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技術記事:
ハイブリッドSi-IGBT / SiC整流器コパックとSiCJBS整流器
9月, 2011 ハイブリッドSi-IGBT / SiC整流器コパックとSiCJBS整流器
12.9 オン状態の低下が少なく、キャリア寿命が長いkV SiCPiNダイオード
9月, 2011 12.9 オン状態の低下が少なく、キャリア寿命が長いkV SiCPiNダイオード
1200 ≥に最適化されたVSiCショットキー整流器 250 クラス最低の接合容量での°C動作
7月, 2012 1200 ≥に最適化されたVSiCショットキー整流器 250 クラス最低の接合容量での°C動作
15 kV SiCPiNダイオードは 95% 雪崩限界と安定した長期運転
3月, 2013 15 kV SiCPiNダイオードは 95% 雪崩限界と安定した長期運転