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GeneSiC, 실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 출시

덜스, VA, 이월 25, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 1700V 및 1700V 제품군의 즉각적인 가용성을 발표했습니다. 1200 V SiC 접합 트랜지스터. 고전압 통합, 고주파 및 고온 가능 SiC 접합 트랜지스터는 변환 효율을 높이고 전력 전자 장치의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이러한 장치는 서버를 포함한 다양한 응용 프로그램에서 사용하기위한 것입니다., 통신 및 네트워킹 전원 공급 장치, 무정전 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 산업용 모터 제어 시스템, 및 다운 홀 애플리케이션.

GeneSiC에서 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 보여줍니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 주도 할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, 정션 트랜지스터는 일치하는 과도 특성으로 인해 쉽게 병렬화 될 수 있습니다..

“전력 시스템 설계자가 계속해서 작동 주파수의 한계를 밀어 붙임에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능 및 생산 균일 성을 제공 할 수있는 SiC 스위치 필요. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 트랜지스터 제품은 설계자가보다 강력한 솔루션으로 모든 것을 달성 할 수 있도록 지원합니다.,” 박사가 말했다. 란 비르 싱 , GeneSiC Semiconductor 회장.

1700 V 접합 트랜지스터 기술 하이라이트

  • 세 가지 제품 – 110 mOhms (GA16JT17-247); 250 mOhms (GA08JT17-247); 과 500 mOhms (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • 상승 / 하강 시간 켜기 / 끄기 <50 일반적인 나노초.

1200 V 접합 트랜지스터 기술 하이라이트

  • 두 가지 제품 – 220 mOhms (GA06JT12-247); 과 460 mOhms (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • 상승 / 하강 시간 켜기 / 끄기 <50 일반적인 나노초

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 TO-247 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

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사이리스터가 더 높은 수준에 도달하도록 하는 새로운 물리학

덜스, VA, 팔월 30, 2011 – 새로운 물리학으로 사이리스터가 더 높은 수준에 도달

전력망은 원활한 전력 공급을 보장하는 전자 장치의 도움으로 안정적인 전력을 공급합니다., 안정적인 전력 흐름. 지금까지, 실리콘 기반 어셈블리는, 그러나 그들은 스마트 그리드의 요구 사항을 처리할 수 없었습니다.. 탄화규소와 같은 광대역 갭 재료 (SiC) 더 높은 스위칭 속도가 가능하므로 더 나은 대안 제공, 더 높은 항복 전압, 낮은 스위칭 손실, 기존 실리콘 기반 스위치보다 높은 접합 온도. 시장에 출시된 최초의 SiC 기반 장치는 초고전압 탄화규소 사이리스터입니다. (SiC 사이리스터), GeneSiC Semiconductor Inc.에서 개발한, 덜레스, Va., Sandia 국립 연구소의 지원으로, 앨버커키, N.M., 미국. 에너지/전기배달학과, 그리고 미국. 육군/군비 연구, 개발 및 엔지니어링 센터, 피카티니 아스날, 뉴저지.

개발자는 이 장치에 대해 다른 작동 물리학을 채택했습니다., 소수 캐리어 운송 및 통합 세 번째 터미널 정류기에서 작동하는, 이는 다른 상용 SiC 장치보다 하나 더 많습니다.. 개발자는 위의 등급을 지원하는 새로운 제작 기술을 채택했습니다. 6,500 V, 고전류 장치를 위한 새로운 게이트-양극 설계. 최대 온도에서 수행 가능 300 C 및 현재 80 ㅏ, SiC 사이리스터는 최대 10 배 더 높은 전압, 4배 더 높은 차단 전압, 과 100 실리콘 기반 사이리스터보다 몇 배 더 빠른 스위칭 주파수.

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GeneSiC가 권위있는 R을 획득했습니다.&그리드 연결 태양열 및 풍력 에너지 애플리케이션의 SiC 장치에 대한 D100 상

덜스, VA, 칠월 14, 2011 — NS&D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2011 NS&디 100 고전압 정격 실리콘 카바이드 장치 상용화 수상.

GeneSiC 반도체 Inc, 실리콘 카바이드 기반 전력 장치의 핵심 혁신가는 지난주 권위있는 2011 NS&디 100 D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다.. D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다., D Magazine에서 GeneSiC Semiconductor Inc를 선택했습니다. 2010. NS&D Magazine은 전력 전자 시연을 위해 이전에 사용되지 않은 차단 전압 및 주파수를 달성 할 수있는 능력으로 GeneSiC의 초고압 SiC 사이리스터를 인정했습니다.. 전압 등급 >6.5케이 V, 온 상태 전류 등급 80 A 및 작동 주파수 >5 kHz는 이전에 시장에 소개 된 것보다 훨씬 높습니다.. GeneSiC의 사이리스터가 달성 한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구자들은 그리드 연결 인버터를 개발할 수 있습니다., 융통성 있는

AC 전송 시스템 (사리) 및 고전압 DC 시스템 (HVDC). 이것은 재생 가능 에너지 내에서 새로운 발명과 제품 개발을 가능하게 할 것입니다, 태양광 인버터, 풍력 인버터, 및 에너지 저장 산업. 박사. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor의 사장은“전력 변환 분야의 연구자들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능 및 펄스 전력 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " 이 제품은 10 월에 출시 된 이후 2010, GeneSiC는 이러한 실리콘 카바이드 사이리스터를 사용하여 고급 전력 전자 하드웨어를 시연하기 위해 여러 고객의 주문을 예약했습니다.. GeneSiC는 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군을 계속 개발하고 있습니다.. GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다.&전력 변환 애플리케이션을위한 초기 버전의 D는 미국 Dept의 SBIR 자금 지원을 통해 개발되었습니다.. 에너지. 더 고급, 펄스 전력에 최적화 된 SiC 사이리스터는 ARDEC과의 또 다른 SBIR 계약에 따라 개발 중입니다., 미 육군. 이러한 기술 개발 사용, GeneSiC의 내부 투자 및 여러 고객의 상업 주문, GeneSiC는 이러한 UHV 사이리스터를 상용 제품으로 제공 할 수있었습니다..

R이 운영하는 제 49 회 연례 기술 대회&GeneSiC의 장치가 달성한 이러한 기능을 통해 전력 전자 연구원은 인버터 및 DC-DC 컨버터와 같은 차세대 전력 전자 시스템을 개발할 수 있습니다., 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학.

전 세계의 연구 기관 및 대학&전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학&디 100 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학, 전 세계의 연구 기관 및 대학. 전 세계의 연구 기관 및 대학.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치. GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방. GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여www.genesicsemi.com.

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GeneSiC 반도체, 기술 쇼케이스로 선정 2011 ARPA-E 에너지 혁신 정상 회담

덜스, VA, 이월 28, 2011 – GeneSiC Semiconductor는 ARPA-E Energy Innovation Summit에서 권위 있는 Technology Showcase에 대한 선택을 발표하게 된 것을 기쁘게 생각합니다., 에너지부 첨단연구사업단 공동주최 – 에너지 (아르파-E) 청정 기술 및 지속 가능한 산업 조직 (CTSI). 수백 명의 최고 기술자와 최첨단 청정 기술 조직이 쇼케이스에 참가하기 위해 경쟁했습니다., 에너지 분야에서 미래를 이기기 위한 미국의 가장 유망한 전망의 복도.

ARPA-E가 선택한 조직 중 하나로, GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드를 거의 2,000 에너지 부문에서 미국의 장기적인 경쟁력을 주도하기 위해 모인 국가 지도자들, 최고 연구원을 포함한, 투자자, 기업가, 기업 임원 및 공무원. 이상 200 ARPA-E 수상자의 획기적인 기술, 기업, 국립 연구소 및 에너지 R부&D 프로그램은 이벤트에서 선보일 예정입니다..

“이 Summit은 차세대 에너지 기술을 시장에 출시하기 위해 협력하고 파트너가 될 필요성을 이해하는 조직을 한데 모았습니다.,"라고 GeneSiC 반도체는, 대통령, 박사. 란 비르 싱. "에너지 커뮤니티의 많은 주요 업체를 한 지붕 아래에 모을 수 있는 드물고 흥미로운 기회이며 기술 쇼케이스에서 다른 혁신가 및 투자자와 당사의 탄화규소 전력 장치를 공유할 수 있기를 기대합니다."

연구 및 비즈니스 개발 팀 14 다우를 비롯한 기술 상용화에 전념하는 기업 가속화 파트너도 참석할 예정입니다., 보쉬, 어플라이드 머티어리얼즈와 록히드마틴.

Summit에는 미국을 비롯한 유명 연사들도 참여합니다.. 스티븐 추 에너지장관, ARPA-E 디렉터 Arun Majumdar, 우리를. 레이먼드 마버스 해군장관, Arnold Schwarzenegger 전 캘리포니아 주지사와 Charles Holliday Bank of America 회장.

두 번째 연례 ARPA-E 에너지 혁신 정상 회담은 2월에 열릴 예정입니다. 28 – 행진 2, 2011 워싱턴 외곽의 게이로드 컨벤션 센터에서, DC. 자세히 알아보거나 등록하려면 다음을 방문하십시오.: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

GeneSiC Semiconductor 정보

GeneSiC 반도체 Inc. 고온용 와이드밴드갭 반도체 소자 개발, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., 전원 스위치 및 바이폴라 장치. GeneSiC는 독특하고 광범위한 반도체 설계 제품군을 사용합니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 광범위한 대량 시장에 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, 육군, 나사, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방.

ARPA-E 소개

첨단연구사업단 – 에너지 (아르파-E) 미국 내 새로운 에이전시입니다.. 에너지부 – 우리가 에너지를 사용하는 방식을 근본적으로 바꿀 수 있는 획기적인 에너지 기술에 독점적으로 초점을 맞춘 최초의 부서. 직접 조사하는 것보다, ARPA-E는 고위험에 투자합니다., 대학에서 개발 중인 고수익 에너지 기술, 스타트업, 중소기업, 및 기업. 우리 직원들은 업계 최고의 과학자들을 결합합니다., 엔지니어, 국가의 가장 중요한 에너지 문제에 대한 유망한 솔루션을 식별하고 시장을 향한 최고의 기술을 신속하게 추적할 수 있는 투자 임원 - 이는 국가의 글로벌 기술 리더십을 확보하고 새로운 미국 산업과 일자리를 창출하는 데 중요합니다.. 방문 www.arpa-e.energy.gov자세한 내용은.

CTSI 소개

청정기술 & 지속 가능한 산업 조직 (CTSI), 501c6 비영리 산업 협회, 개발하는 조직을 나타냅니다., 상업화, 에너지 구현, 물, 및 환경 기술. 청정 기술은 증가하는 자원 보안 및 지속 가능성 문제에 대해 매우 필요한 솔루션을 제공하며 경제적 경쟁력을 유지하는 데 중요합니다.. CTSI는 옹호를 위해 글로벌 리더를 모았습니다., 지역 사회 개발, 네트워킹, 이러한 필요한 기술을 보다 신속하게 시장에 출시하는 데 도움이 되는 정보 공유. 방문 www.ct-si.org 자세한 내용은.

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GeneSiC는 미래의 금성 탐사 임무를 지원하기 위해 NASA의 전력 관리 프로젝트를 수상했습니다.

덜스, VA, 12 월 14, 2010 – GeneSiC 반도체 Inc., 새로운 실리콘 카바이드의 핵심 혁신자 (SiC) 고온용 장치, 고출력, 및 초고전압 애플리케이션, "에서 작동하는 고전력 모터 제어 모듈을 위한 통합 SiC 슈퍼 접합 트랜지스터-다이오드 장치"라는 프로젝트의 선택을 발표했습니다. 500 oC" 미국 항공 우주국 (나사) 1단계 SBIR 상을 위해. 이 SBIR 프로젝트는 모놀리식 통합 SiC JBS 다이오드-초접합 트랜지스터의 개발에 중점을 두고 있습니다. (MIDSJT) 금성과 같은 환경에서 작동하는 장치 (500 °C 표면 온도). 이 프로그램에서 개발된 SiC MIDSJT 장치는 금성 탐사 로버와 직접 통합하기 위한 모터 제어 전원 모듈을 구성하는 데 사용됩니다..

“NASA의 고온 SiC 장치 솔루션에 대한 확신에 만족합니다.. 이 프로젝트를 통해 GeneSiC는 혁신적인 장치 및 패키징 솔루션을 통해 업계 최고의 SiC 기반 전력 관리 기술을 개발할 수 있습니다.” 박사가 말했다. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC 기술 이사. “이 프로그램에서 목표로 하는 SiC MIDSJT 장치는 킬로와트 수준의 전력이 500 ° C. 우주 응용 분야 외에도, 이 새로운 기술은 주변 온도가 200 ° C. 이러한 응용 분야는 현재 최신 실리콘의 열악한 고온 성능과 JFET 및 MOSFET과 같은 SiC 기반 장치 기술로 인해 현재 제한되어 있습니다.” 그는 덧붙였다.

GeneSiC는 Dulles의 장비 및 인력 인프라를 지속적으로 빠르게 개선하고 있습니다., 버지니아 시설. 회사는 화합물 반도체 소자 제조 경험이있는 인력을 적극적으로 채용하고 있습니다., 반도체 테스트 및 검출기 설계. 회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.

GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.

GeneSiC 반도체 Inc. 실리콘 카바이드 개발 (SiC) 고온 용 반도체 소자, 방사능, 및 전력망 애플리케이션. 여기에는 정류기 개발이 포함됩니다., FET, 양극성 장치 및 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 광범위한 반도체 설계 제품군에 액세스 할 수 있습니다., 제작, 이러한 장치에 대한 특성화 및 테스트 시설. GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다.. 회사는 각 고객의 요구 사항에 특별히 맞춘 고품질 제품을 제공함으로써 차별화됩니다.. GeneSiC는 ARPA-E를 포함한 미국 주요 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었습니다., 미국 에너지 부, 해군, DARPA, 국토 안보부, 미국 상무부 및 기타 부서. 국방.

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다중 kHz, 미국 연구원들에게 샘플링 된 초고압 실리콘 카바이드 사이리스터

덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor, 스마트 그리드 애플리케이션 용 전력 전자 장치에 사용하기위한 6.5kV SCR 모드 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군 출시 발표. 이러한 전력 장치의 혁신적인 성능 이점은 분산 에너지 자원의 접근성과 활용을 높이기 위해 유틸리티 규모 전력 전자 하드웨어의 주요 혁신을 촉진 할 것으로 예상됩니다. (의). "지금까지, 다중 kV 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 장치는 SiC 기반 전력 장치의 잘 알려진 장점 (5-15kV 정격에서 2-10kHz 작동 주파수)을 충분히 활용하기 위해 미국 연구자들에게 공개적으로 제공되지 않았습니다.” 박사 코멘트. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “GeneSiC는 최근 많은 6.5kV / 40A 공급을 완료했습니다., 6.5재생 가능 에너지 연구를 수행하는 여러 고객에게 kV / 60A 및 6.5kV / 80A 사이리스터 제공, 육군 및 해군 전력 시스템 애플리케이션. 이러한 등급의 SiC 장치는 이제 더 광범위하게 제공되고 있습니다.”

실리콘 카바이드 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100X 기존 실리콘 기반 사이리스터에 비해 더 빠른 스위칭 주파수 및 더 높은 온도 작동. 이러한 장치에 대한 대상 애플리케이션 연구 기회에는 범용 고압 전력 변환이 포함됩니다. (MVDC), 계통 연계 형 태양 광 인버터, 풍력 인버터, 펄스 전력, 무기 시스템, 점화 제어, 및 트리거 제어. 이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소.

박사. Singh은 계속해서“전력 변환 분야의 연구원들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

워싱턴 근처에 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC, 실리콘 카바이드 사이리스터 기반 장치 개발을 위해 ARPA-E에서 $ 2.53M 획득

덜스, VA, 전 세계의 연구 기관 및 대학 28, 2010 – 고급 연구 프로젝트 기관 – 에너지 (아르파-E) 새로운 초고압 실리콘 카바이드 개발을 위해 GeneSiC Semiconductor가 이끄는 팀과 협력 계약을 체결했습니다. (SiC) 사이리스터 기반 장치. 이러한 장치는 대규모 풍력 및 태양광 발전소를 차세대 스마트 그리드에 통합하는 핵심 요소가 될 것으로 예상됩니다..

“GeneSiC에 대한 경쟁이 치열한이 상을 통해 우리는 다중 kV 실리콘 카바이드 기술에서 기술 리더십 위치를 확장 할 수 있습니다., 솔리드 스테이트 솔루션을 사용하는 그리드 규모의 대체 에너지 솔루션에 대한 우리의 약속,”박사는. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “우리가 개발하고있는 Multi-kV SiC 사이리스터는 유연한 AC 전송 시스템의 실현을위한 핵심 기술입니다. (사리) 요소 및 고전압 DC (HVDC) 통합을 지향하는 아키텍처, 실력 있는, 미래의 스마트 그리드. GeneSiC의 SiC 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100기존의 실리콘 기반 사이리스터에 비해 FACTS 및 HVDC 전력 처리 솔루션에서 X 빠른 스위칭 주파수와 더 높은 온도 작동.”

4 월 2010, GeneSiC는 전력 기술의 Agile Delivery에 대응 (정통한) 비용을 줄이면서 기존 전력 변환기 성능을 뛰어 넘을 잠재력이있는 고전압 스위치의 근본적인 발전을위한 재료에 투자하려는 ARPA-E의 요청. “중압 전력 변환을위한 실리콘 카바이드 양극 스위치 사이리스터”라는 회사의 제안은 경량화를 제공하기 위해 선택되었습니다., 고체 상태, 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기와 같은 고전력 애플리케이션을위한 중전 압 에너지 변환. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소. 선택된 혁신은 미국을 지원하고 홍보하기위한 것입니다.. 기술 리더십을 통한 비즈니스, 경쟁이 치열한 과정을 통해.

실리콘 카바이드는 기존 실리콘보다 훨씬 우수한 특성을 가진 차세대 반도체 소재입니다., 300ºC의 높은 온도에서 10 배의 전압과 100 배의 전류를 처리 할 수있는 능력. 이러한 특성으로 인해 하이브리드 및 전기 자동차와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적으로 적합합니다., 재생 에너지 (바람과 태양) 설치, 및 전기 그리드 제어 시스템.

이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 장치에 대한 다른 유망한 응용 프로그램 및 이점은 다음과 같습니다.:

  • 미래 해군 능력에서 추구하는 중전 압 DC 변환을위한 전력 관리 및 전력 조절 시스템 (FNC) 미 해군, 전자기 발사 시스템, 고 에너지 무기 시스템 및 의료 영상. 10-100 배 더 높은 작동 주파수 기능으로 전례없는 크기 개선 가능, 무게, 볼륨 및 궁극적으로, 그러한 시스템의 비용.
  • 다양한 에너지 저장, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가 보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력망 애플리케이션에 대한 관심이 높아지고 있습니다..

GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.

“우리는 광범위한 제조 제품군과 함께 장치 및 프로세스 설계의 핵심 역량을 활용하여 초고압 SiC 기술의 리더로 부상했습니다., 성격 묘사, 및 테스트 시설,”박사는. 싱. "GeneSiC의 입장은 이제이 중요한 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었습니다."

GeneSiC Semiconductor 정보

워싱턴 근처에 전략적으로 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다www.genesicsemi.com.

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재생 가능 에너지 스러스트 네트 GeneSiC Semiconductor 미국 에너지 부로부터 150 만 달러

덜스, VA, 십일월 12, 2008 – 미국 에너지 부는 GeneSiC Semiconductor가 고전압 실리콘 카바이드 개발을 위해 총 150 만 달러에 달하는 두 개의 별도의 보조금을 수여했습니다. (SiC) 풍력의 핵심 원동력이 될 장치- 국가의 전력망과 태양 광 발전 통합.

“이상은 GeneSiC의 역량에 대한 DOE의 확신을 보여줍니다., 대체 에너지 솔루션에 대한 약속,”박사는 말합니다.. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “통합, 효율적인 전력망은 국가의 미래 에너지에 매우 중요합니다. 우리가 개발하고있는 SiC 장치는 기존 실리콘 기술의 비 효율성을 극복하는 데 매우 중요합니다. "

첫 번째상은 금식 개발을위한 750,000 달러의 Phase II SBIR 보조금입니다., 초 고전압 SiC 바이폴라 장치. 두 번째는 광학적으로 게이트 된 고전력 SiC 스위치 개발을위한 750,000 달러의 Phase II STTR 보조금입니다..

실리콘 카바이드는 10 배의 전압과 100 배의 실리콘 전류를 처리 할 수있는 차세대 반도체 소재입니다., 재생 가능 에너지와 같은 고전력 애플리케이션에 이상적입니다. (바람과 태양) 설비 및 전기 그리드 제어 시스템.

구체적으로 특별히, 두상은:

  • 고주파 개발, 수 킬로 볼트 SiC 게이트 턴 오프 (GTO) 전원 장치. 정부 및 상업용 애플리케이션에는 선박용 전력 관리 및 컨디셔닝 시스템이 포함됩니다. ㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ ㅇㅇㅇ, 유틸리티 산업, 및 의료 영상.
  • 광학적으로 게이트 된 고전압의 설계 및 제작, 고전력 SiC 스위칭 장치. 광섬유를 사용하여 전원을 전환하는 것은 전자기 간섭이있는 환경에 이상적인 솔루션입니다. (EMI), 및 초 고전압이 필요한 애플리케이션.

GeneSiC가 개발하고있는 SiC 장치는 다양한 에너지 저장 장치를 제공합니다., 전력망, 및 군사 응용, 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..

워싱턴 외곽에 기반, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., 전계 효과 트랜지스터 (FET) 및 양극성 장치, 뿐만 아니라 입자 & 광자 검출기. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.

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GeneSiC Semiconductor, 여러 미국 에너지 부 SBIR 및 STTR 보조금 수상

덜스, VA, 십월 23, 2007 — GeneSiC 반도체 Inc., 빠르게 떠오르는 고온 혁신가, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 2007 회계 연도에 미국 에너지 부로부터 3 개의 개별 중소기업 보조금을 받았다고 발표했습니다.. SBIR 및 STTR 보조금은 GeneSiC에서 다양한 에너지 저장을위한 새로운 고전압 SiC 장치를 시연하는 데 사용됩니다., 전력망, 고온 및 고 에너지 물리학 응용. 전 세계가보다 효율적이고 비용 효율적인 에너지 관리 솔루션에 초점을 맞추면서 에너지 저장 및 전력 그리드 애플리케이션이 점점 더 많은 관심을 받고 있습니다..

“우리는 우리의 고전력 장치 솔루션과 관련하여 미국 에너지 부 (Department on Energy) 내의 여러 사무소에서 표현한 신뢰 수준에 만족합니다.. 이 자금을 당사의 고급 SiC 기술 프로그램에 주입하면 업계 최고의 라인 SiC 장치가 탄생 할 것입니다.,” GeneSiC의 사장 코멘트, 박사. 란 비르 싱. “이 프로젝트에서 개발중인 장치는보다 효율적인 전력망을 지원할 수있는 중요한 기술을 제공 할 것을 약속합니다., 현대 실리콘 기반 기술의 한계로 인해 실현되지 않았던 새로운 상용 및 군사 하드웨어 기술의 문을 열 것입니다.”

세 가지 프로젝트에는 다음이 포함됩니다.:

  • 고전류에 초점을 맞춘 새로운 Phase I SBIR 상, 에너지 저장 애플리케이션에 맞춰진 다중 kV 사이리스터 기반 장치.
  • DOE 과학 청에서 수여하는 고전력 RF 시스템 애플리케이션 용 고전압 전원 공급 장치 용 다중 kV SiC 전력 장치 개발을위한 Phase II SBIR 후속 상.
  • 광학적으로 게이트 된 고전압에 초점을 맞춘 Phase I STTR 상, 전자기 간섭이 많은 환경을위한 고주파 SiC 전력 장치, 고전력 RF 에너지 시스템 포함, 방향성 에너지 무기 시스템.

상과 함께, GeneSiC는 최근 Dulles의 확장 된 실험실 및 사무실 건물로 작업을 이전했습니다., 여자 이름, 장비를 대폭 업그레이드, 추가 핵심 인력을 추가하는 과정에 있습니다..

“GeneSiC는 장치 및 공정 설계의 핵심 역량을 활용하여 고객을위한 최상의 SiC 장치를 개발합니다., 광범위한 제작 제품군에 대한 액세스로 백업, 특성화 및 테스트 시설,” 박사 결론. 싱. “우리는 이러한 기능이 새로운 후속 상을 통해 미국 DOE에 의해 효과적으로 검증되었다고 생각합니다.”

회사 및 제품에 대한 추가 정보는 GeneSiC에 전화하여 얻을 수 있습니다. 703-996-8200 또는 방문하여 www.genesicsemi.com.