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GeneSiCは、業界で最高のパフォーマンスを発揮する1700VSiCショットキーMPSをリリースします™ ダイオード

ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージの第3世代1700V SiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースします

GeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247およびGB50MPS17-247; 人気の高いTO-247-2スルーホールパッケージで利用可能な業界最高性能の1700V SiCダイオード. これらの1700V SiCダイオードは、シリコンベースの超高速リカバリダイオードやその他の旧世代の1700V SiC JBSに代わるものです, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源と再生可能エネルギー.

GB50MPS17-247は、1700V 50A SiCマージされたPiNショットキーダイオードです。, 業界最高の電流定格ディスクリートSiCパワーダイオード. これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特長としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車用6インチファウンドリと高度な高信頼性ディスクリートアセンブリテクノロジーを組み合わせ.

これらのSiCダイオードは、TO-247-2パッケージで利用可能な他のダイオードのピン互換性のある直接の代替品です。. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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マルチkHz, 米国の研究者にサンプリングされた超高電圧炭化ケイ素サイリスタ

ダレス, VA, 11月 1, 2010 –その種の最初の提供で, GeneSiC Semiconductorは、スマートグリッドアプリケーションのパワーエレクトロニクスで使用するための6.5kVSCRモード炭化ケイ素サイリスタのファミリの利用可能性を発表しました. これらのパワーデバイスの革新的なパフォーマンス上の利点は、分散型エネルギーリソースのアクセス可能性と活用を向上させるために、ユーティリティ規模のパワーエレクトロニクスハードウェアの主要な革新に拍車をかけることが期待されています。 (THE). "今まで, マルチkV炭化ケイ素 (SiC) 米国の研究者は、SiCベースのパワーデバイスのよく知られた利点（つまり、定格5〜15kVで2〜10kHzの動作周波数）を十分に活用するために、パワーデバイスを公然と利用できませんでした。」博士はコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「GeneSiCは最近、多くの6.5kV / 40Aの配信を完了しました。, 6.5再生可能エネルギーの研究を行っている複数の顧客へのkV / 60Aおよび6.5kV / 80Aサイリスタ, 陸軍および海軍の電力システムアプリケーション. これらの定格のSiCデバイスは、現在、より広く提供されています。」

炭化ケイ素ベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、Xより速いスイッチング周波数とより高い温度動作. これらのデバイスのターゲットアプリケーション研究の機会には、汎用の中電圧電力変換が含まれます (MVDC), グリッドタイドソーラーインバーター, 風力発電インバーター, パルスパワー, 兵器システム, 点火制御, とトリガー制御. その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償器と直列補償器. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減.

博士. シン氏は続けます。「電力変換分野の研究者がSiCサイリスタの利点を完全に理解した後、ソリッドステート変電所と風力タービン発電機の大規模市場が開かれることが予想されます。. これらの第1世代SiCサイリスタは、SiCサイリスタでこれまでに達成された中で最も低い実証済みのオン状態電圧降下と差動オン抵抗を利用します。. ゲート制御のターンオフ機能に最適化された次世代のSiCサイリスタをリリースする予定です。 >10kV定格. 高温超高電圧パッケージングソリューションの開発を続けています, 現在の6.5kVサイリスタは、完全にはんだ付けされた接点を備えたモジュールにパッケージ化されています, 150oCの接合部温度に制限されています。」 GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急成長しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています。 (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

ワシントンの近くにあります, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.

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GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました

ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 新規の超高電圧炭化ケイ素の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました (SiC) サイリスタベースのデバイス. これらのデバイスは、大規模な風力発電所と太陽光発電所を次世代のスマートグリッドに統合するための重要なイネーブラーになると期待されています.

「このGeneSiCに対する非常に競争力のある賞により、マルチkVシリコンカーバイドテクノロジーにおける技術的リーダーシップの地位を拡大することができます。, ソリッドステートソリューションを使用したグリッドスケールの代替エネルギーソリューションへの取り組み,」とコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「私たちが開発しているマルチkVSiCサイリスタは、フレキシブルAC伝送システムの実現に向けた重要な実現技術です。 (事実) 要素と高電圧DC (HVDC) 統合に向けて想定されるアーキテクチャ, 効率的, 未来のスマートグリッド. GeneSiCのSiCベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、FACTSおよびHVDC電力処理ソリューションでのXより高速なスイッチング周波数とより高い温度動作。」

4月中 2010, GeneSiCは、電力技術のアジャイルデリバリーに対応しました (ADEPT) コストを削減しながら既存の電力変換器の性能を飛躍させる可能性のある高電圧スイッチの根本的な進歩のための材料に投資しようとしたARPA-Eからの要請. 「中電圧電力変換用のシリコンカーバイドアノードスイッチドサイリスタ」というタイトルの会社の提案は、軽量を提供するために選択されました, 固体の状態, ソリッドステート変電所や風力タービン発電機などの高電力アプリケーション向けの中電圧エネルギー変換. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減. 選ばれたイノベーションは、米国を支援し促進することでした. 技術的リーダーシップによるビジネス, 非常に競争の激しいプロセスを通じて.

炭化ケイ素は、従来のシリコンよりもはるかに優れた特性を備えた次世代の半導体材料です。, たとえば、300ºCの高温で10倍の電圧、100倍の電流を処理する能力などです。. これらの特性により、ハイブリッド車や電気自動車などの高出力アプリケーションに最適です。, 再生可能エネルギー (風と太陽) インストール, および電気グリッド制御システム.

その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償装置および直列補償装置. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらのデバイスの他の有望なアプリケーションと利点は次のとおりです。:

  • 将来の海軍能力の下で求められる中電圧DC変換のための電力管理および電力調整システム (FNC) アメリカ海軍の, 電磁発射システム, 高エネルギー兵器システムと医用画像. 10〜100倍高い動作周波数機能により、前例のないサイズの改善が可能になります, 重さ, ボリュームと最終的に, そのようなシステムのコスト.
  • さまざまなエネルギー貯蔵, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

“広範な製造スイートを備えたデバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用することにより、超高電圧SiCテクノロジーのリーダーとして浮上しました。, 特性評価, およびテスト施設,」は博士を結論付けます. シン. 「GeneSiCの立場は、この重要な後続賞により、米国のDOEによって効果的に検証されました。」

GeneSiC Semiconductorについて

ワシントンの近くに戦略的に位置しています, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュースwww.genesicsemi.com.

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再生可能エネルギー推力ネットGeneSiCSemiconductor米国エネルギー省から150万ドル

ダレス, VA, 11月 12, 2008 – 米国エネルギー省は、高電圧炭化ケイ素の開発に対して、GeneSiCSemiconductorに合計150万ドルの2つの個別の助成金を授与しました。 (SiC) 風力の主要なイネーブラーとして機能するデバイス- 太陽光発電と国の電力網との統合.

「これらの賞は、GeneSiCの機能に対するDOEの信頼を示しています。, 代替エネルギーソリューションへの取り組みと同様に,」と博士は述べています. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「統合された, 効率的な電力網は、国のエネルギーの将来にとって重要です。また、私たちが開発しているSiCデバイスは、従来のシリコン技術の非効率性を克服するために重要です。」

最初の賞は、高速開発のための75万ドルのフェーズIISBIR助成金です。, 超高電圧SiCバイポーラデバイス. 2つ目は、光学的にゲート制御された高出力SiCスイッチの開発に対する75万ドルのフェーズIISTTR助成金です。.

炭化ケイ素は、シリコンの10倍の電圧と100倍の電流を処理する能力を備えた次世代の半導体材料です。, 再生可能エネルギーなどの高電力アプリケーションに最適です。 (風と太陽) 設備および電気グリッド制御システム.

具体的には, 2つの賞は:

  • 高周波の開発, マルチキロボルトSiCゲートターンオフ (GTO) パワーデバイス. 政府および商用アプリケーションには、船舶の電力管理および調整システムが含まれます, 公益事業, および医用画像.
  • 光学的にゲートされた高電圧の設計と製造, ハイパワーSiCスイッチングデバイス. 光ファイバーを使用して電源を切り替えることは、電磁干渉に悩まされている環境にとって理想的なソリューションです。 (EMI), および超高電圧を必要とするアプリケーション.

GeneSiCが開発しているSiCデバイスは、さまざまなエネルギー貯蔵に役立ちます, 送電網, および軍事用途, 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせるにつれて、これらはますます注目を集めています.

ワシントン郊外に拠点を置く, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, 電界効果トランジスタ (FET) およびバイポーラデバイス, だけでなく粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCには、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトがあります, エネルギー省を含む, 海軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュース www.genesicsemi.com.

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GeneSiCSemiconductorが複数の米国エネルギー省SBIRおよびSTTR助成金を受賞

ダレス, VA, 10月 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., 高温の急成長中のイノベーター, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス, 2007年度中に米国エネルギー省から3つの個別の中小企業助成金が授与されたと発表しました. SBIRおよびSTTRの助成金は、GeneSiCによって使用され、さまざまなエネルギー貯蔵用の新しい高電圧SiCデバイスを実証します。, 送電網, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.

“当社の高出力デバイスソリューションに関して、米国エネルギー省内のさまざまなオフィスから表明された信頼のレベルに満足しています。. この資金を当社の高度なSiCテクノロジープログラムに注入すると、業界をリードするラインSiCデバイスが実現します。,” GeneSiCの社長はコメントしました, 博士. ランヴィール・シン. “これらのプロジェクトで開発されているデバイスは、より効率的な電力網をサポートするための重要な実現技術を提供することを約束します, そして、現代のシリコンベースの技術の限界のために実現されていない新しい商用および軍事用ハードウェア技術への扉を開きます。”

3つのプロジェクトには以下が含まれます:

  • 高電流に焦点を当てた新しいフェーズISBIR賞, エネルギー貯蔵アプリケーション向けのマルチkVサイリスタベースのデバイス.
  • DOE科学局によって授与された高出力RFシステムアプリケーション用の高電圧電源用のマルチkVSiCパワーデバイスの開発に対するフェーズIISBIR後続賞.
  • 光学的にゲートされた高電圧に焦点を当てたフェーズISTTR賞, 電磁干渉が豊富な環境向けの高周波SiCパワーデバイス, 高出力RFエネルギーシステムを含む, 指向性エネルギー兵器システム.

賞と一緒に, GeneSiCは最近、ダレスの拡張された研究所とオフィスビルに事業を移転しました, バージニア, 機器を大幅にアップグレード, インフラストラクチャであり、キーパーソンを追加する過程にあります.

“GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します, 広範な製造スイートへのアクセスでそれをバックアップします, 特性評価およびテスト施設,” 結論博士. シン. “これらの機能は、これらの新しい後続の賞で米国エネルギー省によって効果的に検証されたと感じています。”

会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することにより www.genesicsemi.com.