GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&그리드 연결 태양열 및 풍력 에너지 애플리케이션의 SiC 장치에 대한 D100 상

덜스, VA, 칠월 14, 2011 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2011 NS&디 100 고전압 정격 실리콘 카바이드 장치 상용화 수상.

GeneSiC 반도체 Inc, 실리콘 카바이드 기반 전력 장치의 핵심 혁신가는 지난주 권위있는 2011 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2010. NS&D Magazine은 전력 전자 시연을 위해 이전에 사용되지 않은 차단 전압 및 주파수를 달성 할 수있는 능력으로 GeneSiC의 초고압 SiC 사이리스터를 인정했습니다.. 전압 등급 >6.5케이 V, 온 상태 전류 등급 80 A 및 작동 주파수 >5 kHz는 이전에 시장에 소개 된 것보다 훨씬 높습니다.. GeneSiC의 사이리스터가 달성 한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구자들은 그리드 연결 인버터를 개발할 수 있습니다., 융통성 있는

AC 전송 시스템 (사리) 및 고전압 DC 시스템 (HVDC). 이것은 재생 가능 에너지 내에서 새로운 발명과 제품 개발을 가능하게 할 것입니다, 태양광 인버터, 풍력 인버터, 및 에너지 저장 산업. 박사. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor의 사장은“전력 변환 분야의 연구자들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능 및 펄스 전력 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " 이 제품은 10 월에 출시 된 이후 2010, GeneSiC는 이러한 실리콘 카바이드 사이리스터를 사용하여 고급 전력 전자 하드웨어를 시연하기 위해 여러 고객의 주문을 예약했습니다.. GeneSiC는 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군을 계속 개발하고 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&전력 변환 애플리케이션을위한 초기 버전의 D는 미국 Dept의 SBIR 자금 지원을 통해 개발되었습니다.. 에너지. 더 고급, 펄스 전력에 최적화 된 SiC 사이리스터는 ARDEC과의 또 다른 SBIR 계약에 따라 개발 중입니다., 미 육군. 이러한 기술 개발 사용, GeneSiC의 내부 투자 및 여러 고객의 상업 주문, GeneSiC는 이러한 UHV 사이리스터를 상용 제품으로 제공 할 수있었습니다..

R이 운영하는 제 49 회 연례 기술 대회&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학.

전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.