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저가로 제공되는 범용 고온 SiC 트랜지스터 및 정류기

높은 온도 (>210영형씨) 소형 폼 팩터 금속 캔 패키지의 접합 트랜지스터 및 정류기는 증폭을 포함한 다양한 애플리케이션에 혁신적인 성능 이점을 제공합니다., 저소음 회로 및 다운 홀 액추에이터 제어

덜스, VA, 행진 9, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 컴팩트 라인의 즉각적인 가용성을 발표, TO-46 금속 캔 패키지의 고온 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 라인. 이러한 개별 구성 요소는 다음보다 높은 주변 온도에서 작동하도록 설계 및 제조되었습니다. 215영형씨. 고온 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 고온에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이러한 장치는 다양한 다운 홀 회로를 포함하여 다양한 응용 분야에서 사용하기위한 것입니다., 지열 계측, 솔레노이드 작동, 범용 증폭, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

고온 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC에서 제공하는 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간 >10 MHz 스위칭 및 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA). 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간은 접합 온도와 무관합니다.. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 에 의해 구동 될 수 있습니다 0/+5 V TTL 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 달리 SJT의 고유 한 장점은 더 높은 장기적 안정성입니다., >20 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능. 이 장치는 다른 어떤 SiC 스위치보다 훨씬 높은 선형성을 약속하므로 효율적인 증폭기로 사용할 수 있습니다..

GeneSiC에서 제공하는 고온 SiC 쇼트키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 나타냅니다., 고온에서 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 사용에 이상적인 후보입니다., 고온 회로. TO-46 금속 캔 패키지 및 이러한 제품을 만드는 데 사용되는 관련 포장 프로세스는 높은 신뢰성이 중요한 장기 사용을 결정적으로 가능하게합니다..

“GeneSiC의 트랜지스터 및 정류기 제품은 고온 작동이 가능하도록 기초부터 설계 및 제조되었습니다.. 이 소형 TO-46 패키지 SJT는 높은 전류 이득을 제공합니다. (>110), 0/+5 V TTL 제어, 강력한 성능. 이 장치는 낮은 전도 손실과 높은 선형성을 제공합니다.. 우리는 "SHT"정류기 라인을 설계합니다., 고온에서 낮은 누설 전류 제공. 이러한 금속 캔 패키지 제품은 소형 폼 팩터를 제공하기 위해 작년에 출시 된 TO-257 및 금속 SMD 제품을 보완합니다., 내 진동 솔루션” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.:TO-46 SiC 트랜지스터 다이오드

240 mOhm SiC 접합 트랜지스터:

  • 300 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT03-46
  • 100 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT01-46
  • 현재 이득 (hFE) >110
  • 티jmax = 210영형씨
  • 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

까지 4 암페어 고온 쇼트 키 다이오드:

  • 600 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT06-46
  • 300 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT03-46
  • 100 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT01-46
  • 총 용량 성 전하 9 체크 안함
  • 티jmax = 210영형씨.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 금속 캔 TO-46 패키지에 보관됩니다. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 과 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.