다중 kHz, 미국 연구원들에게 샘플링 된 초고압 실리콘 카바이드 사이리스터
덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor announces the availability of a family of 6.5kV SCR-mode Silicon Carbide Thyristors for use in power…
GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득
덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) has entered into a Cooperative Agreement with the GeneSiC Semiconductor-led team towards the development of the novel…
재생 가능 에너지 스러스트 네트 GeneSiC Semiconductor 미국 에너지 부로부터 150 만 달러
덜스, VA, 십일월 12, 2008 – 미국 에너지 부는 GeneSiC Semiconductor가 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 총 150 만 달러에 달하는 두 개의 별도의 보조금을 수여했습니다. (SiC) devices that…
GeneSiC Semiconductor, 여러 미국 에너지 부 SBIR 및 STTR 보조금 수상
덜스, VA, 십월 23, 2007 — GeneSiC 반도체 Inc., 빠르게 떠오르는 고온 혁신가, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, announced that is has been awarded three separate…
