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견고한 Co-packaged SiC 트랜지스터-다이오드 조합, 외딴, 4-리드, 미니 모듈 패키징은 턴온 에너지 손실을 줄이고 고주파 전력 변환기를위한 유연한 회로 설계를 가능하게합니다.

덜스, VA, 할 수있다 13, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 즉시 가용성을 발표합니다 20 절연 된 mOhm-1200V SiC 접합 트랜지스터 다이오드, 4-유연성을 제공하면서 매우 낮은 턴온 에너지 손실을 가능하게하는 리드 미니 모듈 패키징, 고주파 전력 변환기의 모듈 형 설계. 고주파 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 높은 작동 주파수에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이 장치는 인덕션 히터를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하도록 설계되었습니다., 플라즈마 발생기, 빠른 충전기, DC-DC 컨버터, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

공동 패키지 된 SiC 접합 트랜지스터 (SJT)-GeneSiC에서 제공하는 SiC 정류기는 SJT가 유일한 광대역 갭 스위치를 제공하기 때문에 유도 성 스위칭 애플리케이션에 고유하게 적용 할 수 있습니다. >10 마이크로 초 반복 단락 기능, 심지어 80% 정격 전압의 (예 :. 960 V를위한 1200 V 장치). 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간과 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 외에도 (RBSOA), 새로운 구성의 Gate Return 단자는 스위칭 에너지를 줄이는 능력을 크게 향상시킵니다.. 이 새로운 등급의 제품은 접합 온도와 무관 한 일시적인 에너지 손실 및 스위칭 시간을 제공합니다.. GeneSiC의 SiC 접합 트랜지스터는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 낮은 게이트 전압에서 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리.
이 미니 모듈에 사용 된 SiC 쇼트 키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 보여줍니다., 높은 온도에서 우수한 서지 전류 정격 및 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 회로에 사용하기에 이상적인 후보입니다..
“GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기 제품은 낮은 온 상태 및 스위칭 손실을 실현하도록 설계 및 제조되었습니다.. 혁신적인 패키지에 이러한 기술을 결합하여 광대역 밴드 갭 기반 장치를 요구하는 전력 회로에서 탁월한 성능을 약속합니다.. 미니 모듈 패키징은 H-Bridge와 같은 다양한 전원 회로에 사용할 수있는 뛰어난 설계 유연성을 제공합니다., 플라이 백 및 다단계 인버터” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.
오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.
20 mOhm / 1200V SiC 접합 트랜지스터 / 정류기 코팩 (GA50SICP12-227):
• 절연 SOT-227 / 미니 블록 / Isotop 패키지
• 트랜지스터 전류 이득 (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (포장에 의해 제한됨)
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트 됨. 이 장치는 GeneSiC의 공인 대리점.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다: https://192.168.88.14/상용 -sic / sic-modules-copack /

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

높은 온도 (>210^영형씨) 소형 폼 팩터 금속 캔 패키지의 접합 트랜지스터 및 정류기는 증폭을 포함한 다양한 애플리케이션에 혁신적인 성능 이점을 제공합니다., 저소음 회로 및 다운 홀 액추에이터 제어

덜스, VA, 행진 9, 2015 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 컴팩트 라인의 즉각적인 가용성을 발표, TO-46 금속 캔 패키지의 고온 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 라인. 이러한 개별 구성 요소는 다음보다 높은 주변 온도에서 작동하도록 설계 및 제조되었습니다. 215^영형씨. 고온 사용, 고전압 및 낮은 온 저항 가능 SiC 트랜지스터 및 정류기는 고온에서 더 높은 전력 처리가 필요한 전자 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이러한 장치는 다양한 다운 홀 회로를 포함하여 다양한 응용 분야에서 사용하기위한 것입니다., 지열 계측, 솔레노이드 작동, 범용 증폭, 및 스위치 모드 전원 공급 장치.

고온 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC에서 제공하는 10 nsec 미만의 상승 / 하강 시간 >10 MHz 스위칭 및 정사각형 역방향 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA). 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간은 접합 온도와 무관합니다.. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 에 의해 구동 될 수 있습니다 0/+5 V TTL 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 달리 SJT의 고유 한 장점은 더 높은 장기적 안정성입니다., >20 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능. 이 장치는 다른 어떤 SiC 스위치보다 훨씬 높은 선형성을 약속하므로 효율적인 증폭기로 사용할 수 있습니다..

GeneSiC에서 제공하는 고온 SiC 쇼트키 정류기는 낮은 온 상태 전압 강하를 나타냅니다., 고온에서 업계 최저 누설 전류. 온도 독립적, 제로에 가까운 역 복구 스위칭 특성, SiC 쇼트 키 정류기는 고효율 사용에 이상적인 후보입니다., 고온 회로. TO-46 금속 캔 패키지 및 이러한 제품을 만드는 데 사용되는 관련 포장 프로세스는 높은 신뢰성이 중요한 장기 사용을 결정적으로 가능하게합니다..

“GeneSiC의 트랜지스터 및 정류기 제품은 고온 작동이 가능하도록 기초부터 설계 및 제조되었습니다.. 이 소형 TO-46 패키지 SJT는 높은 전류 이득을 제공합니다. (>110), 0/+5 V TTL 제어, 강력한 성능. 이 장치는 낮은 전도 손실과 높은 선형성을 제공합니다.. 우리는 "SHT"정류기 라인을 설계합니다., 고온에서 낮은 누설 전류 제공. 이러한 금속 캔 패키지 제품은 소형 폼 팩터를 제공하기 위해 작년에 출시 된 TO-257 및 금속 SMD 제품을 보완합니다., 내 진동 솔루션” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

오늘 출시 된 제품은 다음과 같습니다.:

240 mOhm SiC 접합 트랜지스터:

• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GA05JT01-46
• 현재 이득 (h_FE) >110
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <10 일반적인 나노초.

까지 4 암페어 고온 쇼트 키 다이오드:

• 600 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT06-46
• 300 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT03-46
• 100 V 차단 전압. 부품 번호 GB02SHT01-46
• 총 용량 성 전하 9 체크 안함
• 티_jmax = 210^영형씨.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 금속 캔 TO-46 패키지에 보관됩니다. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 다이오드 모듈. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, downhole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; 과 https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

높은 스위칭 속도 및 동작 기반 모델에 최적화 된 게이트 드라이버 보드를 통해 전력 전자 설계 엔지니어는 보드 수준 평가 및 회로 시뮬레이션에서 SJT의 이점을 확인하고 정량화 할 수 있습니다.

덜스, V.A., 11 월 19, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 게이트 드라이버 평가 기판의 즉각적인 가용성을 발표하고 업계 최저 손실 스위치 인 SiC 접합 트랜지스터에 대한 설계 지원을 확대했습니다. (SJT) – 정규화 된 LTSPICE IV 모델 사용. 새로운 게이트 드라이버 보드 사용, 전력 변환 회로 설계자는 15 나노초 미만의 이점을 확인할 수 있습니다., SiC 접합 트랜지스터의 온도 독립적 스위칭 특성, 낮은 드라이버 전력 손실. 새로운 SPICE 모델 통합, 회로 설계자는 GeneSiC의 SJT가 비슷한 등급의 장치에 대해 기존 실리콘 전력 스위칭 장치에서 가능한 것보다 높은 수준의 효율성을 달성하기 위해 제공하는 이점을 쉽게 평가할 수 있습니다..

SiC 접합 트랜지스터는 다른 SiC 트랜지스터 기술과 크게 다른 특성을 가지고 있습니다., 뿐만 아니라 실리콘 트랜지스터. SiC 접합 트랜지스터의 이점을 활용하기위한 드라이브 솔루션을 제공하려면 낮은 전력 손실을 제공하면서도 높은 스위칭 속도를 제공 할 수있는 게이트 드라이버 보드가 필요했습니다.. GeneSiC의 완전 분리 GA03IDDJT30-FR4 게이트 드라이버 보드는 0 / 12V 및 TTL 신호를 받아 작은 상승 / 하강 시간을 제공하는 데 필요한 전압 / 전류 파형을 최적으로 조정합니다., 온 상태 동안 정상 꺼짐 SJT 전도를 유지하기위한 연속 전류 요구 사항을 최소화하면서. 핀 구성 및 폼 팩터는 다른 SiC 트랜지스터와 유사하게 유지됩니다.. GeneSiC는 또한 최종 사용자에게 Gerber 파일과 BOM을 출시하여 실현 된 드라이버 설계 혁신의 이점을 통합 할 수 있습니다..

SJT는 잘 작동하는 온 상태 및 스위칭 특성을 제공합니다., 기본 물리 기반 모델과 매우 잘 일치하는 동작 기반 SPICE 모델을 쉽게 만들 수 있습니다.. 잘 확립되고 이해 된 물리 기반 모델 사용, SPICE 매개 변수는 장치 동작에 대한 광범위한 테스트 후 출시되었습니다.. GeneSiC의 SPICE 모델은 모든 기기 데이터 시트의 실험적으로 측정 된 데이터와 비교되며 모든 기기에 적용 가능합니다. 1200 V 및 1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시.
GeneSiC의 SJT는 더 많은 스위칭 주파수를 제공 할 수 있습니다. 15 IGBT 기반 솔루션보다 배. 더 높은 스위칭 주파수는 더 작은 자기 및 용량 성 요소를 가능하게합니다., 따라서 전체 크기를 축소, 전력 전자 시스템의 무게와 비용.

이 SiC 접합 트랜지스터 SPICE 모델은 GeneSiC의 포괄적 인 설계 지원 도구 제품군에 추가됩니다., 기술 문서, 전력 전자 엔지니어에게 GeneSiC의 포괄적 인 SiC 접합 트랜지스터 및 정류기 제품군을 차세대 전력 시스템에 구현하는 데 필요한 설계 리소스를 제공하기위한 및 신뢰성 정보.

GeneSiC의 게이트 드라이버 보드 데이터 시트 및 SJT SPICE 모델은 https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

고주파 전력 회로용으로 출시된 가장 낮은 전도 손실과 우수한 단락 회로 기능을 제공하는 SiC 스위치

덜레스, 여자 이름., 10 월 28, 2014 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 낮은 온저항 1700V 및 1200 TO-247 패키지의 V SiC 접합 트랜지스터. 고전압 사용, 고주파, 고온 및 낮은 온 저항 가능 SiC 접합 트랜지스터는 변환 효율을 높이고 더 높은 버스 전압을 필요로 하는 전력 전자 애플리케이션의 크기/무게/부피를 줄입니다.. 이 장치는 DC 마이크로그리드를 포함한 다양한 응용 분야에서 사용하기 위한 것입니다., 차량용 급속 충전기, 섬기는 사람, 통신 및 네트워킹 전원 공급 장치, 무정전 전원 공급 장치, 태양광 인버터, 풍력 발전 시스템, 및 산업용 모터 제어 시스템.

SiC 접합 트랜지스터 (SJT) GeneSiC가 제공하는 초고속 스위칭 기능 (SiC MOSFET과 유사), 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 게이트 드라이버로 구동 가능, 다른 SiC 스위치와 달리. 다른 SiC 스위치와 달리 SJT의 고유 한 장점은 더 높은 장기적 안정성입니다., >10 usec 단락 기능, 및 우수한 눈사태 기능

“이러한 개선된 SJT는 훨씬 더 높은 전류 이득을 제공합니다. (>100), 다른 SiC 스위치에 비해 매우 안정적이고 강력한 성능. GeneSiC의 SJT는 정격 전류에서 전력 회로의 우수한 턴오프 손실로 매우 낮은 전도 손실을 제공합니다.. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 트랜지스터 제품은 설계자가 보다 강력한 솔루션을 얻을 수 있도록 지원합니다.,” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

1700 V SiC 접합 트랜지스터 출시

• 25 mOhms (GA50JT17-247), 65 mOhms (GA16JT17-247), 220 mOhms (GA04JT17-247)
• 현재 이득 (h_FE) >90
• 티_jmax = 175^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <30 일반적인 나노초.

1200 V SiC 접합 트랜지스터 출시

• 25 mOhms (GA50JT12-247), 120 옴 (GA10JT12-247), 210 mOhms (GA05JT12-247)
• 현재 이득 (h_FE) >90
• 티_jmax = 175^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <30 일반적인 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 TO-247 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

자세한 내용은, https를 방문하십시오://192.168.88.14/상용-sic/sic-접합-트랜지스터/

GeneSiC의 SiC 트랜지스터 및 정류기는 작은 상자 도전

최첨단. 탄화규소 전력 트랜지스터 & 정류기. 사용 가능. 지금!

GeneSiC는 현재 전 세계 최고의 유통업체에서 제공하는 광범위한 제품 포트폴리오를 보유하고 있습니다.

베어 다이 칩 공장에서 직접 사용 가능한 SiC 장치 형태 (아래 양식을 작성해주세요)

이산 SJT 과 정류기 상업 온도 등급에서 (175° C)

이산 히트 SJT모래 히트 정류기 고온에서 (최대 250°C)

GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.. GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., 혁신적인 제품. GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., 당신은 가까운 장래에 그것을 볼 수 있습니다.

호환 가능한 산업 표준 패키지를 통해 실현 된 SiC 트랜지스터의 고온에 대한 약속은 다운 홀 및 항공 우주 액추에이터 및 전원 공급 장치를 크게 향상시킬 것입니다.

덜레스, 여자 이름., 12 월 10, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 유통 업체와 직접 고온 패키지 제품군을 통해 즉각적인 가용성을 발표합니다. 600 V SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 에 3-50 JEDEC 산업 표준 스루 홀 및 표면 실장 패키지의 전류 정격. 이러한 고온 통합, 낮은 온 저항, 밀폐형 패키지의 고주파 SiC 트랜지스터, 고온 솔더 및 캡슐화는 변환 효율을 높이고 고온 전력 변환 애플리케이션의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다..

현대식 고온 전원 공급 장치, 오일 / 가스 / 다운 홀 및 항공 우주 응용 분야에 사용되는 모터 제어 및 액추에이터 회로는 실행 가능한 고온 실리콘 카바이드 솔루션의 가용성 부족으로 어려움을 겪습니다.. 실리콘 트랜지스터는 누설 전류가 높고 스위칭 특성이 낮기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 큰 문제가 있습니다.. 이 두 매개 변수는 더 높은 접합 온도에서 악화됩니다.. 열 제약 환경, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 밀폐 패키지 된 SiC 트랜지스터는 다운 홀 및 항공 우주 애플리케이션의 기능을 혁신 할 수있는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V / 3-50 A SiC 접합 트랜지스터는 온도에 따라 변하지 않는 거의 제로 스위칭 시간을 제공합니다.. 그만큼 210^영형C 접합 온도 등급 장치는 극한 환경에서 작동하는 애플리케이션에 대해 상대적으로 큰 온도 마진을 제공합니다..

GeneSiC에서 제공하는 접합 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능을 보여줍니다., 정사각형 역 바이어스 안전 작동 영역 (RBSOA), 온도와 무관 한 과도 에너지 손실 및 스위칭 시간. 이 스위치는 게이트 산화물이 없습니다., 평상시 꺼짐, 온 저항의 양의 온도 계수를 나타냅니다., 상업적으로 주도 할 수 있습니다., 일반적으로 사용 가능 15 V IGBT 게이트 드라이버, 다른 SiC 스위치와 달리. SiC JFET 드라이버와의 호환성을 제공하면서, SiC 접합 트랜지스터는 일치하는 과도 특성으로 인해 쉽게 병렬화 될 수 있습니다..

“다운 홀 및 항공 우주 애플리케이션 설계자가 계속해서 작동 주파수의 한계를 밀어 붙임에 따라, 여전히 높은 회로 효율을 요구하면서, 표준 성능을 제공 할 수있는 SiC 스위치가 필요합니다., 신뢰성 및 생산 균일 성. 고유 한 장치 및 제조 혁신 활용, GeneSiC의 SJT 제품은 설계자가보다 강력한 솔루션으로 모든 것을 달성 할 수 있도록 지원합니다.. 이 제품은 GeneSiC에서 작년에 출시 한 밀폐형 패키지 SiC 정류기를 보완합니다., 올해 초 출시 된 베어 다이 제품, 우리가 고온을 제공 할 수있는 길을 닦으면서, 낮은 인덕턴스, 가까운 장래에 전력 모듈 ” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

TO-257 절연 600 SJT에서:

• 65 mOhms / 20Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8Amp (2N7637-GA); 과 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.
• 해당 Bare Die GA20JT06-CAL (2N7639-GA에서); GA10JT06-CAL (2N7637-GA에서); 및 GA05JT06-CAL (2N7635-GA에서)

비 절연 TO-258 프로토 타입 패키지 600 SJT

• 25 mOhms / 50Amp (GA50JT06-258 프로토 타입 패키지)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.
• 해당 Bare Die GA50JT06-CAL (GA50JT06-258에서)

표면 실장 TO-276 (SMD0.5) 와 600 SJT

• 65 mOhms / 20Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8Amp (2N7638-GA); 과 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
• 티_jmax = 210^영형씨
• 켜기 / 끄기; 상승 / 하강 시간 <50 일반적인 나노초.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 밀폐 패키지에 보관 됨. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC에서 직접 및 / 또는 공인 대리점을 통해 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

높은 전압, 최소 폼 팩터 표면 실장 기능을 제공하여 태양 광 인버터 및 고전압 어셈블리를 결정적으로 지원하는 역 회복없는 SiC 쇼트 키 다이오드

덜레스, 여자 이름., 11 월 19, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 오늘 업계 표준 SMB 제품군의 즉각적인 가용성을 발표했습니다. (JEDEC DO-214AA) 패키지 SiC 정류기 650 – 3300 V 범위. 이러한 고전압 통합, 역 복구가 필요 없음, 고주파 및 고온 가능 SiC 다이오드는 변환 효율을 높이고 다중 kV 어셈블리의 크기 / 무게 / 볼륨을 줄입니다.. 이 제품은 마이크로 태양 광 인버터와 광범위한 X-Ray에 사용되는 전압 배율기 회로를 대상으로합니다., 레이저 및 입자 발생기 전원 공급 장치.

최신 마이크로 태양광 인버터 및 전압 증배기 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류로 인해 회로 효율이 낮고 크기가 커질 수 있습니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 이 상황은 실리콘 정류기의 역 회복 전류가 온도에 따라 증가하기 때문에 더욱 악화됩니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 마이크로 태양광 인버터 및 고전압 어셈블리에 혁신을 가져올 고유한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 650 V/1A; 1200 V/2A 및 3300 V / 0.3A 쇼트 키 정류기는 온도에 따라 변하지 않는 제로 역 회복 전류를 특징으로합니다.. 그만큼 3300 V 정격 장치는 단일 장치에서 비교적 높은 전압을 제공하므로 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 증배 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. 중소기업 (DO-214AA) 오버몰드 패키지는 표면 실장 어셈블리를 위한 산업 표준 폼 팩터를 특징으로 합니다..

"이러한 제품 제공은 매력적인 장치 및 패키지를 제공하기 위해 GeneSiC에서 수년간 지속적인 개발 노력을 기울인 결과입니다.. 우리는 SMB 폼 팩터가 마이크로 태양광 인버터 및 전압 배율기 시장의 핵심 차별화 요소라고 믿습니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 저용량 SiC 쇼트 키 정류기 및 개선 된 SMB 패키지로이 획기적인 제품 구현” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

1200 V / 2 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GB02SLT12-214) 기술 하이라이트

• 일반적인 VF = 1.5 V
• 티_jmax = 175^영형씨
• 역 복구 요금 = 14 체크 안함.

3300 V / 0.3 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GAP3SLT33-214) 기술 하이라이트

• 일반적인 VF = 1.7 V
• 티_jmax = 175^영형씨
• 역 복구 요금 = 52 체크 안함.

650 V / 1 A SMB SiC 쇼트 키 다이오드 (GB01SLT06-214) 기술 하이라이트

• 일반적인 VF = 1.5 V
• 티_jmax = 175^영형씨
• 역 복구 요금 = 7 체크 안함.

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 SMB (DO-214AA) 패키지. 기술 지원 및 SPICE 회로 모델이 제공됩니다.. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 사용할 수 있습니다..

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, https를 방문하십시오://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

절연 패키지에서 온도와 무관 한 제로 역 회복 전류를 제공하는 이러한 저용량 정류기의 이점을 얻을 수있는 고전압 어셈블리

도둑 강 폭포 / 덜레스, 여자 이름., 할 수있다 28, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 3300 V / 0.3 Ampere SiC 쇼트 키 정류기 – GAP3SLT33-220FP. 이 독특한 제품은 시장에서 가장 높은 전압의 SiC 정류기를 나타냅니다., 특히 광범위한 X-Ray에 사용되는 전압 배율기 회로 및 고전압 어셈블리를 대상으로합니다., 레이저 및 입자 발생기 전원 공급 장치.

실리콘 정류기의 역 회복 전류가 병렬로 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 현대의 전압 증 배기 회로는 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 이 상황은 실리콘 정류기의 역 회복 전류가 온도에 따라 증가하기 때문에 더욱 악화됩니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 고전압 어셈블리의 혁명을 약속하는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 3300 V / 0.3A 쇼트 키 정류기는 온도에 따라 변하지 않는 제로 역 회복 전류를 특징으로합니다.. 단일 장치에서 상대적으로 높은 전압을 사용하면 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 곱셈 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. TO-220 풀 팩 오버 몰드 절연 패키지는 스루 홀 어셈블리에서 핀 간격이 증가 된 산업 표준 폼 팩터를 특징으로합니다..

“이 제품 제공은 GeneSiC에서 수년간 지속 된 노력에서 비롯됩니다.. 우리는 3300 V 정격은 고전압 발생기 시장의 주요 차별화 요소입니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 저용량 SiC 쇼트 키 정류기는이 혁신적인 제품을 가능하게합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

3300 V / 0.3 A SiC 정류기 기술 ​​하이라이트

• 온 스테이트 드롭 1.7 V에서 0.3 ㅏ
• VF의 양의 온도 계수
• 티_jmax = 175^영형씨
• 용량 성 전하 52 체크 안함 (전형적인).

모든 장치는 100% 전체 전압 / 전류 정격으로 테스트되고 할로겐 프리에 보관 됨, RoHS 준수 산업 표준 TO-220FP (풀팩) 패키지. 장치는 GeneSiC의 공인 대리점에서 즉시 구할 수 있습니다., Digikey.

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, www.genesicsemi.com을 방문하십시오

GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.

덜레스, 여자 이름., 11 월 7, 2013 — GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체는 8000 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.; 8000 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., 3300 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다. 6500 GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다.. GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다., GeneSiC는 패키지 제품과 베어 다이 형식으로 가장 다양한 SiC 제품을 제공하여 설계 유연성과 혁신을 향상시킵니다..

현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 더 높은 정류기 접합 온도에서, 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 열 제약이있는 고전압 어셈블리, 적당한 전류가 흐르더라도 접합 온도가 매우 쉽게 상승합니다.. 고전압 SiC 정류기는 고전압 어셈블리의 혁명을 약속하는 고유 한 특성을 제공합니다.. GeneSiC 8000 V 및 3300 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 단일 장치에서 상대적으로 높은 전압을 사용하면 일반적인 고전압 발생기 회로에 필요한 전압 곱셈 단계를 줄일 수 있습니다., 더 높은 AC 입력 전압 사용. 거의 이상적인 스위칭 특성으로 전압 밸런싱 네트워크 및 스 너버 회로를 제거 / 극적으로 줄일 수 있습니다.. 8000 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 6500 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.&현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다..

현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다.. 우리는 8000 현대의 초고압 회로는 실리콘 정류기의 역회복 전류가 병렬 연결된 커패시터를 방전하기 때문에 회로 효율이 낮고 크기가 커집니다., 고객에게 상당한 혜택을 제공 할 것입니다.. GeneSiC의 낮은 VF, 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.” 박사가 말했다. 란 비르 싱, GeneSiC Semiconductor 회장.

8000 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.

• 티_jmax = 210^영형씨
• 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. < 50 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 175^영형씨
• 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 558 체크 안함 (전형적인).

8000 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.

• 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. 25 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (전형적인, 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. -1 V, 25^영형씨).
• VF의 양의 온도 계수
• 티_jmax = 175^영형씨

6500 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.

• 세 가지 제품 – 80 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.); 60 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.); 과 40 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다. (낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.)
• 티_jmax = 200^영형씨

3300 낮은 커패시턴스 SiC 정류기 및 사이리스터는 이전에는 불가능했던 시스템 수준 이점을 가능하게 합니다.

• 온 스테이트 드롭 1.7 V에서 0.3 ㅏ
• VF의 양의 온도 계수
• 티_jmax = 175^영형씨
• 용량 성 전하 52 체크 안함 (전형적인).

GeneSiC Semiconductor Inc 정보.

GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치, 광범위한 전력 반도체의 글로벌 공급 업체. 장치 포트폴리오에는 SiC 기반 정류기가 포함됩니다., 트랜지스터, 및 사이리스터 제품, 뿐만 아니라 실리콘 정류기 제품. GeneSiC는 SiC 전력 장치의 최신 발전을 포괄하는 광범위한 지적 재산 및 기술 지식을 개발했습니다., 대체 에너지를 목표로하는 제품, 자동차, 아래로 ole 석유 시추, 모터 제어, 전원 공급, 교통, 및 무정전 전원 공급 장치 애플리케이션. GeneSiC는 미국 정부 기관으로부터 수많은 연구 개발 계약을 획득했습니다., ARPA-E 포함, 에너지학과, 해군, 육군, DARPA, DTRA, 국토 안보부, 주요 정부 주요 계약 업체. 에 2011, 회사는 권위있는 R을 수상했습니다&초고압 SiC 사이리스터 상용화를위한 D100 상.

자세한 내용은, 방문하시기 바랍니다 https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie