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GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者

6.5kV SiC MOSFET

ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, トラクションなどの中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性, パルスパワーとスマートグリッドインフラストラクチャ.

ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、6.5kV SiC MOSFETベアチップ–G2R300MT65-CALおよびG2R325MS65-CALの即時提供を発表しました. この技術を利用した完全なSiCモジュールがまもなくリリースされます. アプリケーションには牽引力が含まれることが期待されます, パルスパワー, スマートグリッドインフラストラクチャおよびその他の中電圧電力変換器.

G2R300MT65-CAL –6.5kV300mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

G2R325MS65-CAL –6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (統合ショットキー付き) ベアチップ

G2R100MT65-CAL –6.5kV100mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

GeneSiCのイノベーションは、SiC二重注入金属酸化物半導体を特徴としています (DMOSFET) 接合バリアショットキーを備えたデバイス構造 (JBS) SiCDMOSFETユニットセルに統合された整流器. この最先端の電力デバイスは、次世代の電力変換システムのさまざまな電力変換回路で使用できます。. その他の重要な利点には、より効率的な双方向パフォーマンスが含まれます, 温度に依存しないスイッチング, 低スイッチングおよび伝導損失, 冷却要件の削減, 優れた長期信頼性, デバイスの並列化の容易さとコストメリット. GeneSiCのテクノロジーは、優れたパフォーマンスを提供し、電力変換器の正味のSiC材料フットプリントを削減する可能性もあります。.

“GeneSiCの6.5kVSiC MOSFETは、低いオン状態抵抗を実現するために6インチウェーハ上に設計および製造されています。, 最高品質, と優れた価格性能指数. この次世代MOSFET技術は、模範的な性能を約束します, 中電圧電力変換アプリケーションにおける優れた耐久性と長期信頼性。” 前記 博士. シドダース・スンダレサン, GeneSiCSemiconductorの技術担当副社長.

GeneSiCの6.5kVG2R™SiCMOSFETテクノロジーの特徴 –

  • 高雪崩 (UIS) と短絡の頑丈さ
  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
  • 温度に依存しないスイッチング損失
  • 低静電容量と低ゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
  • +20 V / -5 Vゲートドライブ

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCは、業界で最高のパフォーマンスを発揮する1700VSiCショットキーMPSをリリースします™ ダイオード

ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージの第3世代1700V SiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースします

GeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247およびGB50MPS17-247; 人気の高いTO-247-2スルーホールパッケージで利用可能な業界最高性能の1700V SiCダイオード. これらの1700V SiCダイオードは、シリコンベースの超高速リカバリダイオードやその他の旧世代の1700V SiC JBSに代わるものです, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源と再生可能エネルギー.

GB50MPS17-247は、1700V 50A SiCマージされたPiNショットキーダイオードです。, 業界最高の電流定格ディスクリートSiCパワーダイオード. これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特長としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車用6インチファウンドリと高度な高信頼性ディスクリートアセンブリテクノロジーを組み合わせ.

これらのSiCダイオードは、TO-247-2パッケージで利用可能な他のダイオードのピン互換性のある直接の代替品です。. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.