호환 가능한 산업 표준 패키지를 통해 실현 된 SiC 트랜지스터의 고온에 대한 약속은 다운 홀 및 항공 우주 액추에이터 및 전원 공급 장치를 크게 향상시킬 것입니다.
덜레스, 여자 이름., 12 월 10, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 유통 업체와 직접 고온 패키지 제품군을 통해 즉각적인 가용성을 발표합니다. 600 V SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 에 3-50 JEDEC 산업 표준 스루 홀 및 표면 실장 패키지의 전류 정격. 이러한 고온 통합, 낮은 온 저항, 밀폐형 패키지의 고주파 SiC 트랜지스터, 고온 솔더 및 캡슐화는 변환 효율을 높이고 고온 전력 변환 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다..
현대식 고온 전원 공급 장치, 오일 / 가스 / 다운 홀 및 항공 우주 응용 분야에 사용되는 모터 제어 및 액추에이터 회로는 실행 가능한 고온 실리콘 카바이드 솔루션의 가용성 부족으로 어려움을 겪습니다.. 실리콘 트랜지스터는 누설 전류가 높고 스위칭 특성이 낮기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 큰 문제가 있습니다.. 이 두 매개 변수는 더 높은 접합 온도에서 악화됩니다.. 열 제약 환경, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 밀폐 패키지 된 SiC 트랜지스터는 다운 홀 및 항공 우주 애플리케이션의 기능을 혁신 할 수있는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V / 3-50 A SiC 접합 트랜지스터는 온도에 따라 변하지 않는 거의 제로 스위칭 시간을 제공합니다.. 그만큼 210영형C 접합 온도 등급 장치는 극한 환경에서 작동하는 애플리케이션에 대해 상대적으로 큰 온도 마진을 제공합니다..
GeneSiC에서 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 보여줍니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 주도 할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, SiC 접합 트랜지스터는 일치하는 과도 특성으로 인해 쉽게 병렬화 될 수 있습니다..
“다운 홀 및 항공 우주 애플리케이션 설계자가 계속해서 작동 주파수의 한계를 밀어 붙임에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능을 제공 할 수있는 SiC 스위치가 필요합니다., 신뢰성 및 생산 균일 성. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 SJT 제품은 설계자가보다 강력한 솔루션으로 모든 것을 달성 할 수 있도록 지원합니다.. 이 제품은 GeneSiC에서 작년에 출시 한 밀폐형 패키지 SiC 정류기를 보완합니다., 올해 초 출시 된 베어 다이 제품, 우리가 고온을 제공 할 수있는 길을 닦으면서, 낮은 인덕턴스, 가까운 장래에 전력 모듈 ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
TO-257 절연 600 SJT에서:
- 65 mOhms / 20Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8Amp (2N7637-GA); 과 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
- 티jmax = 210영형씨
- 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.
- 해당 Bare Die GA20JT06-CAL (2N7639-GA에서); GA10JT06-CAL (2N7637-GA에서); 및 GA05JT06-CAL (2N7635-GA에서)
비 절연 TO-258 프로토 타입 패키지 600 SJT
- 25 mOhms / 50Amp (GA50JT06-258 프로토 타입 패키지)
- 티jmax = 210영형씨
- 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.
- 해당 Bare Die GA50JT06-CAL (GA50JT06-258에서)
표면 실장 TO-276 (SMD0.5) 와 600 SJT
- 65 mOhms / 20Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8Amp (2N7638-GA); 과 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
- 티jmax = 210영형씨
- 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.
모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 밀폐 패키지에 보관 됨. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC에서 직접 및 / 또는 공인 대리점을 통해 즉시 사용할 수 있습니다..
GeneSiC Semiconductor Inc 정보.
GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.
자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt
