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5クラス最高の効率を実現する第 6 世代 650V SiC ショットキー MPS™ ダイオード

Gen5 650V SiC ショットキー MPS™

ダレス, VA, 五月 28, 2021 — ニュース, 炭化ケイ素のパイオニアであり、世界的なサプライヤー (SiC) パワー半導体デバイス, 第5世代の発売を発表 (GE***シリーズ) 優れた価格性能指数で新しいベンチマークを設定している SiC Schottky MPS™ 整流器, 業界をリードするサージ電流とアバランシェの堅牢性, と高品質の製造.

「GeneSiC は、世界で初めて SiC ショットキー整流器を商業的に供給した SiC メーカーの 1 つです。 2011. 高性能で高品質の SiC 整流器を業界に供給して 10 年以上経った後、, SiC ショットキー MPS™ の第 5 世代をリリースできることを嬉しく思います。 (Merged-PiN-Schottky) サーバー/テレコム電源やバッテリー充電器などのアプリケーションで高効率と電力密度の目標を達成するために、あらゆる面で業界をリードする性能を提供するダイオード. 5代目となる革新的な機能 (GE***シリーズ) SiC ショットキー MPS™ ダイオードは、内蔵電圧が低いことが他の製品の中で際立っています。 (ニーボルテージとも呼ばれる);これにより、すべての負荷条件でダイオードの伝導損失を最小限に抑えることができます - 高効率のエネルギー使用を必要とするアプリケーションにとって重要. 低ニー特性を提供するように設計された他の競合他社の SiC ダイオードとは対照的に、, Gen5 ダイオード設計のもう 1 つの特徴は、依然として高いレベルのなだれを維持していることです。 (UIL) お客様が GeneSiC の Gen3 に期待する堅牢性 (GC***シリーズ) そしてGen4 (GD***シリーズ) SiCショットキーMPS™” 博士は言った. シドダース・スンダレサン, GeneSiC Semiconductor 技術担当副社長.

特徴 –

  • 低い内蔵電圧 – すべての負荷条件で最小の伝導損失
  • 優れた性能指数 – QC×VF
  • 最適な価格パフォーマンス
  • 強化されたサージ電流機能
  • 100% 雪崩 (UIL) テスト済み
  • クーラー動作のための低い熱抵抗
  • ゼロフォワードおよびリバースリカバリ
  • 温度に依存しない高速スイッチング
  • VFの正の温度係数

アプリケーション –

  • 力率補正のブーストダイオード (PFC)
  • サーバーおよびテレコム電源
  • ソーラーインバーター
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • バッテリーチャージャー
  • フリーホイーリング / インバーターの逆並列ダイオード

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC ショットキー MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC ショットキー MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC ショットキー MPS™

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCが一流のRを獲得&SiCベースのモノリシックトランジスタ-整流器スイッチに対するD100賞

ダレス, VA, 12月 5, 2019 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2019 R&D 100 鬼ごっこ.

GeneSiC Semiconductor Inc, 鬼ごっこ 2019 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2018. R&鬼ごっこ. GeneSiCのデバイスによって実現されるこれらの機能により、パワーエレクトロニクスの研究者は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの次世代のパワーエレクトロニクスシステムを開発することができます。. これにより、電気自動車内での製品開発が可能になります, 充電インフラ, 再生可能エネルギーおよびエネルギー貯蔵産業. GeneSiCは、これらのデバイスを使用した高度なパワーエレクトロニクスハードウェアのデモンストレーションに向けて複数の顧客からの注文を予約し、シリコンカーバイドMOSFET製品のファミリを開発し続けています。. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンのDは、米国部門を通じて開発されました. エネルギーとサンディア国立研究所とのコラボレーション.

Rが運営する毎年恒例のテクノロジーコンペティション&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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大電流対応650V, 1200ミニモジュールSOT-227パッケージのVおよび1700VSiCSchottkyMPS™ダイオード

ダレス, VA, 五月 11, 2019 — GeneSiCは大電流対応のマーケットリーダーになります (100 Aと 200 A) SOT-227ミニモジュールのSiCショットキーダイオード

GeneSiCはGB2X50MPS17-227を導入しました, GC2X50MPS06-227およびGC2X100MPS06-227; 業界最高の定格電流650Vおよび1700VSiCショットキーダイオード, 既存の1200VSiCショットキーダイオードミニモジュールポートフォリオに追加–GB2X50MPS12-227およびGB2X100MPS12-227. これらのSiCダイオードは、シリコンベースの超高速回復ダイオードに取って代わります。, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源, 高出力整流および産業用電源.

SOT-227ミニモジュールパッケージの免震ベースプレートに加えて, これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特徴としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車認定6インチ製造と高度な高信頼性ディスクリートアセンブリ技術を組み合わせた.

これらのSiCダイオードは、SOT-227で利用可能な他のダイオードのピン互換の直接交換品です (ミニモジュール) パッケージ. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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GeneSiCは、業界で最高のパフォーマンスを発揮する1700VSiCショットキーMPSをリリースします™ ダイオード

ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージの第3世代1700V SiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースします

GeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247およびGB50MPS17-247; 人気の高いTO-247-2スルーホールパッケージで利用可能な業界最高性能の1700V SiCダイオード. これらの1700V SiCダイオードは、シリコンベースの超高速リカバリダイオードやその他の旧世代の1700V SiC JBSに代わるものです, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源と再生可能エネルギー.

GB50MPS17-247は、1700V 50A SiCマージされたPiNショットキーダイオードです。, 業界最高の電流定格ディスクリートSiCパワーダイオード. これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特長としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車用6インチファウンドリと高度な高信頼性ディスクリートアセンブリテクノロジーを組み合わせ.

これらのSiCダイオードは、TO-247-2パッケージで利用可能な他のダイオードのピン互換性のある直接の代替品です。. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.