면형 SiC MOSFET보다 훨씬 우수
- 100 % 눈사태 테스트 – 강력한 UIL 기능은 대부분의 현장 응용 분야에서 중요한 요구 사항입니다.. GeneSiC의 1200V SiC MOSFET 디스크리트는 100 % 눈사태 (UIL) 생산 중 테스트
- 낮은 게이트 전하 및 낮은 내부 게이트 저항 – 이러한 매개 변수는 초고속 스위칭을 실현하고 최고의 효율성을 달성하는 데 중요합니다. (낮은 Eon -Eoff) 광범위한 애플리케이션 스위칭 주파수에 걸쳐
- 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동 – GeneSiC의 모든 SiC MOSFET은 오작동 위험없이 모든 작동 조건에서 안정적이고 신뢰할 수있는 제품을 제공하기 위해 최첨단 공정으로 설계 및 제작되었습니다.. 이러한 장치의 우수한 게이트 산화물 품질은 임계 값을 방지합니다. (VTH) 경향
- 낮은 장치 정전 용량 – G3R ™은 낮은 장치 정전 용량으로 더 빠르고 효율적으로 구동하도록 설계되었습니다. – Ciss, Coss 및 Crss
- 고유 전하가 낮은 빠르고 안정적인 바디 다이오드 – GeneSiC의 MOSFET은 벤치 마크 낮은 역 회복 전하를 특징으로합니다. (큐RR) 모든 온도에서; 30% 비슷한 등급의 경쟁 기기보다 우수. 이를 통해 전력 손실을 더욱 줄이고 작동 주파수를 높일 수 있습니다.
- 사용의 용이성 – G3R ™ SiC MOSFET은 + 15V에서 구동되도록 설계되었습니다. / -5V 게이트 드라이브. 이는 기존 상용 IGBT 및 SiC MOSFET 게이트 드라이버와 가장 광범위한 호환성을 제공합니다.
응용 –
- 전기차 – 동력 전달 장치 및 충전
- 태양 광 인버터 및 에너지 저장
- 산업용 모터 드라이브
- 무정전 전원 공급 장치 (UPS)
- 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMPS)
- 양방향 DC-DC 컨버터
- 스마트 그리드 및 HVDC
- 유도 가열 및 용접
- 펄스 전력 애플리케이션
모든 장치는 공인 대리점을 통해 구매할 수 있습니다. – www.genesicsemi.com/sales-support
데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet 또는 연락 sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductor의 모든 SiC MOSFET은 자동차 애플리케이션을 대상으로합니다. (AEC-q101) 및 PPAP 가능. 모든 장치는 산업 표준 D2PAK로 제공됩니다., TO-247 및 SOT-227 패키지.
GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.
GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..
