고주파 전력 회로용으로 출시된 가장 낮은 전도 손실과 우수한 단락 회로 기능을 제공하는 SiC 스위치
덜레스, 여자 이름., 10 월 28, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 낮은 온저항 1700V 및 1200 TO-247 패키지의 V SiC 접합 트랜지스터. 고전압 사용, 고주파, 고온 및 낮은 온 저항 가능 SiC 접합 트랜지스터는 변환 효율을 높이고 더 높은 버스 전압을 필요로 하는 전력 전자 애플리케이션의 크기/무게/부피를 줄입니다.. 이 장치는 DC 마이크로그리드를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하기 위한 것입니다., 차량용 급속 충전기, 섬기는 사람, 통신 및 네트워킹 전원 공급 장치, 무정전 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템, 및 산업용 모터 제어 시스템.
SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC가 제공하는 초고속 스위칭 기능 (SiC MOSFET과 유사), 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 게이트 드라이버로 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 달리 SJT의 고유 한 장점은 더 높은 장기적 안정성입니다., >10 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능
“이러한 개선된 SJT는 훨씬 더 높은 전류 이득을 제공합니다. (>100), 다른 SiC 스위치에 비해 매우 안정적이고 강력한 성능. GeneSiC의 SJT는 정격 전류에서 전력 회로의 우수한 턴오프 손실로 매우 낮은 전도 손실을 제공합니다.. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 트랜지스터 제품은 설계자가 보다 강력한 솔루션을 얻을 수 있도록 지원합니다.,” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시
- 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
- 현재 이득 (hFE) >90
- 티jmax = 175영형씨
- 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <30 일반적인 나노초.
1200 V SiC 접합 트랜지스터 출시
- 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 옴 (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
- 현재 이득 (hFE) >90
- 티jmax = 175영형씨
- 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <30 일반적인 나노초.
모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 TO-247 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..
자세한 내용은, https를 방문하십시오://192.168.88.14/상용-sic/sic-접합-트랜지스터/
