今日の半導体
10月 28, 2014 – GeneSiCの発売が改善されました, より低いオン抵抗1700Vおよび1200VSiC接合トランジスタ
パワーエレクトロニクスヨーロッパニュース
9月 5, 2013 – GeneSiCのSJTは、他のSiCスイッチよりも全体的な損失が少ないと述べています
SiCスイッチの駆動 – 化合物半導体マガジンから (Pg 41)
7月 29, 2013 – SJTはIGBTドライバーと互換性のある動作を提供します
化合物半導体マガジン (Pg 33)
行進, 2012 – SiC Electronics: 高温の約束を利用する
ボドのパワーシステム (Pg 44)
2月, 2012 – スマートグリッド革命の到来を告げる炭化ケイ素サイリスタ
