덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) 새로운 초고압 실리콘 카바이드 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor가 이끄는 팀과 협력 계약을 체결했습니다. (SiC) 사이리스터 기반 장치. 이러한 장치는 대규모 풍력 및 태양광 발전소를 차세대 스마트 그리드에 통합하는 핵심 요소가 될 것으로 예상됩니다..
“GeneSiC에 대한 경쟁이 치열한이 상을 통해 우리는 다중 kV 실리콘 카바이드 기술에서 기술 리더십 위치를 확장 할 수 있습니다., 솔리드 스테이트 솔루션을 사용하는 그리드 규모의 대체 에너지 솔루션에 대한 우리의 약속,”박사는. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “우리가 개발하고있는 Multi-kV SiC 사이리스터는 유연한 AC 전송 시스템의 실현을위한 핵심 기술입니다. (사리) 요소 및 고전압 DC (HVDC) 통합을 지향하는 아키텍처, 실력 있는, 미래의 스마트 그리드. GeneSiC의 SiC 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100기존의 실리콘 기반 사이리스터에 비해 FACTS 및 HVDC 전력 처리 솔루션에서 X 빠른 스위칭 주파수와 더 높은 온도 작동.”
4 월 2010, GeneSiC는 전력 기술의 Agile Delivery에 대응 (정통한) 비용을 줄이면서 기존 전력 변환기 성능을 뛰어 넘을 잠재력이있는 고전압 스위치의 근본적인 발전을위한 재료에 투자하려는 ARPA-E의 요청. “중압 전력 변환을위한 실리콘 카바이드 양극 스위치 사이리스터”라는 회사의 제안은 경량화를 제공하기 위해 선택되었습니다., 고체 상태, 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기와 같은 고전력 애플리케이션을위한 중전 압 에너지 변환. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소. 선택된 혁신은 미국을 지원하고 홍보하기위한 것입니다.. 기술 리더십을 통한 비즈니스, 경쟁이 치열한 과정을 통해.
실리콘 카바이드는 기존 실리콘보다 훨씬 우수한 특성을 가진 차세대 반도체 소재입니다., 300ºC의 높은 온도에서 10 배의 전압과 100 배의 전류를 처리 할 수있는 능력. 이러한 특성으로 인해 하이브리드 및 전기 자동차와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다., 재생 에너지 (바람과 태양) 설치, 및 전기 그리드 제어 시스템.
이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 장치에 대한 다른 유망한 응용 프로그램 및 이점은 다음과 같습니다.:
- 미래 해군 능력에서 추구하는 중전 압 DC 변환을위한 전력 관리 및 전력 조절 시스템 (FNC) 미 해군, 전자기 발사 시스템, 고 에너지 무기 시스템 및 의료 영상. 10-100 배 더 높은 작동 주파수 기능으로 전례없는 크기 개선 가능, 무게, 볼륨 및 궁극적으로, 그러한 시스템의 비용.
- 다양한 에너지 저장, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력망 애플리케이션에 대한 관심이 높아지고 있습니다..
GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.
“우리는 광범위한 제조 제품군과 함께 장치 및 프로세스 설계의 핵심 역량을 활용하여 초고압 SiC 기술의 리더로 부상했습니다., 성격 묘사, 및 테스트 시설,”박사는. 싱. "GeneSiC의 입장은 이제이 중요한 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었습니다."
GeneSiC Semiconductor 정보
워싱턴 근처에 전략적으로 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다www.genesicsemi.com.
