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에 대한 검색 결과:
SJT
GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득
GeneSiC의 하이브리드 SiC 쇼트 키 정류기 / Si IGBT 모듈로 175 ° C 작동 가능
GeneSiC, 실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 출시
1200 V급 4H-SiC “감독자” 전류 이득을 갖는 접합 트랜지스터 88 및 초고속 스위칭 기능
이중 펄스 스위칭 보드
고전력 게이트 드라이버 보드
저전력 게이트 드라이버 보드
10 kV SiC BJT – 정적, 스위칭 및 신뢰성 특성
4H-SiC BJT의 전류 이득 및 눈사태 모드 동작의 안정성 특성화
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