アプリケーションノート:
AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブのコンセプト
五月 2013 AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブのコンセプト
AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
六月 2013 AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
ダブルパルススイッチングボード
9月 2014 ダブルパルススイッチングボード
ハイパワーゲートドライバーボード
9月 2014 ハイパワーゲートドライバーボード
低電力ゲートドライバーボード
9月 2014 低電力ゲートドライバーボード
技術記事:
1200 Vクラス4H-SiC “素晴らしい” の電流利得を持つ接合トランジスタ 88 および超高速スイッチング機能
9月, 20111200 Vクラス4H-SiC “素晴らしい” の電流利得を持つ接合トランジスタ 88 および超高速スイッチング機能
1200 で動作するVSiC「スーパー」接合トランジスタ 250 電力変換アプリケーション向けのエネルギー損失が非常に低い°C
11月, 2011 1200 で動作するVSiC「スーパー」接合トランジスタ 250 電力変換アプリケーション向けのエネルギー損失が非常に低い°C
SiCの高温の可能性を活用する
2月, 2012 SiCの高温の可能性を活用する
炭化ケイ素 “素晴らしい” 500°Cで動作する接合トランジスタ
4月, 2012 炭化ケイ素 “素晴らしい” 500°Cで動作する接合トランジスタ
さまざまな温度での長期DCおよびパルス動作下でのSiC「スーパー」接合トランジスタの電気的特性の安定性
五月, 2012 さまざまな温度での長期DCおよびパルス動作下でのSiC「スーパー」接合トランジスタの電気的特性の安定性
