범주: 보도 자료

두번째, 캘리포니아., 8월 15일, 2022 - 에너지반도체 (나스닥: NVTS), 질화갈륨의 업계 리더 (GaN) 전력 IC, 오늘 GeneSiC 반도체 인수 발표, 탄화규소 (SiC) SiC 전력 장치 설계 및 프로세스에 대한 깊은 전문 지식을 갖춘 선구자. GeneSiC의 수익성이 높기 때문에 거래는 즉시 Navitas에 반영됩니다., 이상으로 25% EBITDA 마진. 달력 2022 수익은 대략 $25 연간 성장률이 백만 이상 60%. 결합된 회사는 포괄적인, GaN 및 SiC 모두의 차세대 전력 반도체 분야에서 업계 최고의 기술 포트폴리오를 보유하고 있으며, 총 시장 기회는 $20 연간 10억 2026.

“GeneSiC는 업계 최고의 SiC 기술 개발에 집중하고 성공을 거둔 Navitas의 이상적인 파트너입니다.,"라고 진 셰리던은 말했습니다., 나비타스 CEO 겸 공동 설립자. “Navitas는 글로벌 판매에 상당한 투자를 하고 있습니다., 운영 및 기술 지원 팀, EV 및 데이터 센터의 시스템 설계 센터와 함께. 이러한 기능은 GeneSiC를 완벽하게 보완하며 시너지 효과와 신규 고객 및 시장 모두에서 성장을 더욱 가속화할 것입니다.. 오늘, 우리는 'Electricify Our World™'라는 회사의 사명에서 중요한 발걸음을 내디뎠습니다., 실력 있는, 전기 에너지."

“GeneSiC의 특허 보호, 첨단 기술과 혁신적인, 경험이 풍부한 팀은 우리 회사의 성장에 중요한 요소입니다. 업계 최고의 성능을 제공하는 SiC MOSFET, 신뢰할 수 있음, 및 견고성 - 전기 자동차 및 관련 인프라의 광범위한 채택에 중요한 매개변수,"라고 GeneSiC 사장 Dr.. 란 비르 싱. "거의 20 수년간의 최첨단 R&디, 검증된 플랫폼, ~ 위에 500 다양한 고객, 매출 및 수익성 증가, 우리는 Navitas의 대량 생산 전문성과 시장 출시 전략을 활용하여 SiC 수익을 가속화할 수 있습니다.. 우리는 이 새로운 파트너십에 대해 매우 기쁘게 생각합니다.”

박사. Singh는 GeneSiC 사업부의 부사장으로 Navitas에 합류했으며 Navitas는 GeneSiC 팀의 모든 구성원을 유지할 것으로 예상합니다..

전력 반도체에서, GaN과 SiC는 모두 레거시 실리콘보다 우수한 재료입니다., 더 높은 속도를 가능하게 하는, 더 큰 에너지 절약, 더 빠른 충전, 그리고 현저히 줄어든 사이즈, 무게, 그리고 비용. 함께, 이러한 보완적인, 차세대 소재는 20W 스마트폰 충전기에서 광범위한 애플리케이션을 처리합니다., 20kW EV 충전기까지, 20MW 그리드-인프라 시스템 및 그 사이의 모든 것. 이상으로 500 고객, GeneSiC 인수는 다양하고 시너지 효과가 있는 시장과 고객을 제공합니다., 전략적으로 Navitas의 수익을 가속화합니다., 고전력 애플리케이션:

• 전기차: 400V EV 시스템에 최적화된 Navitas GaN IC, GeneSiC 기술은 800V EV 시스템에 이상적입니다., 세계 최고의 BYD를 포함한 기존 수익 및 개발 고객과 #1 전기차 공급업체, 랜드로버, 메르세데스 AMG, 지리, 신리, LG 마그나, 사브, 및 혁신, 수십명의 다른 사람들과 함께.
• 태양열 & 에너지 저장: Navitas GaN IC는 주거용 태양열을 제공합니다., GeneSiC는 더 높은 전력에서 즉각적인 수익을 얻습니다., 상업용 태양열 및 에너지 저장 고객, APS 포함, 고급 에너지, 친트, 선그로우, 그로와트, CATL, Exide 외 다수.
• 더 넓은 산업 시장: GeneSiC 고전압 제품은 철도를 포함한 광범위한 추가 산업 시장에서 즉각적인 수익 창출, UPS, 바람, 그리드 전력, 산업용 모터, 및 의료 영상.

상세 거래 내역

GeneSiC 인수는 즉시 Navitas의 주당 순이익을 증가시킬 것으로 예상됩니다.. 총 고려 사항은 대략 $100 현금으로 백만, 24.9 Navitas 주식의 100만 주 및 최대 수익금 $25 9월로 끝나는 4분기 동안 GeneSiC 사업에 대한 실질적인 수익 목표 달성에 백만 30, 2023. GeneSiC에 대한 자세한 내용은 ir.navitassemi.com에서 확인할 수 있습니다..

고문

Jefferies LLC는 Navitas의 재정 고문으로 활동했으며 Bank of America는 GeneSiC의 재정 고문으로 활동했습니다.. TCF 법률 그룹, PLLC는 Navitas 및 Gibson의 법률 고문으로 활동했습니다., 던 & Crutcher LLP는 GeneSiC의 법률 고문으로 활동했습니다..

전화 회의 및 웹캐스트 정보

GeneSiC 인수는 Navitas Q2의 일부로 논의될 것입니다. 2022 어닝 콜:

언제: 월요일, 팔월 15^일, 2022

시간: 2:00 오후. 태평양 / 5:00 오후. 동부

수신자 부담 전화 접속: (800) 715-9871 또는 (646) 307-1963

회의 ID: 6867001

라이브 웹캐스트: https://edge.media-server.com/mmc/p/tqt3b9y7

다시 하다: 통화 재생은 회사 웹사이트의 투자자 정보 섹션에서 액세스할 수 있습니다. https://ir.navitassemi.com/.

미래예측진술에 관한 주의사항

이 보도 자료에는 미국 증권 거래법(Securities Exchange Act) 섹션 21E의 의미 내에서 "미래 예측 진술"이 포함되어 있습니다. 1934, 수정된 대로. 미래예측진술은 "우리가 기대하는" 또는 "," "추정," "계획," "프로젝트," "예측," "의도하다," "예상하다," "믿다," "찾다. 목표물 탐색,” 또는 미래의 사건이나 경향을 예측하거나 나타내거나 역사적 문제에 대한 진술이 아닌 기타 유사한 표현. 이러한 미래 예측 진술에는 다음이 포함됩니다., 그러나 이에 국한되지 않는다, 기타 재무 및 성과 지표의 추정 및 예측과 시장 기회 및 시장 점유율 예측에 관한 진술. 이러한 진술은 다양한 가정을 기반으로 합니다., 이 보도 자료에서 확인되었는지 여부. 이 진술은 또한 나비타스 경영진의 현재 기대치를 기반으로 하며 실제 성과에 대한 예측이 아닙니다.. 이러한 미래 예측 진술은 설명 목적으로만 제공되며 다음과 같은 역할을 하지 않습니다., 어떤 투자자도 다음과 같이 의존해서는 안 됩니다., 보증, 보증, 사실이나 확률에 대한 예측 또는 결정적인 진술. 실제 사건과 상황은 예측하기 어렵거나 불가능하며 가정 및 기대와 다를 것입니다.. 성능에 영향을 미치는 많은 실제 사건과 상황은 Navitas가 통제할 수 없습니다.. 미래예측진술은 많은 위험과 불확실성의 영향을 받습니다., 나비타스와 GeneSiC 사업의 예상 성장이 실현되지 않을 가능성을 포함, 또는 예상 기간 내에 실현되지 않을 것입니다., ~ 때문에, 다른 것들 사이, GeneSiC를 Navitas의 비즈니스 및 운영 시스템에 성공적으로 통합하지 못함; 인수가 고객 및 공급업체 관계에 미치는 영향 또는 이러한 관계를 유지 및 확장하지 못하는 경우; 다른 사업 개발 노력의 성공 또는 실패; 나비타스의 재무상태 및 영업실적; Navitas의 비용을 적절하게 예산 책정하고 조정하기 위해 미래 수익을 정확하게 예측하는 Navitas의 능력; 고객 기반을 다양화하고 새로운 시장에서 관계를 발전시키는 Navitas의 능력; 기술을 새로운 시장 및 애플리케이션으로 확장할 수 있는 Navitas의 능력; 경쟁이 나비타스 사업에 미치는 영향, 우리가 침투하고자 하는 시장에서 확고한 입지와 자원을 가진 경쟁자의 행동을 포함합니다., 탄화규소 시장을 포함한; Navitas 및 GeneSiC 고객의 최종 시장 수요 수준, 일반적으로 그리고 제품이나 기술의 연속적인 세대와 관련하여; 나비타스의 매력, 핵심 자격을 갖춘 인력을 교육 및 유지; 정부 무역 정책의 변화, 관세 부과를 포함하여; COVID-19 전염병이 나비타스의 비즈니스에 미치는 영향, 영업실적 및 재무상태; 코로나19 팬데믹이 세계 경제에 미치는 영향, Navitas의 공급망과 고객 및 공급업체의 공급망을 포함하되 이에 국한되지 않습니다.; 미국 및 외국의 규제 개발; 지적 재산권을 보호하는 Navitas의 능력. 이러한 위험 요소 및 기타 위험 요소는 다음에서 논의됩니다. 위험 요소 섹션 p에서 시작. 11 우리의 Form 10-K에 대한 연례 보고서 12월 종료 연도에 대해 31, 2021, 우리가 증권 거래 위원회에 제출한 ("SEC") 3월에 31, 2022 그리고 이후 수정, SEC에 제출하는 다른 문서에서, Form 10-Q에 대한 분기별 보고서 포함. 이러한 위험이 현실화되거나 당사의 가정이 잘못된 것으로 판명되는 경우, 실제 결과는 이러한 미래 예측 진술이 암시하는 결과와 크게 다를 수 있습니다.. Navitas가 인지하지 못하거나 현재 Navitas가 중요하지 않다고 믿는 추가 위험이 있을 수 있으며, 이는 실제 결과가 미래 예측 진술에 포함된 것과 실질적으로 다를 수 있습니다.. 게다가, 미래 예측 진술은 나비타스의 기대를 반영합니다., 이 보도 자료 날짜를 기준으로 향후 이벤트 및 전망에 대한 계획 또는 예측. Navitas는 후속 이벤트 및 개발로 인해 Navitas의 평가가 변경될 것으로 예상합니다.. 하지만, Navitas는 미래의 어느 시점에서 이러한 미래 예측 진술을 업데이트하도록 선택할 수 있습니다., Navitas는 특별히 그렇게 할 의무를 부인합니다.. 이러한 미래 예측 진술은 이 보도 자료 날짜 이후의 날짜를 기준으로 Navitas의 평가를 나타내는 것으로 의존해서는 안 됩니다..

나비타스 소개

반도체 에너지 (나스닥: NVTS) 갈륨 질화물의 업계 선두 주자입니다. (GaN) 전력 IC, 에 설립 2014. GaNFast™ 전력 IC는 GaN 전력을 드라이브와 통합합니다., 제어, 더 빠른 충전을 위한 감지 및 보호, 모바일을 위한 더 높은 전력 밀도 및 더 큰 에너지 절약, 소비자, 데이터 센터, EV 및 태양광 시장. 위에 165 Navitas 특허가 발행되었거나 출원 중입니다.. 위에 50 보고된 GaN 필드 오류가 없는 상태로 백만 유닛이 배송되었습니다., Navitas는 업계 최초이자 유일한 20년 보증을 도입했습니다.. 나비타스는 세계 최초의 반도체 기업입니다. 카본뉴트럴®-인증.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC 반도체 탄화규소의 선구자이자 세계적인 리더입니다. (SiC) 기술. 선도적인 글로벌 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 보다 경제적이고 다양한 고전력 시스템에서 에너지를 절약하는 데 핵심적인 역할을 합니다.. GeneSiC는 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적인 특허를 보유하고 있습니다., 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $5 억 2025. 디자인의 핵심 강점, 프로세스와 기술은 고객의 최종 제품에 더 많은 가치를 더합니다., 실리콘 카바이드 산업에서 새로운 표준을 설정하는 성능 및 비용 메트릭으로.

연락 정보

미디어

그레이엄 로버트슨, CMO 그랜드 브릿지

그레이엄@GrandBridges.com

투자자

스티븐 올리버, 기업 마케팅 부사장 & 투자자 관계

ir@navitassemi.com

반도체 에너지, GANFast, GaNSense 및 Navitas 로고는 Navitas Semiconductor Limited의 상표 또는 등록 상표입니다.. 기타 모든 브랜드, 제품 이름 및 마크는 해당 소유자의 제품 또는 서비스를 식별하는 데 사용되는 상표 또는 등록 상표이거나 그럴 수 있습니다..

전력 시스템 설계 인터뷰 GeneSiC

뉘른베르크, 독일 5월 12, 2016 — GeneSiC Semiconductor의 사장은 Power Systems Design의 Alix Paultre와 인터뷰했습니다. (https://www.powersystemsdesign.com/psdcast-ranbir-singh-of-genesic-on-ir-latest-silicon-carbide-tech/67) 뉘른베르크에서 열린 PCIM 쇼에서, 독일.

견고한 Co-packaged SiC 트랜지스터-다이오드 조합, 외딴, 4-리드, 미니 모듈 패키징은 턴온 에너지 손실을 줄이고 고주파 전력 변환기를위한 유연한 회로 설계를 가능하게합니다.

덜스, VA, 할 수있다 13, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 즉시 가용성을 발표합니다 20 절연 된 mOhm-1200V SiC 접합 트랜지스터 다이오드, 4-유연성을 제공하면서 매우 낮은 턴온 에너지 손실을 가능하게하는 리드 미니 모듈 패키징, 고주파 전력 변환기의 모듈 형 설계. 고주파 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 높은 작동 주파수에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이 장치는 인덕션 히터를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다., 플라즈마 발생기, 빠른 충전기, DC-DC 컨버터, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

1200 V / 20mOhm 실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 정류기-분리 된 SOT-227 패키지로 공동 패키징되어 별도의 게이트 소스 및 싱크 기능 제공

공동 패키지 된 SiC 접합 트랜지스터 (SJT)-GeneSiC에서 제공하는 SiC 정류기는 SJT가 유일한 광대역 갭 스위치를 제공하기 때문에 유도 성 스위칭 애플리케이션에 고유하게 적용 할 수 있습니다. >10 마이크로 초 반복 단락 기능, 심지어 80% 정격 전압의 (예 :. 960 V를위한 1200 V 장치). 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간과 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 외에도 (RBSOA), 새로운 구성의 Gate Return 단자는 스위칭 에너지를 줄이는 능력을 크게 향상시킵니다.. 이 새로운 등급의 제품은 접합 온도와 무관 한 일시적인 에너지 손실 및 스위칭 시간을 제공합니다.. GeneSiC의 SiC 접합 트랜지스터는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 낮은 게이트 전압에서 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리.
이 미니 모듈에 사용 된 SiC 쇼트 키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 보여줍니다., 높은 온도에서 우수한 서지 전류 정격 및 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 회로에 사용하기에 이상적인 후보입니다..
“GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기 제품은 낮은 온 상태 및 스위칭 손실을 실현하도록 설계 및 제조되었습니다.. 혁신적인 패키지에 이러한 기술을 결합하여 광대역 밴드 갭 기반 장치를 요구하는 전력 회로에서 탁월한 성능을 약속합니다.. 미니 모듈 패키징은 H-Bridge와 같은 다양한 전원 회로에 사용할 수있는 뛰어난 설계 유연성을 제공합니다., 플라이 백 및 다단계 인버터” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.
20 mOhm / 1200V SiC 접합 트랜지스터 / 정류기 코팩 (GA50SICP12-227):
• 절연 SOT-227 / 미니 블록 / Isotop 패키지
• 트랜지스터 전류 이득 (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (포장에 의해 제한됨)
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트 됨. 이 장치는 GeneSiC의 공인 대리점.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다: https://192.168.88.14/상용 -sic / sic-modules-copack /

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

높은 온도 (>210^영형씨) 소형 폼 팩터 금속 캔 패키지의 접합 트랜지스터 및 정류기는 증폭을 포함한 다양한 애플리케이션에 혁신적인 성능 이점을 제공합니다., 저소음 회로 및 다운 홀 액추에이터 제어

덜스, VA, 행진 9, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 컴팩트 라인의 즉각적인 가용성을 발표, TO-46 금속 캔 패키지의 고온 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 라인. 이러한 개별 구성 요소는 다음보다 높은 주변 온도에서 작동하도록 설계 및 제조되었습니다. 215^영형씨. 고온 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 고온에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이러한 장치는 다양한 다운 홀 회로를 포함하여 다양한 응용 분야에서 사용하기위한 것입니다., 지열 계측, 솔레노이드 작동, 범용 증폭, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

고온 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC에서 제공하는 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간 >10 MHz 스위칭 및 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA). 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간은 접합 온도와 무관합니다.. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 에 의해 구동 될 수 있습니다 0/+5 V TTL 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 달리 SJT의 고유 한 장점은 더 높은 장기적 안정성입니다., >20 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능. 이 장치는 다른 어떤 SiC 스위치보다 훨씬 높은 선형성을 약속하므로 효율적인 증폭기로 사용할 수 있습니다..

GeneSiC에서 제공하는 고온 SiC 쇼트키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 나타냅니다., 고온에서 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 사용에 이상적인 후보입니다., 고온 회로. TO-46 금속 캔 패키지 및 이러한 제품을 만드는 데 사용되는 관련 포장 프로세스는 높은 신뢰성이 중요한 장기 사용을 결정적으로 가능하게합니다..

“GeneSiC의 트랜지스터 및 정류기 제품은 고온 작동이 가능하도록 기초부터 설계 및 제조되었습니다.. 이 소형 TO-46 패키지 SJT는 높은 전류 이득을 제공합니다. (>110), 0/+5 V TTL 제어, 강력한 성능. 이 장치는 낮은 전도 손실과 높은 선형성을 제공합니다.. 우리는 "SHT"정류기 라인을 설계합니다., 고온에서 낮은 누설 전류 제공. 이러한 금속 캔 패키지 제품은 소형 폼 팩터를 제공하기 위해 작년에 출시 된 TO-257 및 금속 SMD 제품을 보완합니다., 내 진동 솔루션” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.:

240 mOhm SiC 접합 트랜지스터:

• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT01-46
• 현재 이득 (h_FE) >110
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

까지 4 암페어 고온 쇼트 키 다이오드:

• 600 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT06-46
• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT01-46
• 총 용량 성 전하 9 체크 안함
• 티_jmax = 210^영형씨.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 금속 캔 TO-46 패키지에 보관됩니다. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 과 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

높은 스위칭 속도 및 동작 기반 모델에 최적화 된 게이트 드라이버 보드를 통해 전력 전자 설계 엔지니어는 보드 수준 평가 및 회로 시뮬레이션에서 SJT의 이점을 확인하고 정량화 할 수 있습니다.

덜스, V.A., 11 월 19, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 게이트 드라이버 평가 기판의 즉각적인 가용성을 발표하고 업계 최저 손실 스위치 인 SiC 접합 트랜지스터에 대한 설계 지원을 확대했습니다. (SJT) – 정규화 된 LTSPICE IV 모델 사용. 새로운 게이트 드라이버 보드 사용, 전력 변환 회로 설계자는 15 나노초 미만의 이점을 확인할 수 있습니다., SiC 접합 트랜지스터의 온도 독립적 스위칭 특성, 낮은 드라이버 전력 손실. 새로운 SPICE 모델 통합, 회로 설계자는 GeneSiC의 SJT가 비슷한 등급의 장치에 대해 기존 실리콘 전력 스위칭 장치에서 가능한 것보다 높은 수준의 효율성을 달성하기 위해 제공하는 이점을 쉽게 평가할 수 있습니다..

GeneSiC의 SJT에 적용 가능한 게이트 드라이버 보드 GA03IDDJT30-FR4

SiC 접합 트랜지스터는 다른 SiC 트랜지스터 기술과 크게 다른 특성을 가지고 있습니다., 뿐만 아니라 실리콘 트랜지스터. SiC 접합 트랜지스터의 이점을 활용하기위한 드라이브 솔루션을 제공하려면 낮은 전력 손실을 제공하면서도 높은 스위칭 속도를 제공 할 수있는 게이트 드라이버 보드가 필요했습니다.. GeneSiC의 완전 분리 GA03IDDJT30-FR4 게이트 드라이버 보드는 0 / 12V 및 TTL 신호를 받아 작은 상승 / 하강 시간을 제공하는 데 필요한 전압 / 전류 파형을 최적으로 조정합니다., 온 상태 동안 정상 꺼짐 SJT 전도를 유지하기위한 연속 전류 요구 사항을 최소화하면서. 핀 구성 및 폼 팩터는 다른 SiC 트랜지스터와 유사하게 유지됩니다.. GeneSiC는 또한 최종 사용자에게 Gerber 파일과 BOM을 출시하여 실현 된 드라이버 설계 혁신의 이점을 통합 할 수 있습니다..

SJT는 잘 작동하는 온 상태 및 스위칭 특성을 제공합니다., 기본 물리 기반 모델과 매우 잘 일치하는 동작 기반 SPICE 모델을 쉽게 만들 수 있습니다.. 잘 확립되고 이해 된 물리 기반 모델 사용, SPICE 매개 변수는 장치 동작에 대한 광범위한 테스트 후 출시되었습니다.. GeneSiC의 SPICE 모델은 모든 기기 데이터 시트의 실험적으로 측정 된 데이터와 비교되며 모든 기기에 적용 가능합니다. 1200 V 및 1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시.
GeneSiC의 SJT는 더 많은 스위칭 주파수를 제공 할 수 있습니다. 15 IGBT 기반 솔루션보다 배. 더 높은 스위칭 주파수는 더 작은 자기 및 용량 성 요소를 가능하게합니다., 따라서 전체 크기를 축소, 전력 전자 시스템의 무게와 비용.

이 SiC 접합 트랜지스터 SPICE 모델은 GeneSiC의 포괄적 인 설계 지원 도구 제품군에 추가됩니다., 기술 문서, 전력 전자 엔지니어에게 GeneSiC의 포괄적 인 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 제품군을 차세대 전력 시스템에 구현하는 데 필요한 설계 리소스를 제공하기위한 및 신뢰성 정보.

GeneSiC의 게이트 드라이버 보드 데이터 시트 및 SJT SPICE 모델은 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/